Diamond-like carbon (DLC) has many outstanding properties such as low friction, high wear resistance and corrosion resistance. However, it is difficult to achieve enough adhesion on the metal substrates because of weak bonding between DLC film and the metal substrate. The purpose of this study is to enhance an adhesion of DLC film. For improving adhesion, the substrate was treated by active screen plasma nitriding before DLC film deposing. Nitrided substrates were investigated by Glow Discharge Spectrometer (GDS), Micro-Vickers Hardness. DLC films were deposited on several metals by linear ion source, and characteristics of the films were investigated using nano-indentation, Field Emission Scanning Electron Microscope (FESEM). The adhesion was measured by scratch tester. The adhesion of DLC films was increased when nitriding layer was formed before DLC deposition. Therefore, the adhesion of DLC film can be enhanced as increasing the hardness of materials.
The effects of the evaporation rate of MgO films using an electron beam on the MgO properties and the discharge characteristics of a plasma display panel (PDP) were investigated and analyzed. MgO films were deposited with the various MgO evaporation rates. The MgO properties such as the crystal orientation, the surface roughness, and the film structure were inspected using XRD (X-ray diffraction), AFM (atomic force microscopy). From the experiments and Paschen law, the maximum value of the secondary electron emission coefficient $({\gamma})$ was obtained at the evaporation rate of $5{\AA}/sec$. The XRD results and cathode-luminescence (CL) spectra show the ${\gamma}$ values are correlated with F/F+ centers of the molecular structure of MgO films. The minimum firing voltage and the maximum luminous efficiency were obtained at an evaporation rate of $5{\AA}/sec$. In the MgO film deposited at $5{\AA}/sec$, the (200) orientation and F+ center were most intensive.
The thin film that is electrically conductive and optically transparent is called conductive transparent thin film. ITO(Indium-Tin Oxide) which is a kind of conductive transparent thin film has been widely used in solar cell, transparent electrical heater, selective optical filter, FDP(Flat Display Panel) such as LCD (Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) and so on. Especially in PDP, ITO films is used as a transparent electrode in order to maintain discharge and decrease consumption power through the improvement of cell structure. In this study, we prepared ITO by reactive r.f. sputtering with indium-tin(Sn wt 10%) alloy target instead of indium-tin oxide target. The ITO films deposited at low temperature $150^{\circ}C$ and 8% $O_2$ partial pressure showed about $3.6{\Omega}/{\square}$. At the end of firing, the resistance of ITO was decreased, the optical transparence was improved above 90%.
Rare earth (RE) - transition metal based high energy density magnets are of immense significance in various engineering applications. $Nd_2Fe_{14}B$ magnets possess the highest energy product and are widely used in whole industries. Simultaneously, composite alloys that are cheap, cost effective and strong commercially available have drawn great attention, because rare-earth metals are costly, less abundant and strategic shortage. We designed rare-earth free alloys and fabrication process and developed novel route to prepare $Nd_2Fe_{14}B$ powders by wet process employing spray drying and reduction-diffusion (R-D) without the use of high purity metals as raw material. MnAl-base permanent magnetic powders are potentially important material for rare-earth free magnets. We have prepared the nano-sized MnAl powders by plasma arc discharge and micron-sized MnAl powders by gas atomization. They showed good magnetic property, compared with that from conventional processes. $Nd_2Fe_{14}B$ powders with high coercivity of more than 10 kOe were successfully synthesized by adjusting R-D step, followed by precise washing system. It is considered that this process can be applied for the recycling of RE-elements extracted from ewaste including motors.
Effects of the evaporation rate of MgO films using electron beam were investigated on the MgO properties and the discharge characteristics of the plasma display panel (PDP). The evaporation rate was changed from $3{\AA}$/sec to $15{\AA}$/sec at a substrate temperature of $300^{\circ}C$. MgO properties such as crystal orientation, surface roughness, contact angle, and film structure were inspected using XPS, AFM, drop shape analysis and SEM. We also studied the relation between MgO properties and PDP discharging characteristics. The minimum firing voltage and maximum efficacy were obtained at evaporation rate of $5{\AA}$/sec. In the MgO film deposited at $5{\AA}$/sec, (200) orientation was most intensive and surface roughness was minimum.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.687-690
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2009
It has been recently reported that nano-sized MgO single crystal powders emit ultraviolet by stimulation of electrons under vacuum condition. Therefore, in this study, nano-crystalline MgO powders were applied to a xenon plasma flat fluorescent lamp for LCD backlight to improve emission efficiency of the lamp by help of extra ultraviolet from nano-MgO. For comparison with nano-crystalline MgO powders, MgO nano-thin film was applied directly on phosphors inside a lamp panel through e-beam evaporation The luminance and efficiency of FFL with an addition of MgO nano-crystal powders on phosphors were improved by around 20%. Application of MgO thin film to phosphors worsened the emission characteristics of FFLs, even rather than FFL without MgO. The reason came from insufficient stimulation of phosphors by UV, crystallinity of MgO, and low secondary electron coefficient.
