• 공업화학
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• 제8권4호
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• pp.645-652
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• 1997

백금 회전전극을 이용하여 확산지배영역에서의 구리 착화합물의 환원에 대한 전기화학적 특성조사 및 이에 대한 속도인자들을 구하였다. 황산염 용액내에서 Cu(II)의 환원은 2전자, 1단계 반응이며, 염화물 용액내에서의 Cu(II)는 1전자, 2단계 반응으로 환원된다. 환원반응에서의 전달계수는 황산염 용액내에서 Cu(II)가 가장 작으며, 할로겐염 중에서 Cu(I)의 전달계수는 1에 가까운 값을 나타내었다. 염화물 용액안에서 구리이온의 환원에 대한 표준속도상수는 Cu(II)의 환원이 Cu(I)을 출발물질로 할 경우보다 100배 정도 빠른 값을 나타내었다. 그리고 확산계수는 $Cl^-$존재시의 Cu(II), $I^-$, $Br^-$, $Cl^-$존재시의 Cu(I) 및 $SO_4^{-2}$존재시의 Cu(II)의 순으로 증가하였으며, 각 용액 내에서의 구리이온의 반지름 및 확산에 대한 활성화 에너지도 위의 순서와 동일하게 감소하였다. 회전전극상의 구리전착의 경우 전착전위 및 농도에 따라 불균일한 전착표면을 형성하였으며, 이러한 전착표면의 불균일성은 UV/VIS로 분석이 가능하였다.

• 공업화학
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• 제29권1호
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• pp.10-17
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• 2018

반도체 및 디스플레이 제조공정 중에 화학기상증착(CVD), 식각(etching), 세정(cleaning) 공정에서 배출되는 과불화합물(PFCs)를 포함한 폐 가스 처리를 위해서 POU (point of use) 가스 스크러버 시스템을 도입하여 사용하고 있다. 과불화합물은 지구온난화 지수(GWP, global warming potential)와 대기 중 자연분해되는 기간(lifetime)이 $CO_2$에 비해 수천 배 높은 온실가스로 분류되어 있으며, 과불화합물의 열분해를 위해서는 3,000 K 이상의 고온이 요구되는 것이 일반적이다. 이러한 특징 때문에 과불화합물을 효과적으로 제어하기 위한 방법으로 열플라즈마 기술을 도입하고자 하는 노력들이 진행되어 왔으며, POU 가스 스크러버 기술을 개발하여 산업적으로 이용하고자 하였다. 열플라즈마 기술은 플라즈마 토치 기술, 전원공급장치 기술 및 플라즈마 토치-전원공급장치 매칭 기술 최적화를 통해 안정적으로 플라즈마 발생원을 유지시키는 것이 중요하다. 또한, 과불화합물 고효율 처리를 위한 고온의 플라즈마와 폐 가스의 효과적인 혼합이 주요 기술요인으로 확인되었다. 본 논문에서는 반도체 및 디스플레이 공정 폐 가스 처리를 위한 후처리 공정에 대한 기술적 정보를 제공함과 동시에 POU 플라즈마 가스 스크러버에 대한 기술개발 동향을 파악함으로써 향후 연구개발이 요구되는 핵심사항에 대해 논의하고자 한다.

• 생명과학회지
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• 제19권10호
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• pp.1360-1367
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• 2009

간섬유화는 지속적인 간세포 손상에 대한 수복현상으로 일어나며, 급성 염증반응과 같은 손상이 주어진 후에는 간세포의 괴사 및 세포외기질의 축적이 일어나게 된다. 간섬유화에 대한 새로운 치료방법을 모색하기 위하여 본 연구에서는 간섬유화 과정에서 염증 반응과 관련된 NF-$\kappa$B와 세포외기질의 축적과 관련된 Sp1전사인자를 동시에 조절하여 간섬유화 억제효과를 관찰하고자 하였다. 전사인자인 Sp1과 NF-$\kappa$B를 동시에 억제하기 위하여 한 분자 내에 Sp1과 NF-$\kappa$B의 전사인자와 결합하는 부위를 가지는 Chimeric (Chi) decoy oligodeoxynucleotide (ODN)을 제작하였다. Chi decoy ODN은 활성화된 간성상세포에서 간섬유화 와 관련된 유전자 발현을 억제시켰으며, 섬유화 동물모델에서도 간 조직의 염증 반응 및 섬유화 관련 인자의 발현을 현저히 억제시켰다. 따라서 Chi decoy ODN은 간섬유화 및 활성화된 간성상세포의 활성을 억제할 수 있는 유전자 치료제로 고려될 수 있을 것으로 사료된다.

