• 한국도로학회논문집
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• 제13권2호
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• pp.125-131
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• 2011

본 연구는 도로 운영시 강우로 인하여 발생하는 배수 취약구간에 대하여 현장 조사를 통하여 도로 배수 취약구간의 발생 원인을 과학적이고 구체적으로 규명하는데 목적이 있다. 도로 배수 취약구간의 발생 원인을 규명하기 위하여 배수취약구간에 대한 기존 연구결과 및 현황 자료를 검토하였으며, 도로 노면 배수시설과 도로 인접지 배수시설에 대한 취약구간을 조사 및 분석한 결과, 시공 및 기타의 원인으로 발생한 배수 취약구간이 45.7%, 도로의 기하구조가 원인이 된 배수 취약구간은 32.3%, 도로의 수리 수문의 원인은 22.0%로 분석되었으며, 분석된 원인 별 개선 방안으로서 i)시공 및 기타 부분에서는 토사측구의 재료 변경, 단면의 크기 상향 및 수리학적 근거를 바탕으로 한 용량의 산정을, ii)도로의 기하구조 측면에서는 편경사 및 종단선형을 고려한 합성경사의 도출 및 범위 산정과 종단 오목부 구간의 배수구조물 적정 간격의 제시를, iii)도로의 수리 수문 측면에서는 1분단위 강우강도식의 사용과 노면 강우의 부등류 흐름 해석 기법의 적용과 선형 배수방식에 따른 도로 노면 강우의 신속배제를 개선 방안으로 제안하였다.

• 전자공학회논문지D
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• 제36D권10호
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• pp.1-8
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• 1999

본 논문은 두께가 각각 다른 습식 산호막의 정전류 스트레스에 따른 SILC를 측정하여 SILC의 전도 mechanism 및 발생원인을 조사하였다. $N_2O$ 어닐링한 산화막의 SILC 특성도 조사하였다. 또한, 60A 두께의 $N_2O$ 어닐링한 터널링 산호막을 갖는 ,flash memory cell을 $0.25{\mu}m$ 설계규칙에 따라 제작하여 그 특성을 측정하였다. 그 결과, SILC의 발생 원인은 전기적 스트레스 인가에 따른 산호막내에 생성된 트랩 때문이며, SILC의 전도 mechanism은 전기장 세기가 8MV/cm 이하일 때 산호막 트랩을 경유한 modified F-N 터널링이 8MV/cm 이상일 때 전형적인 F-N터널링이 주도적임을 알 수 있었다. 60A의 $N_2O$ 어닐링한 산화막은 SILC에 대한 내성 측면에서 큰 개선 효과가 있음을 알 수 있었다. 또한 이 막을 flash memory cell의 터널링 산호막으로 이용할 경우, $10^6$회의 endurance와 10년 이상의 드레인 disturb가 보장되고 8V-프로그래밍이 가능한 특성을 얻을 수 있었다.

• 한국지반공학회지:지반
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• 제1권1호
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• pp.59-72
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• 1985

본 논문은 Biot의 압밀이론을 유한요소법에 의해 해석하는 데 있어 수정 Cam-clay model과 해석 기법으로서는 Christian Boehmer방법을 사용한 것이다. 특히 본 해석에 있어서 압밀의 시간간격과 요소의 분할은 정도와 경제성의 관점에서 연구하였다. 나아가 본 프르그램의 정확을 조사하기 인하여 본 프로그램에 Terzaghi의 정해에 의한 일차원추밀의 해석을 시도하여 그 정상성을 확인하고 또한 Magnan이 연구목적으로 수행한 프랑스의 Cubzac-les-ponts에서 시험성토의 결과와 비교하였다. 본 연구에서 얻은 주요결론은 다음과 같다. 1. 일차원압밀의 평우에 배수층에 가까이 갈수록 요소를 세분하면 수치해석에서 더 높은 결과를 얻을 수 있다. 2. 상간간격에 대해서는 1 log cycle당 20회로 하면 안정된다. 3. 긴 배수거리를 갖는 요소에서는 Mandel-cryer 효과가 시간지연과 더불어 일어난다. 4. 본 프로그램에 의해 예측된 초기하중 단계에서 축변위는 성토하중으로 산하는 것 보다도 강성을 주는 Mesh화한 것이 관측치와 잘 일치한다. 5. 본 프로그램에 의해 예측된 간극수압은 Magnan결과와 비교해 볼 때 관측치와 더 잘 일치 한다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 추계종합학술대회
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• pp.537-541
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• 2003

