• Journal of Power Electronics
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• 제18권5호
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• pp.1336-1346
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• 2018

Wide band gap semiconductor devices such as SiC MOSFETs are becoming the preferred devices for high frequency and high power density converters due to their excellent performances. However, the proportion of the switching loss that accounts for the whole inverter loss is growing along with an increase of the switching frequency. In view of the third quadrant working characteristics of a SiC MOSFET, synchronous rectification discontinuous pulse-width modulation is proposed (SRDPWM) to further reduce system losses. The SRDPWM has been analyzed in detail. Based on a frequency domain mathematical model, a quantitative mathematical analysis of the harmonic characteristic is conducted by double Fourier transform. Meanwhile, a switching loss model and a conduction loss model of inverter for SRDPWM have been built. Simulation and experimental results verify the result of the harmonic analysis of the double Fourier analysis and the accuracy of the loss models. The efficiencies of the SRDPWM and the SVPWM are compared. The result indicates that the SRDPWM has fewer losses and a higher efficiency than the SVPWM under high switching frequency and light load conditions as a result of the reduced number of switching transitions. In addition, the SRDPWM is more suitable for SiC MOSFET converters.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제31권3호
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• pp.165-170
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• 2018

In this study, double-layered TCO (transparent conductive oxide) films were produced by depositing two distinct TCO materials: $SnO_2$ works as an n-type layer and ITO (indium-doped tin oxide) serves as a transparent conductor. Both transparent conductive oxide-films were sequentially deposited by sputtering. The electrical and optical properties of single-layered TCO films ($SnO_2$) and double-layered TCO ($ITO/SnO_2$) films were investigated. A TCO-embedding photodetector was realized through the formation of an $ITO/SnO_2/p-Si/Al$ layered structure. The remarkably high rectifying ratio of 400.64 was achieved with the double-layered TCO device, compared to 1.72 with the single-layered TCO device. This result was attributed to the enhanced electrical properties of the double-layered TCO device. With respect to the photoresponses, the photocurrent of the double-layered TCO photodetector was significantly improved: 1,500% of that of the single-layered TCO device. This study suggests that, due to the electrical and optical benefits, double-layered TCO films are effective for enhancing the photoresponses of TCO photodetectors. This provides a useful approach for the design of photoelectric devices, including solar cells and photosensors.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제11권5호
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• pp.1608-1615
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• 2010

본 논문에서, 우리는 스캐터넷에서 저속 데이터 전송을 극복하기 위한 더블피코(Double Pico) 방안을 제서히 였다. 이는 고속 전송을 위한 새로운 애드혹 네트워크 토폴로지를 필요로 한다. 모든 노드는 릴레이 장비를 위해 기능을 동작한다. 더블 피코는 서로 다른 피코넷을 형성하는 두 블루투스 장비를 가지고 있다 모든 노드는 서로 다른 피코넷에서 링크를 만들 수 있다. 서로 다른 두 피코넷은 두 개의 블루투스 장비의 링크에의해 하나의 노드로 링크되며, 따라서 애드혹 망을 구성하게 된다. 본 논문에서는 최대 전송 속도 475kbps를 지원하는 더블 피코 방안을 제시하였다. 이 방안은 일반적인 블루투스 스펙과 시뮬레이션 결과와 비교하여 전통적인 블루투스 애드혹 토폴로지보다 보다 빠른 속도를 지원한다. 특히 본 논문에서는 PER에서의 간섭 효과, 성능 분석과 더블 피코하에서의 SAW(Stop and Wait)-ARQ 성능 향상에 초점을 두었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.345-346
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• 2008

We have studied an emission spectra of top-emssion organic light-emitting diodes(TEOLED) due to a change of cathode and organic layer thickness. Device structure is Al(100nm)/TPD(xnm)/$Alq_3$(ynm)/LiF(0.5nm)/cathode. And two different types of cathode were used; one is LiF(0.5nm)/Al(25nm) and the other is LiF(0.5nm)/Al(2nm)/Ag(30nm). While a thickness of hole-transport layer of TPD was varied from 35 to 65nm, an emissive layer thickness of $Alq_3$ was varied from 50 to 100nm for two devices. A ratio of those two layer was kept to be about 2:3. Al and Al/Ag double layer cathode devices show that the emission spectra were changed from 490nm to 560nm and from 490nm to 560nm, respectively, when the total organic layer increase. Full width at half maximum was changed from 67nm to 49nm and from 90nm to 35nm as the organic layer thickness increases. All devices show that view angle dependent emission spectra show a blue shift. Blue shift is strong when the organic layer thickness is more than 140nm. Devece with Al/Ag double layer cathode is more vivid.

