• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제5회(2016년)
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• pp.347-349
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• 2016

본 논문에서는 dopant density에 의존적인 pn junction의 breakdown 특성을 향상시키기 위하여, doping density와 doping profile에 대하여 분석했다. Doping density와 doping profile은 역방향 junction breakdown voltage를 결정하는 중요한 요소인 공핍영역의 두께와 공핍영역 내에 인가되는 electric field를 결정한다. Uniform doping profile과 Gaussian doping profile을 비교했고, 고전압 환경에서 사용할 수 있는 소자를 제작하는데 더욱 적절한 doping profile과 doping 농도에 대해 기술했다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제28권5호
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• pp.171-177
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• 2023

본 연구는 다양한 이론적 접근을 통해 진행되어왔던 선행연구들을 바탕으로 국내 엘리트 선수들의 도핑 의도에 영향을 미치는 요인들을 파악하기 위해 단계적 회귀분석을 활용하여 운동경력 및 도핑교육 경험과 같은 인구통계학적 요인들과 통제적 동기, 도핑방지에 대한 태도 및 행동통제인식 요인과 도핑 의도의 관계를 규명함으로써 도핑방지에 중요한 정보를 제공하는데 목적이 있다. 연구의 목적을 달성하기 위해 SPSS 27.0 ver을 사용하여 분석하였다. 상관분석과 단계선택 회귀분석 사용하여 도출된 연구결과는 다음과 같다. 운동경력, 도핑 교육 경험 유·무, 통제적 동기, 도핑방지에 대한 태도 및 행동통제인식 요인 모두 도핑의도에 유의한 영향을 미치는 것으로 확인되었으며 이 중 영향력이 가장 큰 변인들을 각 순서대로 투입하여 유의한 영향이 있는지 검증하였다. 검증 결과 통제 동기가 가장 큰 영향을 미치는 것으로 나타났다. 다음으로는 도핑에 대한 행동통제인식, 도핑 교육 경험 유·무, 도핑에 대한 태도, 운동경력 순서대로 영향을 미치는 것을 확인하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
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• pp.303-306
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• 2005

We report the self-aligned low temperature poly silicon (LTPS) TFT process using simple doping process. In conventional LTPS-TFT, the Lightly Doped Drain (LDD) doping and source/drain doping are processed separately by aligning the gate with the source and drain during the gate lithography step. This ne w process not only fabricates fully self-aligned low temperature poly silicon TFTs with symmetric LDD structure but also simplifies the process flow with combined source/drain doping and LDD doping in one step. LDD doping process can be achieved using only source/drain doping process according to the new structure. In this paper, the TFT characteristics of NMOS and PMOS using the new doping process will be discussed.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제33권3호
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• pp.763-769
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• 2012

We investigated the width (N) dependence on the magnetization of N-ZSiC NR with electron and hole doping on the basis of systematic DFT calculations. The critical values of the upper and down critical concentration to give the maximum and zero magnetic moment at edge Si/C atoms by electron/hole doping ($x_{up,e}$, $x_{down,e}$, $x_{up,h}$, and $x_{down,h}$) depend on the width of N-ZSiC NR. Moreover, due to $x_{up,e}\;{\neq}\;x_{up,h}$ and $x_{down,e}\;{\neq}\;x_{down,h}$, the electron and hole doping effect are asymmetry, i.e, the critical electron doping value ($x_{down,e}$) is smaller than the critical hole doping value ($x_{down,h}$) and is almost independent of the width of NZSiC NR though the other critical values of the electron and hole doping that influence the magnetization of N-ZSiC NR depend on the width. It was also found that at $x_{down,e}$ or $x_{down,h}$ doping, the N-ZSiC NR turns into unusual non-magnetic metallic state. The magnetic behavior was discussed based on the band structures and projected density of states (PDOS) under the effect of electron/hole doping.

• 디지털융복합연구
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• 제16권3호
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• pp.553-560
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• 2018