강유전체(SrTiO$_3$) 박막을 게이트 절연층으로 하여 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터를 유리 기판위에 제조하였다. 강유전체는 기존의 SiO$_2$, SiN 등과 같은 게이트 절연체에 비하여 유전특성이 매우 뛰어나 TFT의 ON 전류를 증가시키고 문턱전압을 낮추며 항복특성을 개선하여 준다. PECVD 에 의하여 증착된 a-Si:H 는 FTIR 측정 결과 2,000 $cm^{-}$1 과 635 $cm^{-}$l 및 876 cm-1 에서 흡수 밴드가 나타났으며, 2,000 $cm^{-1}$ / 과 635 $cm^{-1}$ / 은 SiH$_1$ 의 stretching 과 rocking 모드에 기인 한 것이며 876 $cm^{-1}$ / 의 weak 밴드는 SiH$_2$ vibration 모드에 의한 것이다. a-SiN:H 는 optical bandgap 이 2.61 eV 이고 굴절률은 1.8 - 2.0, 저항률은 $10^{11}$ - $10^{15}$ $\Omega$-cm 정도로 실험 조건에 따라 약간 다르게 나타난다. 강유전체(SrTiO$_3$) 박막의 유전상수는 60 - 100 정도이고 항복전계는 1MV/cm 이상으로 우수한 절연특성을 갖고 있다. 강유전체를 이용한 TFT 의 채널 길이는 8 - 20 $\mu$m, 채널 넓이는 80 - 200 $\mu$m 로서 드레인 전류가 게이트 전압 20V에서 3 $\mu$A 이고 Ion/Ioff 비는 $10^{5}$ - $10^{6}$, Vth 는 4 - 5 volts 이다.

• 비파괴검사학회지
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• 제36권6호
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• pp.504-509
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• 2016

원자력발전소의 노후화에 따른 이종금속용접부에서 결함 발생 사례가 지속적으로 보고되고 있으며, 국내에서도 원자력발전소 가동연수 증가에 따라 이종금속부에 결함 발생도 점점 증가할 것으로 판단된다. 국내에서는 증기발생기 배수 노즐 이종금속용접부, 원자로냉각재계통(RCS) 고온관 시료 채취 노즐에서 결함 사례가 보고되었고, 원자력발전소의 인력 접근이 제한적인 고방사선구역 내 소구경 노즐의 이종금속용접부에 대한 검사 시 인력 투입을 최소화 하는 신뢰성 있는 자동화 비파괴검사 가능 기술 및 시스템 개발 필요성이 증대되고 있다. 본 연구에서는 원자력발전소의 소구경 노즐 결함 검출을 위해 1) beam simulation을 통한 최적 검사 탐촉자 설계, 2) 소구경 이종용접부 검사용 multi-directions UT 최적 검사기술, 3) 원격제어 automatic inspection system을 개발하였으며, 표준결함시편을 이용하여 개발된 기술 및 시스템의 결함 검출능을 검증하였다. 개발된 최적기술과 시스템은 실제 발전소에서 발생된 결함 (RCS 고온관 시료 채취 노즐)에 대한 검사에 적용하여 결함을 검출함으로써 개발 검사 기술 및 시스템의 적합성이 검증되었다. 개발된 기술은 원전의 다양한 소구경 건전성 평가에 활용함으로써 원자력발전 안전성 확보에 기여할 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국도로학회논문집
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• 제6권1호
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• pp.1-11
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• 2004

본 연구는 포장 거친면 마무리 방법에 따른 공용성 평가를 실시하여 국내에 최적의 거친면 마무리 공법을 제안하는 데 목적이 있다. 소음 측정 결과 일정간격 18mm 종방향 타이닝이 다른 비교구간보다 약 2$\sim$3dB(A) 소음 감소효과가 있다. 일정간격 18mm 종방향 타이닝과 26mm 종방향 타이닝을 비교한 결과 26mm 종방향 타이닝에서 약 2$\sim$3dB(A)증가 하였다. 미끄럼 저항성 측정결과는 SN40을 기준으로 했을 경우 전 구간에 대해 양호한 결과를 얻을 수 있었고, 평탄성 측정결과 AASHTO 기준인 PrI 16cm/km 범위 내에 전 구간이 포함되는 것을 알 수 있었다. 그리고, 실제 운전자를 대상으로한 설문조사에서는 종방향타이닝의 주행감이 가장 좋은 것으로 분석되었다. 육안관측으로 배수성 측정결과 일정간격 26mm 종방향 타이닝과 일반구간(일정간격 25mm 횡방향 타이닝)에서 가장 우수한 배수성을 보였다. 반면에 18mm 종방향 타이닝과 임의간격 횡방향에서는 배수능력이 저하되었다. Ranking method를 적용하여 분석한 결과 18mm 종방향 타이닝이 가장 좋은 공법으로 선정되었고, 다음으로 26mm 종방향 타이닝, 임의간격 횡방향, 횡방향 쓸기순으로 선정되었다.