• 센서학회지
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• 제7권2호
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• pp.97-102
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• 1998

PPV(poly(p-phenylenevinylene))를 발광체로 이용한 유기 박막 EL 소자를 다양한 구조와 조건으로 제작하였으며, 그 전기-광학적 특성을 평가하였다. 제작된 EL 소자는 단층구조(ITO(indium tin oxide)PPV/Mg), 이층구조 (ITO/PVK(poly(N-vinylcarbazole))/PPV)Mg와 ITO/PPV/Polymer matrix+PBD/Mg) 그리고 삼층구조 (ITO/PVK/PPV/PS(polystyrene)+PBD(butyl-2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl-1,3,4-oxadiazole))/Mg)를 가지며, 그들의 전기광학적 특성을 상호 비교하였다. 이층구조(ITO/PPV)Polymer matrix+PBD/Mg)에서는 PMMA (poly(methyl methacrylate)), PC(polycarbonate) PS 와 MCH(side chain liquid crystalline homopolymer)를 고분자 메트릭스로 사용하였으며, 특히, PS 고분자 메트 릭스를 전자수송층으로 사용하는 경우에 전자수송제인 PBD의 농도에 따른 발광휘도 특성을 구하였다. 제작된 소자의 인가전압에 따른 전류, 휘도특성을 분석한 결과 터널링효과를 나타내었고 안정된 발광특성을 가진다는 것을 알 수 있었다.

• 센서학회지
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• 제8권2호
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• pp.177-183
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• 1999

동일한 발광기능기를 가진 고분자물질, PU-BCN과 저분자물질 D-BCN은 다양한 구조의 EL소자에서 평가되었다. 발광기능기의 분자구조는 전자주입과 수송을 위한 두 개의 시아노기와 정공주입과 수송을 위한 두 개의 triphenylamin기로 구성된다. 두 개의 다른 종류의 물질인 PU-BCN과 D-BCN을 사용하여 다양한 종류의 EL소자가 만들어 졌는데 소자의 종류로는 Indium-tin oxide(ITO)/PU-BCN or D-BCN/MgAg 로 구성된 단층형 소자(SL) 그리고 ITO/PU-BCN or D-BCN/oxadiazole derivative/MgAg로 구성된 적층형 소자(DL-E) 그리고 OTO/triphenylamine derivative/D-BCN/MgAg 로 구성된 적층형 소자(DL-H)이다. 두종류의 물질, PU-BCN과 D-BCN은 높은 전류밀도에서 동일한 발광특성을 보였으며 단층형자에서 조차 뛰어난 EL특성을 보였다. 최대 EL 피이크는 약 640 nm 의 적색발광을 나타냈으며 형광 피이크와 일치했다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권1호
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• pp.8-22
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• 2014

In the past few decades, CMOS logic technologies and devices have been successfully developed with the steady miniaturization of the feature size. At the sub-30-nm CMOS technology nodes, one of the main hurdles for continuously and successfully scaling down CMOS devices is the parametric failure caused by random variations such as line edge roughness (LER), random dopant fluctuation (RDF), and work-function variation (WFV). The characteristics of each random variation source and its effect on advanced device structures such as multigate and ultra-thin-body devices (vs. conventional planar bulk MOSFET) are discussed in detail. Further, suggested are suppression methods for the LER-, RDF-, and WFV-induced threshold voltage (VTH) variations in advanced CMOS logic technologies including the double-patterning and double-etching (2P2E) technique and in advanced device structures including the fully depleted silicon-on-insulator (FD-SOI) MOSFET and FinFET/tri-gate MOSFET at the sub-30-nm nodes. The segmented-channel MOSFET (SegFET) and junctionless transistor (JLT) that can suppress the random variations and the SegFET-/JLT-based static random access memory (SRAM) cell that enhance the read and write margins at a time, though generally with a trade-off between the read and the write margins, are introduced.

