본 연구에서는 Nb2O5/SiO2 이중 버퍼층위에 ITO박막을 증착하여, SiO2버퍼층 두께 변화 (40~50 nm)에 따른 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. Nb2O5/SiO2 이중 버퍼층을 도입한 ITO박막의 표면 거칠기는 0.815에서 1.181 nm 범위의 작은 값을 가지는 매끄러운 형상을 보였고, 면저항은 99.3~134.0 Ω/sq. 범위로 정전용량식 터치스크린 패널에 적용하는데 문제가 없는 것으로 나타났다. 특히 Nb2O5 (10 nm) / SiO2 (40 nm) 이중 버퍼층을 삽입한 ITO박막의 단파장(400~500 nm) 영역에서의 평균 투과도와 색도(b*)는 83.58 % 와 0.05로 이중버퍼층이 삽입되지 않은 ITO박막의 74.46 % 와 4.28에 비해 상당히 향상된 결과를 나타내었다. 이를 통해 Nb2O5/SiO2 이중 버퍼층을 도입한 ITO박막에서 인덱스 매칭 효과로 인해 단파장 영역의 투과도 및 색도와 같은 광학적 특성이 현저히 향상되었음을 확인할 수 있었다.
GZO/ITO double layered films were deposited on unheated non-alkali glass substrates by RF magnetron sputtering using an ITO ($SnO_2$: 10 wt%) and GZO($Ga_2O_3$: 5.57 wt%) ceramic targets, respectively. The electrical resistivity of GZO/ITO films depends on the thickness ratio between the GZO film and ITO film. With increasing ITO film thickness, the resistivity of GZO/ITO films decreased which due to large increase in the Hall mobility. Also, the crystallinity of GZO/ITO film was improved with an increase in ITO thickness which was evaluated by X-ray diffraction. The average transmittance of the films was more than 85% in the visible region, which is slightly higher than ITO single layer films.
Park, Lee-Soon;Jeong, Young-Chul;Han, Yoon-Soo;Kim, Sang-Dae;Kwon, Young-Hwan
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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pp.588-591
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2004
Polyazomethine type conjugated copolymers containing phenanthridine units, poly(PZ-PTI), were synthesized by Schiff-base reaction. This new conjugated copolymer exhibited improved solubility in common organic solvents due to the presence of alkyl side chains as well as phenanthridine groups. Double layer (ITO/poly(PZ-PTI)/$Alq_3$/Mg) light emitting diode (LED) exhibited enhanced EL emission and efficiency compared to that of single layer (ITO/poly(PZ-PTI)/Mg) LED. With increasing the thickness of $Alq_3$ layer in double layer (ITO/poly(PZ-PTI)/$Alq_3$/Mg) LED the emission peak gradually shifted to the single layer (ITO/$Alq_3$/Mg) LED, confirming good hole transporting behaviour of the synthesized conjugated copolymer.
CRT의 전면에 전자파차폐, 정전기 방지 및 저반사 효과를 위해 코팅되는 $SiO_2$/ITO (Indium Tin Oxide) 이층박막의 반사특성에 관하여 연구하였다. 실리카층 및 ITO층의 두께를 변화시키며 나타나는 반사율의 경향을 고찰하고, 이론적인 2층, 3층 저반사코팅의 디자인에 적용시켜 보았다. 입자 상으로 코팅된 ITO는 두께가 증가할수록 기공에 의해 박막의 불균일성이 증가하면서 이론적인 반사모델과의 차이가 커졌다. 실리카와 ITO의 계면에 존재하는 혼합층의 영향으로 인하여 실제측정반사율은 2층으로 디자인한 이론반사율보다 $SiO_2$/$SiO_2$+ITO/ITO의 3층으로 디자인한 반사모델에 보다 잘 적용되었다. 이론적인 저반사 디자인은 근거로 $SiO_2$/ITO 박막의 두께를 90, 65 nm로 조절한 이층막은 기준파장에서 2.5%의 반사율을 나타내었고, 가시광선 영역에서 이론반사율과 유사한 거동을 보였다.
PPV(poly(p-phenylenevinylene))를 발광체로 이용한 유기 박막 EL 소자를 다양한 구조와 조건으로 제작하였으며, 그 전기-광학적 특성을 평가하였다. 제작된 EL 소자는 단층구조(ITO(indium tin oxide)PPV/Mg), 이층구조 (ITO/PVK(poly(N-vinylcarbazole))/PPV)Mg와 ITO/PPV/Polymer matrix+PBD/Mg) 그리고 삼층구조 (ITO/PVK/PPV/PS(polystyrene)+PBD(butyl-2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl-1,3,4-oxadiazole))/Mg)를 가지며, 그들의 전기광학적 특성을 상호 비교하였다. 이층구조(ITO/PPV)Polymer matrix+PBD/Mg)에서는 PMMA (poly(methyl methacrylate)), PC(polycarbonate) PS 와 MCH(side chain liquid crystalline homopolymer)를 고분자 메트릭스로 사용하였으며, 특히, PS 고분자 메트 릭스를 전자수송층으로 사용하는 경우에 전자수송제인 PBD의 농도에 따른 발광휘도 특성을 구하였다. 제작된 소자의 인가전압에 따른 전류, 휘도특성을 분석한 결과 터널링효과를 나타내었고 안정된 발광특성을 가진다는 것을 알 수 있었다.
