A inorganic powder EL lamp was made by screen printing technique with phosphor ink and dielectric ink. The thickness change of a phosphor ink layer and a dielectric ink layer were not influenced on dielectric content, but rely on phosphor size and vehicle. Once finishing screen printing technique with phosphor ink and dielectric ink, and its surface has been printed again before not drying of phosphor ink and dielectric ink. Then phosphor ink and dielectric ink were not transferred. The electric capacity of inorganic powder EL lamp was more influenced on dielectric content than the thickness of dielectric ink layer, and it was more dependent on the thickness of phosphor ink layer than the thickness of dielectric ink layer.
In this paper, we investigated effects of ITO electrode geometry and dielectric layer thickness on the discharge Characteristic of AC PDP. As the dielectric thickness is decreased ($30{\sim}12{\mu}m$), firing and sustain voltage is decreased. Luminance and discharge power increase with decreasing dielectric layer thickness because of increasing capacitance between plasma and electrodes. Reactive power decreases with dielectric thickness due to reduced capacitance between sustain electrodes. For the high Xe test panel with small ITO electrode, luminous efficacy as well as luminance increase with decreasing dielectric layer thickness. This result suggest that high power density and small plasma volume is beneficial for high efficacy discharge.
The characteristic of dielectric breakdown in solid insulating material dominates the reliability and safety of power equipment and affects directly to its life. In this point of view, the thickness and temperature dependence of dielectric breakdown strength and mechanism of dielectric breakdown in low density polyethylene which has been employed widely as insulating material have been technically reviewed by examinations of thermal property. The dielectric breakdown strength depending on its thickness was measured 2.6[MV/cm] at the thickness of 20[${\mu}m$] and 1.9[MV/cm] at the thickness of 75[${\mu}m$] based on ambient temperature of 30[$^{\circ}C$]. It is shown the temperature dependence that dielectric breakdown strength decreases in linear as the thickness increases. The dielectric breakdown strength depending on temperature was measured 2.6[MV/cm] at the temperature of 30[$^{\circ}C$], 1.6[MV/cm] at 60[$^{\circ}C$] and 1.3[MV/cm] at 90[$^{\circ}C$] based on the thickness of 20[${\mu}m$]. As the ambient temperature increases, the temperature dependence is shown that a very large drop is occurred up to temperature of 60[$^{\circ}C$] and a very small drop is discovered over 60[$^{\circ}C$].
High voltage multilayer ceramic capacitors (MLCCs) are classified into two classes-those for temperature compensation (class I) and high dielectric constant materials (class II). We manufactured high voltage MLCC with temperature coefficient characteristics of C0G and X7R and studied the characteristics of electric properties. Also we studied the characteristics of dielectric breakdown voltage (V) as the variation of thickness in the green sheet and how to pattern the internal electrodes. The dielectric breakdown by electric field was caused by defects in the dielectric materials and dielectric/electrode interface, so the dielectric thickness increased, the withstanding voltage per unit (E) thickness decreased. To overcome this problem, we selected the special design like as floating electrode and this design affected the increasing breakdown voltage(V) and realized the constant withstanding voltage per unit thickness(E). From these results, high voltage application of MLCCs can be expanded and the rated voltage can also be develop.
In the fabrication and design of MLCCs (Multilayer Ceramic Capacitors) with Ni inner electrode for medium and high voltage, reliability and dielectric breakdown mode have been investigated. For thickness of green sheet, the relationship between the rated voltage versus the thickness of green sheet. Increasing the thickness of green sheet increases the dielectric breakdown voltage. However, a practical limit to this linear relationship occurs at 30 urn and above. As the thickness of green sheet increased, dielectric breakdown voltage and weibull coefficient is increased, but abruptly decrease at 30 urn and 36 urn. When 24 urn of green sheet thickness, weibull coefficient and dielectric breakdown voltage were 13.58 and 70 V/um respectively. The results enabling the MLCCs to demonstrate high levels of reliability at medium and high voltage.
SiOC 박막은 화학적 증착 방법에 의해 여러 가지 유량비를 다르게 하여 증착되었다. SiOC 박막에서 유전상수의 감소원인에 대하여 조사하고 샘플들은 박막의 두께와 유전상수사이의 상관성에 대하여 분석하였다. 증착한 샘플에서 박막의 두께는 굴절률에 비례하는 경향성이 있으며, 유전상수가 가장 낮은 샘플에서 두께는 감소되었다. 굴절률은 열처리 후 감소하였는데, 열처리 하면서 박막의 두께가 감소되었기 때문이다.
한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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pp.768-770
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2003
In AC PDP, since charges generated by gas discharge are accumulated on the dielectric. The dielectric is a major factor to determine cell capacitance and its memory effect is a play an important role in PDP driving. In this experiment, we have investigated the electro-optical characteristics with dielectric thickness and we have analyzed wall charge and wall voltage by Q-V energy diagram. The dielectric thickness was varied from 20 um to 50 um. As results, according to the dielectric thickness increase,cell capacitance and power consumption is reduced.
High voltage MLCCs with C0G temperature coefficient characteristics could apply DC-DC invertor were investigated for its dielectric properties. Also we manufactured MLCC through various process and studied the characteristics of dielectric break down voltage [BDV] and dielectric property as the variation of thickness in the green sheet and how to pattern the internal electrode. As the thickness of green sheet is increase, the dielectric BDV per unit thickness is decreased. But as the pattern of internal electrodes were floated we could manufacture the high voltage MLCC maintained its dielectric BDV a unit.
It was investigated that the dielectric properties of ferroelectric materials using PZT-5A and PZT thin films. PZT-5A was 20mm diameters, 0.71mm, 0.51mm and 0.41mm thickness respectively and having c-axis preferred orientation. Electrodes(Al) were deposited by evaporation method. PZT thin film was deposited on Pt/SiO$_2$/Si substrate by RF magnetron sputtering method, and annealed at 750$^{\circ}C$ with RTA. Dielectric constants were measured automatically by computer measuring system. Dielectric constants were changed rapidly from 817 to 888 in 0.41mm thickness PZT-5A, 823 to 890 in 0.51mm and 822 to 839 in 0.71mm as the electric field grown. In the case of PZT thin film, dielectric constants were changed from 724 to 1173 in 4500${\AA}$ thickness, 721 to 1204 in 5500${\AA}$ thickness and 811 to 1407 in 7000${\AA}$ thickness.
Single phase of multicomponent oxide ZrTiO4 film could be prepared through surface sol-gel route simply by coating the mixture of 100 mM zirconium butoxide and titanium butoxide on $Pt/Ti/SiO_2Si(100)$ substrate, following pyro lysis at $450^{\circ}C$, and annealing it at 770 $^{\circ}C.$ The dielectric constant of the film was reduced as the film thickness decreased due to of the interfacial effects caused by layer/electrode and a few voids inside the multilayer. However, the dielectric property was independent of applied dc bias sweeps voltage (-2 to +2 V).The dielectric constant of bulk film, 31.9, estimated using series-connected capacitor model was independent of film thickness and frequency in the measurement range, but theoretical interfacial thickness, ti, was dependent on the frequency. It reached a saturated ti value, $6.9{\AA}$, at high frequency by extraction of some capacitance component formed at low frequency range. The dielectric constant of bulk ZrTiO4 pellet-shaped material was 33.7 and very stable with frequency promising as good applicable devices.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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