• 한국지반환경공학회 논문집
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• 제14권7호
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• pp.39-50
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• 2013

Crib wall은 헤더와 스트레처를 사용하여 옹벽의 골조를 축조하는 격자형 조립식 옹벽공법의 일종이다. 이 공법에서는 부재의 교차에 의해 생긴 격자 안에 자갈로 채움을 실시하여 옹벽의 중력을 유지하게 된다. 따라서 일반 옹벽에 비해 시공속도가 빠르며 경제적이다. 더불어, 옹벽의 배수 능력이 뛰어나며 전면에 식생이 가능하다는 점을 들어 환경친화적인 장점도 강조되어 왔다. 그러나 목재 Crib wall 시스템에서는 개별 부재 사이의 상대적인 움직임을 허용하며 채움재의 자중이나 외부하중에 의해 채움재에 응력 재분포가 발생한다. 본 연구에서는 대규모 목재옹벽 시공현장에 대한 세부조사와 해석을 통하여 목재 crib wall의 파괴유형과 파괴원인을 분석하였다. 조사결과 전체 부재의 5.7%인 총 2,315개소에서 손상이 발생되었으며, 파손된 부재 중 80.2%가 헤더에서 발생하였고 파손된 헤더 중 65.7%가 하단부에 집중되어 있는 것으로 나타났다. 따라서 부재의 종류나 설치 위치에 따라 파괴유형 및 원인이 상이한 것으로 분석되었고, 근본적으로 부재의 뒤틀림과 나뭇결이 다양한 형태로 영향을 미치는 것으로 판단된다.

• 한국해양환경ㆍ에너지학회지
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• 제10권4호
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• pp.193-200
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• 2007

2006년 건기와 우기로 구분하여 연안개발 공사가 이루어지고 있는 해남군 화원면 주변 해역의 15개 정점과 하천 2개 지점 그리고 공사장 배출구 1개 지점에서 pH, 투명도, 염분, SS, DO, COD, ${NH_4}^+$-N, ${NO_2}^-+{NO_3}^-$-N, TN, TP, ${PO_4}^{3-}$-P을 분석한 결과, pH, 투명도, 염분, SS의 경우, 90 mm이상의 집중 강우가 있었던 8월에는 공사장의 배출구와 하천수의 유입구 인근의 해역의 표층수에서 강우에 의한 담수의 유입과 공사장의 배출수의 유입에 의한 영향이 뚜렷하게 나타났다. 하지만 그 외 지점에서는 정점 간, 수층 간 농도 차이가 나타나지 않았다. 예상과 달리 추계 건기에는 강한 바람에 의해 저층으로부터의 침전물질이 부유되어 SS의 농도가 하계의 강우시보다 더 높은 농도를 보였다. 그 외 COD, ${NH_4}^+$-N, TN, TP, ${PO_4}^{3-}$-P의 농도도 유사한 경향을 보였다. 따라서 공사로 인한 연안해역의 수질변화를 평가하기 위해서는 단순히 표층수의 수평적인 조사만으로 그 영향을 평가하기보다는 집중 강우에 의한 영향과 기상이나 해황특성, 침강특성이나 용출특성의 조사를 포함한 SS의 확산시뮬레이션 등으로부터 평가되어야 하겠다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권3호
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• pp.21-32
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• 2006

