• 제목/요약/키워드: Diffusion Process

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초소성 및 확산접합을 이용한 우주항공 부품 성형기술 개발 (Development of Aerospace Components Forming Technology using Superplasticity and Diffusion Bonding Characteristic)

  • 이호성;윤종훈;이영무
    • 한국군사과학기술학회지
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    • 제8권3호
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    • pp.51-55
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    • 2005
  • In this paper, a near net shape technology using superplasticity and diffusion bonding characteristics was presented for application to various components of aircraft and missiles. Due to these special characteristics of some aerospace alloys, it is possible to produce complex components to shape very near final dimension with enhanced design freedom, reduced material usage, and overall saving of weight and cost. The high pressure vessel for a space launcher was fabricated with Ti-6Al-4V alloy by superplastic forming and diffusion bonding process and the failure characteristics are compared with conventionally fabricated vessel spin formed and TIG welded. The structural integrity of the superplastic forming and diffusion bonding process was successfully demonstrated.

열간정수압압축 시 확산기구 및 Power-law크립기구를 고려한 분말 치밀화거동의 모델링 (Modelling the Densification Behaviour of Powders Considering Diffusion and Power-Law Creep Mechanisms during Hot Isostatic Pressing)

  • 김형섭
    • 한국분말재료학회지
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    • 제7권3호
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    • pp.137-142
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    • 2000
  • In order to analyze the densification behaviour of stainless steel powder compacts during hot isostatic pressing (HIP) at elevated temperatures, a power-law creep constitutive model based on the plastic deformation theory for porous materials was applied to the densification. Various densification mechanisms including interparticle boundary diffusion, grain boundary diffusion and lattice diffusion mechanisms were incorporated in the constitutive model, as well. The power-law creep model in conjunction with various diffusion models was applied to the HIP process of 316L stainless steel powder compacts under 50 and 100 MPa at $1125^{\circ}C$. The results of the calculations were verified using literature data. It could be found that the contribution of the diffusional mechanisms is not significant under the current process conditions.

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적응 가중 미디언 필터를 이용한 영상 확산 알고리즘 (Nonlinear Anisotropic Diffusion Using Adaptive Weighted Median Filters)

  • 황인호;이경훈;김웅희
    • 한국통신학회논문지
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    • 제32권5C호
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    • pp.542-549
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    • 2007
  • 편미분 방정식을 도입하여 새로운 영상처리 기술을 개발하려는 연구가 활발히 진행 중이며, 특히 확산 방정식을 풀어 잡음 제거, 영상 복원, 에지 검출 및 영상 분할 등에 응용할 수 있는 이미지 확산 알고리즘에 관심이 높다. 본 논문에서는 기존의 비등방성 확산 방식이 결국은 커널 크기가 작은 적응 필터링 방식과 동일한 효과를 낸다는 것을 보이고, 확산 과정에서 선형 필터의 단점을 보완할 수 있도록 가중 미디언(WM, Weighted Median) 필터를 적용한 새로운 확산 기법을 제안하였다. 제안된 WM 필터가 비등방성 커널을 갖도록 필터계수에 대응하는 가중치들을 이미지의 국부적인 변화량에 따라 적응적으로 가변할 수 있는 기법을 제안하였다. 뿐만 아니라 반복 과정에서의 확산 속도를 증가할 수 있도록 커널의 크기를 증가시키기 위한 방안도 제시하였다. 실제 영상을 사용한 실험을 통하여 제안된 방식이 기존의 방식에 비해 잡음 제거 (특히 임펄스성 잡음) 특성이나 에지 보존 특성이 더 우수하다는 것을 보였다. 또한 기존의 방식에 비해 확장된 크기를 갖는 커널을 이용함으로써 확산 속도를 높일 수 있다는 것을 보였다.

光州市 하이텔(HiTEL) 서비스의 擴散 및 利用行態 (Diffusion of the Information Telecommunication Service in Kwangju)

  • 이정록;김재철
    • 대한지리학회지
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    • 제28권2호
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    • pp.123-136
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    • 1993
  • 본 연구는 정보통신기술의 발달에 의해 정보통신 서비스로 지칭되는 대표적인 기술혁신 중의 하나인 "하이텔 서비스"를 연구대상으로 하였다. 여기서는 광주시의 하이텔 서비스 이용자를 대상으로 하이텔 단말기의 확산과정에 나타난 공간적 특징과 서비스의 이용행태에 나타난 특징을 고찰하였다. 그 결과, 광주시 하이텔 단말기의 확산은 매우 제한적으로 이루어졌고 이용률 또한 매우 저조한 것으로 나타났으며, 이 밖에는 하이텔 서비스 확산을 위한 몇가지의 정책적 자료가 제시되었다.

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혁신전파 유형별 특징 및 강약점 분석 (Analysis of the Characteristics, Strengths, and Weaknesses of Innovation Diffusion Type in Rural Area)

  • 최상호;이성우
    • 농촌지도와개발
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    • 제16권1호
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    • pp.201-235
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    • 2009
  • This study analyzed the demographic characteristics, strengths and weaknesses related to information acquisition of local innovation diffusion types. This study use ordered probit model to find strengths and weaknesses of innovation diffusion type in rural area. The individual characteristics of 'formal extension type', 'situational reaction diffusion type', 'agriculturist connection type', and 'systematic approach type', all differentiated according to innovation diffusion type, were analyzed. Following Choi & Choe(2008), immediacy, accessibility, referability, applicability, and satisfaction were the highest in the situational reaction diffusion type, systematic approach type, formal extension type, and farmers connection type, in the order. And there existed organic contexts among individual characteristics. So this study tried to analyze strengths and weaknesses of innovation diffusion type with a focus on immediacy, which emerged as the most important variable in the process of interpreting innovation diffusion. And the strengths and weaknesses of each innovation diffusion type were presented.