본 연구는 국내 엘리트 핸드볼 선수들을 대상으로 도핑에 대한 태도를 조사하고, 인구통계학적 특성, 도핑에 대한 정보 및 반도핑 교육 경험이 도핑에 대한 태도에 어떠한 영향을 미치는지를 확인하고자 하였다. 핸드볼 선수 358명 (청소년 선수 193명, 성인 선수 165명)을 대상으로 자가기입 설문지를 통해 나이, 성별, 운동경력 등의 인구통계학적 특성과 도핑에 대한 정보 습득 여부 및 반도핑 교육 경험 여부를 조사하였고, 이와 함께 Performance Enhancement Attitude Scale (PEAS) 설문지를 사용하여 도핑에 대한 태도를 조사하였으며, 수집된 자료는 단계적 다중 회귀분석을 통해 인구통계학적 특성, 도핑에 대한 정보 및 반도핑 교육 경험이 도핑에 대한 태도에 미치는 영향을 확인하였다. 그 결과, 성인 선수가 청소년 선수보다 도핑에 대해 더 관대한 태도를 보였고, 청소년 선수는 성별과 나이가 도핑에 대한 태도에 영향을 미치는 것으로 확인되었으며, 성인 선수는 성별이 도핑에 대한 태도에 영향을 미치는 것으로 확인되었다. 이러한 결과는 핸드볼 종목의 선수를 위한 반도핑 전략 마련에 유용한 정보가 될 것으로 생각된다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제10권4호
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• pp.61-64
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• 2011

In order to grow the crystalline solar cells industry continuously, development of alternate low-cost manufacturing processes is required. Plasma doping system is the technique for introducing dopants into semiconductor wafers in CMOS devices. In photovoltaics, plasma doping system could be an interesting alternative to thermal furnace diffusion processes. In this paper, plasma doping system was applied for phosphorus doping in crystalline solar cells. The Plasma doping was carried out in 1~4 KV bias voltages for four minutes. For removing surface damage and formation of pn junction, annealing steps were carried out in the range of $800{\sim}900^{\circ}C$ with $O_2$ ambient using thermal furnace. The junction depth in about $0.35{\sim}0.6{\mu}m$ range have been achieved and the doping profiles were very similar to emitter by thermal diffusion. So, It could be confirmed that plasma doping technique can be used for emitter formation in crystalline solar cells.

• 한국환경독성학회:학술대회논문집
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• 한국환경독성학회 1996년도 제19회정기학술대회(The 19th Symposium of the Korean Society of Environmental Toxicology)
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• pp.62-62
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• 1996

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.628-628
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• 2013

Graphene, a single layer of graphite, has raised extensive interest in a wide scientific community for its extraordinary thermal, mechanical, electrical and other properties [1,2]. However, because of zero-band gap of graphene, it is difficult to apply for electronic applications. To overcome this problem, chemical doping is one of way to opening grahene bandgap. According to experimental results, by changing doping concentration and doping time, it is possible to control work function of graphene. We can obtain results through raman spectroscopy, UPS, Sheet resistance. Moreover, electronic properties of doped graphene were studied by making field effect transistors. We were able to control the doping concentration, dirac point of graphene and work function of graphene by formng n-type, p-type doping materials. In this research, the chemicals of diazonium salts, viologen, etc. were used for extrinsic doping.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권5호
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• pp.126-133
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• 1994

Doping effects and semiconductor behaviors of the dispersed p- and n-Si, p- and n- GaAs particles in the aqueous electrolyte have been studied using microelectrophoretic, voltammetric and chronoamperometric techniques. The cations (K$^{+}$) are adsorbed on both the p- and n- Si particle surfaces regardless of the sign of space charges in the depletion layers, i.e. doping profiles. The surface states are negatively charged acceptor states. On the other hand, the anions (CI$^{-}$) are adsorbed on both the p- and n- GaAs particle surfaces regardless of the sign of space charges in the depletion layers, i.e. doping profiles. The surface states are positively charged donor states. Under the same conditions, electrophoretic mobilities, electrochemical processes, doping effects and related semiconductor behaviors of the Si and the GaAs particles are similar regardless of the doping profiles, i. e. dopants and doping concentrations. The doping effects and related semiconductor behaviors of the dispersed p- and n- type semiconductor particles are gradually lost with decreasing dimensions.

• 한국표면공학회지
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• 제48권4호
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• pp.163-168
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• 2015

Graphene has attracted much attention due to its remarkable physical properties and potential applications in many fields. In special, the electronic properties of graphene are influenced by the number of layer, stacking sequence, edge state, and doping of foreign elements. Recently, many efforts have been dedicated to alter the electronic properties by doping of various species, such as hydrogen, oxygen, nitrogen, ammonia and etc. Here, we report our recent results of plasma doping on graphene. We prepared mechanically exfoliated graphene, and performed the plasma treatment using ammonia gas for nitrogen doping. The direct-current plasma system was used for plasma ignition. The doping level was estimated from the number of peak shift of G-band in Raman spectra. The upshift of G-band was observed after ammonia plasma treatment, which implies electron doping to graphene.