본 논문에서는 누설전력 소비뿐만 아니라 스위칭 전력 소비를 동시에 줄일 수 있는 새로운 저전력 SRAM 회로를 제안한다. 제안된 저전력 SRAM은 대기모드와 쓰기동작에서는 셀의 소스라인 전압을 $V_{SSH}$로 증가시키고 읽기동작에서만 소스라인 전압을 다시 $V_{SS}$가 되도록 동적으로 조절한다. SRAM 셀의 소스라인 전압을 동적으로 조절하면 reverse body-bias 효과, DIBL 효과, 음의 $V_{GS}$ 효과를 이용하여 셀 어레이의 누설전류를 1/100 까지 감소시킬 수 있다. 또한 누설전류를 억제하기 위해 사용된 소스라인 드라이버를 이용하여 SRAM의 쓰기동작에서 비트라인 전압의 스윙 폭을 $V_{DD}-to-V_{SSH}$로 감소시킴으로써 SRAM의 write power를 대폭 감소시킬 수 있고 쓰기동작 중에 있는 셀들의 누설 전류 소비도 동시에 줄일 수 있다. 이를 위해 새로운 write driver를 사용하여 low-swing 쓰기동작 시 성능 감소를 최소화하였다. 누설전력 소비 감소 기법과 스위칭 전력 소비 감소 기법을 동시에 사용함으로써 제안된 SRAM은 특히 미래의 큰 누설전류가 예상되는 70-nm 이하 급 초미세 공정에서 유용할 것으로 예측된다. 70-nm 공정 파라미터를 이용해서 시뮬레이션한 결과 누설전력 소비의 93%와 스위칭 전력 소비의 43%를 줄일 수 있을 것으로 보인다. 본 논문에서 제안된 저전력 SRAM의 유용성과 신뢰성을 검증하기 위해서 $0.35-{\mu}m$ CMOS 공정에서 32x128 bit SRAM이 제작 및 측정되었다. 측정 결과 기존의 SRAM에 비해 스위칭 전력이 30% 적게 소비됨을 확인하였고 사용된 메탈 차폐 레이어로 인해서 $V_{DD}-to-V_{SSH}$ 전압이 약 1.1V 일 때까지 오류 없이 동작함을 관측하였다. 본 논문의 SRAM 스위칭 전력감소는 I/O의 bit width가 증가하면 더욱 더 중요해질 것으로 예상할 수 있다.

• Current Research on Agriculture and Life Sciences
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• 제4권
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• pp.77-86
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• 1986

재현기간(再現期間)에 따른 단시간(短時間) 강우강도특성(降雨强度特性)을 분석고찰(分析考察)하여 도시하수도(都市下水道) 및 중소유역(中小流域)의 배수계획(排水計劃)과 같은 수리구조물(水理構造物)의 설계(設計)에 필요(必要)한 최적강우강도식(最適降雨强度式)을 대구(大邱)와 포항(浦項)을 대표지점(代表地點)으로 분석(分析)한 결과(結果) 다음과 같은 결론(結論)을 얻었다. 1. 각종(各種) 확률강우강도식(確率降雨强度式) 산정(算定)에 있어서 대구(大邱)는 lwai 법(法), 포항(浦項)은 Gumbel-Chow 법(法)에 의한 결과치(結果値)를 확률강우강도(確率降雨强度)로 채택(採擇)함이 타당(妥當)하다고 생각된다. 2. 최적강우강도식(最適降雨强度式)을 유도(誘導)함에 있어서 표준편차비교결과(標準偏差比較結果) 대구(大邱)는 2.52~4.17, 포항(浦項)은 1.86~4.54로 공(共)히 Japanese 형(型) ($I=\frac{a}{\sqrt{t}+b}$)이 적합(適合)한 것으로 나타났으며, 재현기간별(再現期間別) 강우강도식(降雨强度式)은 다음과 같다. 대구(大邱) T : 200년(年) - $I=\frac{824}{\sqrt{t}+1.5414}$ T : 100년(年) - $I=\frac{751}{\sqrt{t}+1.4902}$ T : 30년(年) - $I=\frac{623}{\sqrt{t}+1.4017}$ T : 20년(年) - $I=\frac{580}{\sqrt{t}+1.3721}$ T : 10년(年) - $I=\frac{502}{\sqrt{t}+1.3145}$ T : 5년(年) - $I=\frac{418}{\sqrt{t}+1.2515$ 포항(浦項) T : 200년(年) - $I=\frac{468}{\sqrt{t}+1.1468}$ T : 100년(年) - $I=\frac{429}{\sqrt{t}+1.1605}$ T : 50년(年) - $I=\frac{391}{\sqrt{t}+1.1852}$ T : 30년(年) - $I=\frac{362}{\sqrt{t}+1.2033}$ T : 20년(年) - $I=\frac{339}{\sqrt{t}+1.2229}$ T : 10년(年) - $I=\frac{229}{\sqrt{t}+1.2578}$ T : 5년(年) - $I=\frac{257}{\sqrt{t}+1.3026}$ 3. 각(各) 지방(地方)에 따르는 재현기간별(再現期間別) 강우강도(降雨强度)를 쉽게 이용(利用)할 수 있도록 I.D.F. 상관도(相關圖)를 작성(作成)한 바 그 이용도(利用度)의 가치(價値)가 크게 있을 것으로 기대(期待)된다.