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APL 적용 오차 확산법을 이용한 PDP 화질 개선 (Image Enhancement Using Error Diffusion with APL in PDP)

  • 장수욱;표세진;이성학;송규익;김은수
    • 한국멀티미디어학회논문지
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    • 제8권10호
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    • pp.1360-1368
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    • 2005
  • 플라즈마 디스플레이 패널에서는 표현 가능한 회색 준위의 수를 향상시키기 위해 오차 확산 방법이 주로 사용되고 있다. 이 방법은 표현 가능한 회색 준위 수의 증가를 가져오나 오차 확산 과정에서 발생하는 웜라이크 패턴은 오차 확산 처리 이후의 여러 가지 영상 처리 과정을 거치면서 증가되어 화질저하의 요인이 된다. 본 논문에서는 플라즈마 디스플레이 패널의 화질저하를 일으키는 웜라이크 패턴의 증가를 막기 위하여 average picture level 특성을 고려한 화질개선 방법을 제안하였다. 제안한 방법으로 모의실험을 한 결과, 플라즈마 디스플레이 패널의 표현 가능한 회색 준위의 수가 증가되었고, 웜라이크 패턴은 현저히 감소하였으며, 각 회색 준위의 상관 색온도 특성이 균일하게 됨을 확인하였다.

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Minimum Density Power Divergence Estimator for Diffusion Parameter in Discretely Observed Diffusion Processes

  • Song, Jun-Mo;Lee, Sang-Yeol;Na, Ok-Young;Kim, Hyo-Jung
    • Communications for Statistical Applications and Methods
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    • 제14권2호
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    • pp.267-280
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    • 2007
  • In this paper, we consider the robust estimation for diffusion processes when the sample is observed discretely. As a robust estimator, we consider the minimizing density power divergence estimator (MDPDE) proposed by Basu et al. (1998). It is shown that the MDPDE for diffusion process is weakly consistent. A simulation study demonstrates the robustness of the MDPDE.

적응성 유한체적법을 적용한 다차원 확산공정 모델링

  • 이준하;이흥주;변기량
    • 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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    • 한국반도체및디스플레이장비학회 2004년도 춘계학술대회 발표 논문집
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    • pp.55-58
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    • 2004
  • This paper presents a 3-dimensional diffusion simulation with adaptive solution strategy. The developed diffusion simulator VLSIDIF-3 was designed to re-refine areas where difference of doping concentration between any of two nodes of each element is greater than tolerance and redo diffusion process until error is tolerable. Numerical experiment in low doping diffusion problem showed that this adaptive solution strategy is very efficient in both memory and time, and expected this scheme would be more powerful in complex diffusion model.

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초소형 PCD 공구 제작을 위한 확산접합부의 형상에 따른 인장강도 특성 (Tensile Strength Properties of the Diffusion Bonding Copula Shape for Micro PCD Tool Fabrication)

  • 정바위;김욱수;정우섭;박정우
    • 한국기계가공학회지
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    • 제14권2호
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    • pp.25-30
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    • 2015
  • This study involved the fabrication of precision machine tools using a polycrystalline diamond tip [sintered PCD and cemented carbide (WC-Co) tip] and WC-Co shanks via diffusion bonding with a paste-type nickel alloy filler metal. Diffusion bonding is a process whereby two materials are pressed together at high temperature and high pressure for a sufficient period of time to allow significant atomic diffusion to occur. For smooth progress, a filler metal of nickel alloy was used at the interface. Optical microscopy images were used to observe the copula of the bonded layer. It was confirmed that cracks occurred near the junction in all cases. The tensile strength of the bond was measured using a universal testing machine (UTM) with WC-Co proportional test specimens.

비정질 및 단결정 실리콘에서 10~50 keV 에너지로 주입된 안티몬 이온의 분포와 열적인 거동에 따른 연구 (A Study on Implanted and Annealed Antimony Profiles in Amorphous and Single Crystalline Silicon Using 10~50 keV Energy Bombardment)

  • 정원채
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제28권11호
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    • pp.683-689
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    • 2015
  • For the formation of $N^+$ doping, the antimony ions are mainly used for the fabrication of a BJT (bipolar junction transistor), CMOS (complementary metal oxide semiconductor), FET (field effect transistor) and BiCMOS (bipolar and complementary metal oxide semiconductor) process integration. Antimony is a heavy element and has relatively a low diffusion coefficient in silicon. Therefore, antimony is preferred as a candidate of ultra shallow junction for n type doping instead of arsenic implantation. Three-dimensional (3D) profiles of antimony are also compared one another from different tilt angles and incident energies under same dimensional conditions. The diffusion effect of antimony showed ORD (oxygen retarded diffusion) after thermal oxidation process. The interfacial effect of a $SiO_2/Si$ is influenced antimony diffusion and showed segregation effects during the oxidation process. The surface sputtering effect of antimony must be considered due to its heavy mass in the case of low energy and high dose conditions. The range of antimony implanted in amorphous and crystalline silicon are compared each other and its data and profiles also showed and explained after thermal annealing under inert $N_2$ gas and dry oxidation.