• 센서학회지
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• 제29권1호
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• pp.14-18
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• 2020

This study investigates the nitrogen dioxide (NO₂) sensing characteristics of an Si MOSFET gas sensor with a tungsten trioxide (WO₃) sensing layer deposited using the sputtering method. The Si MOSFET gas sensor consists of a horizontal floating gate (FG) interdigitated with a control gate (CG). The WO₃ sensing layer is deposited on the interdigitated CG-FG of a field effect transistor(FET)-type gas sensor platform. The sensing layer is deposited with different thicknesses of the film ranging from 100 nm to 1 ㎛ by changing the deposition times during the sputtering process. The sensing characteristics of the fabricated gas sensor are measured at different NO₂ concentrations and operating temperatures. The response of the gas sensor increases as the NO₂ concentration and operating temperature increase. However, the gas sensor has an optimal performance at 180℃ considering both response and recovery speed. The response of the gas sensor increases significantly from 24% to 138% as the thickness of the sensing layer increases from 100 nm to 1 ㎛. The sputtered WO₃ film consists of a dense part and a porous part. As reported in previous work, the area of the porous part of the film increases as the thickness of the film increases. This increased porous part promotes the reaction of the sensing layer with the NO₂ gas. Consequently, the response of the gas sensor increases as the thickness of the sputtered WO₃ film increases.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제21권3호
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• pp.25-29
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• 2014

본 연구에서는 친환경적이고, 보관수명이 1년 이상이며, 부식특성이 좋은 플라즈마 유기막 표면처리에 대한 솔더링 특성을 기존 표면처리법인 OSP와 비교하였다. 플라즈마 표면처리는 할로겐계 전구체를 사용하여 CVD 방법으로 증착하였고, 증착두께는 20 nm이었다. 본 연구에서 사용된 솔더 조성은 Sn-3.0 wt%Ag-0.5 wt%Cu이었다. 염수분무시험에서 플라즈마 표면처리 유기막은 OSP보다 우수한 부식 저항성을 나타내었다. 멀티리플로우 조건에서 플라즈마 표면처리는 OSP보다 우수한 솔더 퍼짐성을 나타내었다. 솔더링 후 단면 미세조직을 분석한 결과, 플라즈마 표면처리와 OSP시편 모두 유사한 금속간화합물층 두께 및 형상을 갖고 있었다. 플라즈마 표면처리와 OSP 모두 유사한 접합강도를 가지고 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제33권2호
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• pp.99-104
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• 2020

In this study, we fabricated a metamorphic high-electron-mobility transistor (mHEMT) device with a T-type gate structure for the implementation of W-band monolithic microwave integrated circuits (MMICs) and investigated its characteristics. To fabricate the mHEMT device, a recess process for etching of its Schottky layer was applied before gate metal deposition, and an e-beam lithography using a triple photoresist film for the T-gate structure was employed. We measured DC and RF characteristics of the fabricated device to verify the characteristics that can be used in W-band MMIC design. The mHEMT device exhibited DC characteristics such as a drain current density of 747 mA/mm, maximum transconductance of 1.354 S/mm, and pinch-off voltage of -0.42 V. Concerning the frequency characteristics, the device showed a cutoff frequency of 215 GHz and maximum oscillation frequency of 260 GHz, which provide sufficient performance for W-band MMIC design and fabrication. In addition, active and passive modeling was performed and its accuracy was evaluated by comparing the measured results. The developed mHEMT and device models could be used for the fabrication of W-band MMICs.

• 대한치과교정학회지
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• 제20권2호
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• pp.363-379
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• 1990

The purpose of this study was to evaluate the effects of the mandibular retractive force on the mandibular condyle of growing dog. The experimental animals were six mongrel dogs of two-month old. Their deciduous dentition were completed. Two of them was used as control group, and experimental group was composed of remaining four. Head band and chin cup were made of cotton tape, and hooks are fabricated on the chin cup and had band for closed coil. Mandibular retractive force was 100g/side and chin cap appliance was used for 14 hours/day during night. Experimental group were sacrificed at 2, 4, 6, 8 weeks from beginning of the experiment. Right TMJ was prepared for histologic study and left TMJ was examined grossly for disc, fossa, and condyle. The conclusions are: 1. Two-month old control animal showed active cartilaginous growth on the mandibular condyle, therefore showed thick proliferative and hypertrophic zones. Remodeling process in the condyle head was observed in which there were bone resorption on the anterior surface and bone apposition on the posterior surface. 2. Four-month old control animal showed marked reduction of hypertrophic zone but the condylar bone remodeling was more pronounced. 3. In experimental group, there are marked reduction of hypertrophic zone at 4 weeks from beginning of experiment, and hypertrophic zone disappeared at posterior-superior portion of condyle in 6-week experimental animal. 8 week experimental animal showed slight recovery of hypertrophic zone. 4. In experimental group, bone deposition was increased at anterior surface of condyle, and bone resorption was increased at posterior surface of condyle. 5. In control group, the glenoid fossa and surrounding bone showed mainly bone apposition. But experimental group showed bone resorption at anterior surface of articular eminence and increased bone apposition at posterior surface of postglenoid spine. 6. No marked traumatic change was seen but 4 weeks and 8 weeks experimental animal showed flattening of posterior surperior condylar surface. Bone marrow of condyle showed minute focal bleeding in 2 weeks and 4 weeks experimental animal, and congestion and depression of hematopoietic bone marrow during all experimental period.

