A Study on Characteristics of Si doped 3 inch GaAs Epitaxial Layer Grown by MBE for LSI Application (LSI급 소자 제작을 위한 3인치 GaAs MBE 에피택셜 기판의 균일도 특성 연구)
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- Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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- v.31A no.7
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- pp.76-84
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- 1994