• 제목/요약/키워드: Distributed Bragg reflector (DBR) laser

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파장가변 Sampled-grating Distributed Bragg Reflector (SG-DBR) 레이저 다이오드 제작 (Fabrication and Characteristics of Tunable Butt-Coupled Sampled-grating Distributed Bragg Reflector (SG-DBR) Laser Diodes)

  • 이지면;오수환;고현성;박문호
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제17권1호
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    • pp.16-20
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    • 2004
  • We present the fabrication and performance of wavelength tunable butt coupled (BT) sampled-grating (SG) distributed bragg reflector (DBR) - planar buried heterostructure (PBH) laser diodes (LD). The fabricated LD showed the high optical output power due to the high coupling efficiency between active and passive components by the BT coupling methods. The series resistance and diode ideality factor of LD were measured to be 3.7 $\Omega$ and 1.35, respectively. The average threshold current was 25 ㎃. The output powers of BT-SG DBR-PBH-LD were obtained to be as high as 12.3 and 24.56 ㎽ at 100 and 200 ㎃, respectively. The maximum wavelength tuning range was about 31 nm and the side mode suppression ratio was about 37 dB.

In-line Dual-Mode DBR Laser Diode for Terahertz Wave Source

  • Chung, Youngchul
    • Current Optics and Photonics
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    • 제4권6호
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    • pp.461-465
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    • 2020
  • A dual-mode laser terahertz source consisting of two in-line distributed Bragg reflector (DBR) laser diodes (LD) is proposed. It is less susceptible to residual reflections from facets than an in-line dual-mode distributed feedback (DFB) LD. The characteristics of the proposed terahertz source are theoretically investigated using a split-step time-domain simulation. It is shown that terahertz waves of frequencies from 385 GHz to 1725 GHz can be generated by appropriate thermal tuning of two DBR LDs. The dual-mode DBR LD terahertz source exhibits good spectral quality for residual facet reflectivity below 0.02, but facet reflectivity of the in-line dual-mode DFB LD terahertz source should be below 0.002 to provide similar spectral quality.

Electroabsorption modulator-integrated distributed Bragg reflector laser diode for C-band WDM-based networks

  • Oh-Kee Kwon;Chul-Wook Lee;Ki-Soo Kim
    • ETRI Journal
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    • 제45권1호
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    • pp.163-170
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    • 2023
  • We report an electroabsorption modulator (EAM)-integrated distributed Bragg reflector laser diode (DBR-LD) capable of supporting a high data rate and a wide wavelength tuning. The DBR-LD contains two tuning elements, plasma and heater tunings, both of which are implemented in the DBR section, which have blue-shift and red-shift in the Bragg wavelength through a current injection, respectively. The light created from the DBR-LD is intensity-modulated through the EAM voltage, which is integrated monolithically with the DBRLD using a butt-joint coupling method. The fabricated chip shows a threshold current of approximately 8 mA, tuning range of greater than 30 nm, and static extinction ratio of higher than 20 dB while maintaining a side mode suppression ratio of greater than 40 dB under a window of 1550 nm. To evaluate its modulation properties, the chip was bonded onto a mount including a radiofrequency line and a load resistor showing clear eye openings at data rates of 25 Gb/s nonreturn-to-zero and 50 Gb/s pulse amplitude modulation 4-level, respectively.

A Four-Channel Laser Array with Four 10 Gbps Monolithic EAMs Each Integrated with a DBR Laser

  • Sim, Jae-Sik;Kim, Sung-Bock;Kwon, Yong-Hwan;Baek, Yong-Soon;Ryu, Sang-Wan
    • ETRI Journal
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    • 제28권4호
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    • pp.533-536
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    • 2006
  • A distributed Bragg reflector (DBR) laser and a high speed electroabsorption modulator (EAM) are integrated on the basis of the selective area growth technique. The typical threshold current is 4 to 6 mA, and the side mode suppression ratio is over 40 dB with single mode operation at 1550 nm. The DBR laser exhibits 2.5 to 3.3 mW fiber output power at a laser gain current of 100 mA, and a modulator bias voltage of 0 V. The 3 dB bandwidth is 13 GHz. A 10 Gbps non-return to zero operation with 12 dB extinction ratio is obtained. A four-channel laser array with 100 GHz wavelength spacing was fabricated and its operation at the designed wavelength was confirmed.

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넓은 파장 가변영역을 가지는 반도체 레이저를 위한 Nonlinearly Chirped Grating의 설계 (Design of the nonlinearly chirped grating for broadly tunable semiconductor lasers)

  • 김덕봉;최안식;윤태훈;김재창;김선호
    • 한국광학회지
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    • 제7권4호
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    • pp.370-374
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    • 1996
  • Superstructure Grating Distributed-Bragg Reflector(SSG DBR) 레이저는 비교적 높은 Mode Suppression Ratio(MSR)을 가지면서 넓은 파장 대에서 불연속 파장가변 특성을 가진다. 그러나 SSG DBR 레이저는 출력파장을 가변 시킬 때 파장가변 영역을 구성하는 채널 중 몇 개가 빠지는 현상이 실험을 통해 관찰되어 왔다. 우리는 수치해석적인 시뮬레이션을 통해 이 현상이 SSG DBR 거울을 구성하는 linearly chirped grating의 불균일한 반사 피크 높이에 의한 영향임을 발견했고 반사율 피크 높이를 거의 균일하게 만들 수 있는 nonlinearly chirped grating을 제안한다. 그리고 이 거울을 가지는 파장 가변 레이저가 채널의 손실 없이 넓은 파장가변 영역에서 동작하는 것을 확인했다. 그러므로 nonlinearly chirped grating을 가지는 DBR 거울은 넓은 파장가변 영역을 가지는 가변 레이저에 적용할 수 있다.