An alternating copolymer of PPV and PTV, poly[2-methoxy-5-(3,7-dimethyl)octyloxy-1,4-phenylenevinylene-alt-2,5-thienylenevinylene] (DAPPV-PTV) has been synthesized and light-emitting properties of the polymer have been studied. A single layer EL device using DAPPV-PTV as an emitting layer between ITO and Al electrodes (ITO/DAPPV-PTV/Al) has been fabricated, and light emission of the device becomes visible at 3 V. The EL emission maximum of the device is about 620 nm. Double layer EL device using DAPPV-PTV and Alq3 (ITO/DAPPV-PTV/Alq3/Al) has also been fabricated. The double layer EL device shows two-color emission depending on the applied voltage. The device emits a pale green color from 8 V, and then the color turns to red at about 18 V.
In this study, functional transparent conducting layers were investigated for Si-based photoelectric applications. Double transparent conductive oxide (TCO) films were deposited on a Si substrate in the sequence of indium tin oxide (ITO) followed by aluminum-doped zinc oxide (AZO). First, we observed that the conductivity and transparency of AZO dominate the overall performance of the double TCO layers. Secondly, the double layered TCO film (consisting of AZO/ITO) deposited by sputtering was compared to a AZO-only film in terms of their optical and electrical properties. We prepared three different AZO films: ITO:3min/AZO:10min, ITO:5min/AZO:7min, and ITO:7min/AZO:4min. The results show that the optical properties (transmittance, absorbance, and reflection) can be controlled by the film composition. This may provide a significant pathway for the manipulation of the optical and electrical properties of photoelectric devices.
Laser direct patterning of indium tin oxide(ITO) is one of new methods of direct etching process to replace the conventional photolithography. A diode pumped Q-switched Nd:$YVO_4$ (${\lambda}$= 1,064 nm) laser was used to produce ITO electrode on various transparent oxide semiconductor films such as zinc oxide(ZnO). The laser direct etched ITO patterns on ZnO were compared with those on glass substrate and were considered in terms of the overlapping rate of laser beam. In case of the laser etching on double-layer, it was possible to obtain the higher overlapping rate of laser beam.
본 연구에서는 $Nb_2O_5/SiO_2$ 두개의 버퍼층위에 기판온도 (상온~$400^{\circ}C$) 에 따른 ITO 박막을 DC 마그네트론 스퍼터링 법으로 증착하여 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. 기판온도가 상승함에 따라 그레인 크기 증가에 기인한 결정성 향상 때문에 비저항이 낮아지는 경향을 나타내었다. 기판온도 $400^{\circ}C$ 에서 증착한 ITO 박막이 $3.03{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$ 의 비저항과 $86.6{\Omega}/sq.$의 면저항으로 가장 우수한 값을 나타내었다. 광학적 특성을 측정한 결과, 기판온도가 상승함에 따라 가시광 영역 (400~800nm) 에서의 평균 투과도는 증가하였으며 색도 ($b^*$) 값은 감소하였다. $400^{\circ}C$에서 증착한 ITO 박막의 평균 투과도와 색도 ($b^*$) 는 85.8% 와 2.13 으로 버퍼층이 삽입되지 않은 ITO 박막의 82.8% 와 4.56 에 비해 상당히 향상된 결과를 나타내었다. 이를 통해 $Nb_2O_5/SiO_2$ 두개의 버퍼층을 도입한 ITO 박막은 인덱스 매칭 효과로 인해 투과도 및 색도 ($b^*$) 등의 광학적 특성이 현저히 향상되었음을 확인할 수 있었다.
본 논문에서는 모바일용 터치 스크린에서 손가락이 닿는 부분의 좌표를 계산하여 출력하는 저전력 고속 터치 제어 회로를 설계하고 구현하였다. 시스템 클럭은 10MHz이고, 채널 수는 21개, 대기 상태 전류는 $20{\mu}A$ 이고, 다이나믹 레인지는 140pF ~ 400pF 이며, 응답 시간은 0.1ms/frame이다. 저전력을 위한 전력 관리 회로와 보드, 습도, 온도에 따른 자동 임피이던스 보정 기능과 주변 키 및 패턴 간섭 억제 기능 및 직렬 인터페이스 I2C, SPI 기능을 구현하였다. 설계된 제어 회로의 성능은 FPGA와 $0.18{\mu}m$ CMOS 표준 공정을 이용하여 측정하였다. 구현된 제어회로는 모바일 폰이나 스마트 리모트 컨트롤로에 응용할 수 있도록, 다이아몬드 형태를 이용한 2 레이어 ITO용 모듈과 원가절감을 위한 단일 레이어 ITO 모듈에 사용 가능하도록 설계하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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