• 대한의생명과학회지
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• 제6권2호
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• pp.119-129
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• 2000

피부는 인체의 표면을 보호하는 중요한 기관으로 피부가 손상되었을 경우 상처 재생은 염증기, 상피화기, 수복기의 정상적인 재생 단계를 거치며 치유된다 최근 저강도 레이저의 생물학적 효과로서 상처 재생과의 밀접한 관련성이 알려지고 있다. 본 연구는 저강도 레이저가 상처 재생에 미치는 유의한 효과를 세포 형태학적으로 확인하기 위해 실험적으로 유도한 가토 피부 상처 (2$\times$2 cm)에 12일 동안 5 Hz, 830 nm, 1.6 J/$cm^2$의 자극강도 (10 min/day)로 상처면에 레이저를 적용한 결과, 다음과 같은 곁과를 얻었다. 레이저 조사군의 경우 결합조직의 수복과 상피의 재형성이 대조군과 비교했을 매우 빠르게 진행되는 것으로 관찰되었으며, 특히 섬유아세포의 활성과 육아조직 합성율이 유의하게 증가되는 것으로 확인되었다. 이상의 연구 곁과를 종합해 달 때 유효한 치료강도의 저강도 레이저 자극은 피부의 개방성 창상 및 욕창 등의 상처 치유를 촉진할 수 있는 것으로 사료된다.

• 한국진공학회지
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• 제19권1호
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• pp.10-13
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• 2010

본 논문은 N-face n-type GaN 표면에 산소 플라즈마 처리에 의해서 오믹전극과 접촉 저항을 낮추기 위한 연구를 하였다. 120초 산소 플라즈마 처리후 Ti (50 nm) / Al (35 nm)을 증착한 결과 오믹 전극을 구현하였으며, $1.25{\times}10^{-3}\;{\Omega}cm^2$의 접촉저항을 보였다. 이는 산소 플라즈마 처리가 기존의 플라즈마 처리와 같이 질소결원이 발생하였기 때문이다. 이를 통해 쇼트키장벽 높이(SBH)이 낮아지게 되었고, 오믹 전극및 플라즈마 처리를 안 한 경우보다 더 낮은 접촉저항의 결과를 획득하였다.

• 한국표면공학회지
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• 제29권6호
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• pp.809-815
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• 1996

$Y_2O_3$-based metal-insulator-semiconductor (MIS) structure on p-Si(100) has been studied. Films were prepared by UHV reactive ionized cluster beam deposition (r-ICBD) system. The base pressure of the system was about $1 \times 10^{-9}$ -9/ Torr and the process pressure $2 \times 10^{-5}$ Torr in oxygen ambience. Glancing X-ray diffraction(GXRD) and in-situ reflection high energy electron diffracton(RHEED) analyses were performed to investigate the crystallinity of the films. The results show phase change from amorphous state to crystalline one with increasingqr acceleration voltage and substrate temperature. It is also found that the phase transformation from $Y_2O_3$(111)//Si(100) to $Y_2O_3$(110)//Si(100) in growing directions takes place between $500^{\circ}C$ and $700^{\circ}C$. Especially as acceleration voltage is increased, preferentially oriented crystallinity was increased. Finally under the condition of above substrate temperature $700^{\circ}C$ and acceleration voltage 5kV, the $Y_2O_3$films are found to be grown epitaxially in direction of $Y_2O_3$(1l0)//Si(100) by observation of transmission electron microscope(TEM). Capacitance-voltage and current-voltage measurements were conducted to characterize Al/$Y_2O_3$/Si MIS structure with varying acceleration voltage and substrate temperature. Deposited $Y_2O_3$ films of thickness of nearly 300$\AA$ show that the breakdown field increases to 7~8MV /cm at the same conditon of epitaxial growing. These results also coincide with XPS spectra which indicate better stoichiometric characteristic in the condition of better crystalline one. After oxidation the breakdown field increases to 13MV /cm because the MIS structure contains interface silicon oxide of about 30$\AA$. In this case the dielectric constant of only $Y_2O_3$ layer is found to be $\in$15.6. These results have demonstrated the potential of using yttrium oxide for future VLSI/ULSI gate insulator applications.