The dependence of substrate material and electrode position were studied by radiation analysis of Ar discharge, and electron beam radiation was applied to confirm the crosslinked structure of the film. Comparing the conductor substrate with the insulator substrate, the former had lager peak density of radiation spectrum than latter. From the result of peak density of metastable state and ion, it was confirmed that the peak density of ion was falling to the down limit with increasing the distance of electrode by analyzing the radiation spectrum of polymerized films. When the polymerized styrene films was exposed to electron beam, it was possible to form a pattern with the insulator substrate.
본 연구에서는 플라즈마 중합 반응의 기판 재질과 전극 위치에 대한 의존성을 규명 하기 위해서 Ar방전의 발광 분석을 행하였으며 제작된 박막의 가교성을 확인하기 위해서 전자빔 노광을 시켜보았다. 기판의 재질이 도체 및 절연체인 양자의 경우를 비교해 보면 전 자는 후자에 비해서 전체적으로 발광 스펙트럼의 피이크 강도가 크게 나타났으며, 준안정상 태에 대한 피이크와 이온에 대한 피이크를 검토한 결과, 기판이 절연물일 때는 전극의 위치 를 멀게 할수록 이온의 피이크 강도가 극단까지 떨어짐을 알 수 있었다. 제작된 중합스티렌 박막을 통하여 발광 스펙트럼의 변화에 따라서 막의 가교성 변화가 생기는 것을 알 수 있었 으며 이 막을 전자빔에 노광하였을 때, 기판이 절연물인 경우에는 패턴을 제작하는 것이 가 능하였다.