• Advances in Energy Research
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• 제5권4호
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• pp.289-304
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• 2017

Large glazed surfaces and windows become common features in modern buildings. The spread of these features was influenced by the dependence of designers on mechanical and artificial systems to provide occupants with thermal and visual comfort. Countries with hot summer and cold winter conditions, like Jordan, require maximum shading from solar radiation in summer, and maximum exposure in winter to reduce cooling and heating loads respectively. The current research aims at designing optimized double-positioned external shading device systems that help to reduce energy consumption in buildings and provide thermal and visual comfort during both hot and cold seasons. Using energy plus, a whole building energy simulation program, and radiance, Lighting Simulation Tool, with DesignBuilder interface, a series of computer simulations for energy consumption and daylighting performance were conducted for offices with south, east, or west windows. The research was based on comparison to determine the best fit characteristics for two positions of adjustable horizontal louvers on south facade or vertical fins on east and west facades for summer and winter conditions. The adjustable shading systems can be applied for new or retrofitted office or housing buildings. The optimized shading devices for summer and winter positions helped to reduce the net annual energy consumption compared to a base case space with no shading device or with curtains and compared to fix shading devices.

• 대한의용생체공학회:의공학회지
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• 제25권6호
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• pp.471-478
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• 2004

근육의 수의 수축에 의해 발생하는 근전도 신호는 다른 생체 신호보다는 비교적 출력 특성이 뛰어나기 때문에 많은 재활 시스템에 적용되고 있다. 본 논문에서는 상지 절단 환자 혹은 경추 손상에 의한 마비 환자를 위한 근전도 기반의 휴먼-컴퓨터 인터페이스를 제안한다. 사용자는 독립적으로 수의 수축이 가능한 두 근육 부위를 각기 혹은 동시에 움직임으로써 최대 4가지의 의도를 표현할 수 있다. 근육의 수축 정도는 근전도 진폭 신호의 절대 평균값과 미리 정해둔 문턱치를 비교하여 인식한다. 그러나 사용자가 동시에 두 근육을 수축하고자 할지라도 각각의 근육 발화 시점에 따른 시간차가 발생할 수 있기 때문에, 단순한 비교 방법으로는 동시 수의 수축에 관한 사용자의 의도를 정확하게 인식하기 어렵다. 따라서 근육의 수의 수축의 인식에 필요한 문턱치를 주 문턱치와 보조 문턱치의 이중 문턱치를 갖는 인식 방법을 제안한다. 이중 문턱치 인식 방법에 의해 두 근육이 동시에 수의 수축할 때에도 정확한 인식이 가능하므로, 각기 하나의 근육 수축 상태만을 인식하는 HCI보다도 많은 수의 인터페이스 명령을 생성할 수 있다. 구현한 실시간 근전도 처리 하드웨어를 이용하여, 정상인과 전완 절단 장애자에 대한 실험으로부터 본 논문에서 제안하는 이중 문턱치를 이용한 인식방법이 관전 의수와 전동 휠체어 제어용 HCI에 적용될 수 있음을 보인다.

• 한국융합학회논문지
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• 제8권7호
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• pp.15-21
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• 2017

최근 4차 산업 혁명이 사회적으로 대두되면서 IoT 관련 제품에 대한 사용자들의 관심이 증가하고 있다. IoT 장치에 사용되고 있는 센서의 종류와 기능은 점점 다양화되고 있어 IoT 장치의 상호 인증 기술이 요구되고 있다. 본 논문에서는 서로 다른 종류의 IoT 장치들이 서로 상호 연계하여 원활하게 동작될 수 있도록 파스칼 삼각형 이론을 이용한 효율적인 이중 서명 인증 키 설립 기법을 제안한다. 제안 기법은 IoT 장치간 인증 경로를 2개(주경로와 보조 경로)로 구분하여 IoT 장치의 인증 및 무결성을 보장한다. 또한, 제안 기법은 IoT 장치를 인증할 때 추가적인 암호 알고리즘이 필요하지 않도록 키를 생성하기 때문에 적은 용량을 필요로 하는 IoT 장치에 적합하다. 성능 평가 결과, 제안 기법은 IoT 장치의 지연시간을 기존 기법보다 6.9% 향상되었고, 오버헤드는 기존 기법보다 11.1% 낮은 결과를 얻었다. IoT 장치의 인증 처리율은 기존 기법보다 평균 12.5% 향상되었다.