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도파로 결합 구조에 따른 DBR-LD의 동작특성 (The Operating Characteristics of DBR-LD with Wavegudies Coupling Structure)

  • 오수환;박문호
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제40권9호
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    • pp.666-672
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    • 2003
  • 본 논문에서는 광의 결합 메커니즘이 다른 ITG(integrated-twin-guide) 와 BT(butt coupled) 구조를 가지는 두 종류의 파장 가변 DBR-LD의 제작공정과 성능에 대해서 기술하였다. 두 종류의 DBR-LD는 PBH(planar buried heterostructure) 구조론 가지며, MOVPE 성장으로 제작하였다. 제작된 DBR-LD 광출력 특성을 측정한 결과 BT-DBR-LD가 ITG-DBR-LD보다 임계전류 변화폭, 광출력 변화 폭, 기울기 효율에서 2배 이상의 우수한 특성을 나타내었다. 그리고, 준 연속 파장 가변 특성은 BT-DBR-LD가 7.2nm, ITG-DBR-LD가 7.4nm 이며, SMSR이 35dB 이상으로 우수하게 나타났다. 이와 같이 BT DBR-LD가 특성이 우수한 것은 BT 구조가 ITG 구조보다 높은 결합 효율을 나타내기 때문이다.

연산자 분리 방법을 통한 DFB/DBR 레이저 다이오드의 효율적인 시영역 동적 모델링 (An Efficient Split-Step Time-Domain Dynamic Modeling of DFB/DBR Laser Diodes)

  • 김병성;정영철
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제37권7호
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    • pp.17-28
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    • 2000
  • DFB(Distributed Feedback) 및 DBR(Distributed Bragg Reflector) 레이저 다이오드의 모델링에 많이 사용되는 시간 변수가 있는 결합 파동 방정식의 수치해를 효율적으로 구할 수 있는 새로운 방법을 제안 하였다. 이 방법에서는 결합 파동 방정식을 두 세트의 방정식으로 분리하여 해석한다. 한 세트의 방정식들에는 위상 인자 및 이득 인자만 포함되고, 다른 한 세트의 방정식에는 결합항만이 포함된다. 본 논문에서 SS-TDM(Split-Step Time Domain Model)이라고 명명한 새로운 수치해석법은 기존의 방법에 비하여 매시간 스텝당 계산 시간은 비슷한 반면에 분할 구간의 수가 10배 이상 적게 하여도 정확한 결과를 얻을 수 있음을 확인하였다.

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U형 Sampled Grating DBR 레이저 다이오드의 설계 및 분석 (Design and Analysis of U-shaped Sampled Grating Distributed Bragg Reflector Lasers)

  • 김경래;정영철
    • 한국광학회지
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    • 제28권5호
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    • pp.229-235
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    • 2017
  • U형 구조의 SGDBR (Sampled Grating Distributed Bragg Reflector) 레이저 다이오드를 설계하고, 시간 영역 시뮬레이션 방법으로 해석하였다. U형 구조의 SGDBR 레이저 다이오드는 SGDBR, 능동, 수동, TIR (Total Internal Reflection) 거울 영역들로 이루어져 있어서, 각 영역들 간의 결합 손실의 영향을 면밀히 고려하여야 한다. 설계된 U형 SGDBR 레이저 다이오드의 파장 가변범위는 1525 nm에서부터 1570 nm로서 시뮬레이션을 통하여 확인하였다. 설계 튜닝 범위에서 완전한 레이저 다이오드 특성을 얻기 위해서는, 미러 영역에서의 손실은 약 2 dB 이하이고, 능동 및 수동 영역 간 butt 결합에서의 매질 간 굴절률 차이는 0.1 이하를 유지하도록 도파 구조가 설계되어야 한다.

GSMBE에 의한 단파장 GaInP/AIInP DBR 반도체 레이저 제작 및 특성 (The 607nm GaInP/AlInP Distributed Bragg Reflector Visible Laser Grown by Gas source Molecular Beam)

  • 장동훈;유지범
    • 전자공학회논문지A
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    • 제30A권9호
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    • pp.24-29
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    • 1993
  • The 607 nm GaInP/AlInP distributed bragg reflector (DBR) lasers using the second order gratings period of 184.7 nm were fabricated by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) and the conventional holographic method. GaInP/AlInP DBR lasers show single mode operations up to 1.8 times the threshold currents with a wavelength of 607 nm at 140 K and a wavelength shift of 0.033 nm/K is observed. No mode hopping was found in the temperature ranging from 120 to 165K.

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