In this paper, the effect of $O_2$ concentration on NO removal and $NO_2$ generation by corona discharge from simulated flue gas was measured and estimated for the wire-plate reactor. $NO_2$ removal rate was 0$\sim$30[%] under about 3.4[%] of oxygen concentration, however, it was difficult to remove NOx over 3.4[%] of oxygen concentration. It may be due to generate $NO_2$ from $N_2$ and $O_2$ molecules and converse NO to $NO_2$ by 0 and $O_3$. Magnetic field applied to electric field in plasma was very effective for NOx removal under 2[%] of $O_2$ concentration.
The effects of $Fe_2O_3$ addition on optical and electrical properties of MgO films as a protective layer for AC plasma display panels were investigated. Doped MgO films prepared by the e-beam evaporation have a higher ${\gamma}$ (secondary electron emission coefficient) than pure MgO protective layer. Roughness increased with amount of $Fe_2O_3$ up to 100 ppm and then decreased further addition. These results showed that discharge properties and optical properties of MgO protective layers seemed to be closely related with microstructure factors such as roughness. Good optical and electrical properties of ${\gamma}$ of 0.120, surface roughness of 14.1 nm and optical transmittance of 94.55% were obtained for the MgO + 100 ppm $Fe_2O_3$ protective layer sintered at $1700^{\circ}C$ for 5 hrs.
본 연구에서는 플라즈마 중합 반응의 기판 재질과 전극 위치에 대한 의존성을 규명 하기 위해서 Ar방전의 발광 분석을 행하였으며 제작된 박막의 가교성을 확인하기 위해서 전자빔 노광을 시켜보았다. 기판의 재질이 도체 및 절연체인 양자의 경우를 비교해 보면 전 자는 후자에 비해서 전체적으로 발광 스펙트럼의 피이크 강도가 크게 나타났으며, 준안정상 태에 대한 피이크와 이온에 대한 피이크를 검토한 결과, 기판이 절연물일 때는 전극의 위치 를 멀게 할수록 이온의 피이크 강도가 극단까지 떨어짐을 알 수 있었다. 제작된 중합스티렌 박막을 통하여 발광 스펙트럼의 변화에 따라서 막의 가교성 변화가 생기는 것을 알 수 있었 으며 이 막을 전자빔에 노광하였을 때, 기판이 절연물인 경우에는 패턴을 제작하는 것이 가 능하였다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제5권1호
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pp.11-14
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2004
An rf triode magnetron sputtering system is designed and installed its construction in vacuum chamber. In order to calibrate the rf triode magnetron sputtering for thin films deposition processes, the effects of different glow discharge conditions were investigated in terms of the deposition rate measurements. The basic parameters for calibrating experiment in this sputtering system are rf power input, gas pressure, plasma current, and target-to-substrate distance. Because a knowledge of the deposition rate is necessary to control film thickness and to evaluate optimal conditions which are an important consideration in preparing better thin films, the deposition rates of copper as a testing material under the various sputtering conditions are investigated. Furthermore, a triode sputtering system designed in our team is simulated by the SIMION program. As a result, it is sure that the simulation of electron trajectories in the sputtering system is confined directly above the target surface by the force of E${\times}$B field. Finally, some teats with the above 4 different sputtering conditions demonstrate that the deposition rate of rf triode magnetron sputtering is relatively higher than that of the conventional sputtering system. This means that the higher deposition rate is probably caused by a high ion density in the triode and magnetron system. The erosion area of target surface bombarded by Ar ion is sputtered widely on the whole target except on both magnet sides. Therefore, the designed rf triode magnetron sputtering is a powerful deposition system.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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