Moiz, Syed Abdul;Ahmed, Mansoor M.;Karimov, Kh. S.
ETRI Journal
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v.27
no.3
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pp.319-325
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2005
In this paper the effect of temperature on the electrical properties of organic semiconductor disperse orange dye 25 (OD) have been examined. Thin films of OD have been deposited on $In_{2}O_{3}$ substrates using a centrifugal machine. DC current-voltage (I-V) characteristics of the fabricated devices $(Al/OD/In_{2}O_{3)$ have been evaluated at varying temperatures ranging from 40 to $60^{\circ}C$. A rectification behavior in these devices has been observed such that the rectifying ratio increases as a function of temperature. I-V characteristics observed in $Al/OD/In_{2}O_{3)$ devices have been classified as low temperature $({\leq} 50^{\circ}C)$ and high temperature characteristics (approximately $60^{\circ}C$). Low temperature characteristics have been explained on the basis of the charge transport mechanism associated with free carriers available in OD, whereas high temperature characteristics have been explained on the basis of the trapped space-charge-limited current. Different electrical parameters such as traps factor, free carrier density, trapped carrier density, trap density of states, and effective mobility have been determined from the observed temperature dependent I-V characteristics. It has been shown that the traps factor, effective mobility, and free carrier density increase with increasing values of temperature, whilst no significant change has been observed in the trap density of states.
Self-assembly of the molecular system of perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic-3,4,9,10-dianhydride (PTCDA) and the amide analogue (PTCDI) is of potential importance for organic semiconductor devices. Therefore we studied the density of states (DOS), the charge densities, and intermolacular bond lengths for PTCDA and PTCDI using the density functional theory calculations.
Roll drafting, a mechanical operation attenuating fiber bundles to an appropriate thickness, is an important operation unit for manufacturing staple yams. It influences not only the linear density regularity of the slivers or staple yams that are produced, but also the quality of the textile product and the efficiency of the thereafter processes. In this research, the dynamic states of the fiber bundle in the roll drafting zone were analyzed by simulation, based on the mathematical model that describes the dynamic behavior of the flowing bundle. The state variables are the linear density and velocity of the fiber bundles and we simulated the dynamics states of the bundle flow, e.g., the profiles of the linear density and velocity in the draft zone for various values of the model parameters and boundary conditions, including the initial conditions to obtain their influence on the dynamic state. Results showed that the mean velocity profile of the fiber bundle was strongly influenced by draft ratio and process speed, while the input sliver linear density has hardly affected the process dynamics. Velocity variance of individual fibers that could be supposed to be a disturbing factor in drafting was also influenced by the process speed. But the major disturbance occurred due to the velocity slope discontinuity at the front roll, which was strongly influenced by the process speed. Thickness of input sliver didn't play any important role in the process dynamics.
Self-assembly of the molecular system of perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic-3,4,9,10-dianhydride (PTCDA) is of such potential importance for organic semiconductor devices that PTCDA molecule on a variety of substrates has been extensively studied. Therefore we studied the density of states (DOS), the charge densities, and intermolacular bond lengths for PTCDA, and investigated PTCDA absorptioni sites on Si(111)In-$8{\times}8$ at room temperature using the density functional theory calculations.
Unexpectedly, the brightest row was known to represents the lowest lying Te atoms in the STM image of NbTe2. Projected density of states and crystal orbital overlap population show that the 5pz orbital of the lowest lying Te(2) atom doe s not interact with the 4d orbital of Nb strongly so that the 5pz band remains in the vicinity of the Fermi energy. Consequently the lowest lying Te(2) atoms contribute higher electron density near the Fermi energy which in turn exhibits brightest image in the STM experiments.
The importance of including spin-orbit interactions for the correct description of structures and vibrational frequencies of haloiodomethanes is demonstrated by density functional theory calculations with spin-orbit relativistic effective core potentials (SO-DFT). The vibrational frequencies and the molecular geometries obtained by SO-DFT calculations do not match with the experimental results as well as for other cations without significant relativistic effects. In this sense, the present data can be considered as a guideline in the development of the relativistic quantum chemical methods. The influence of spin-orbit effects on the bending frequency of the cation could well be recognized by comparing the experimental and calculated results for $CH_2BrI$ and $CH_2ClI$ cations. Spin-orbit effects on the geometries and vibrational frequencies of $CH_2XI$ (X=F, Cl, Br, and I) neutral are negligible except that C-I bond lengths of haloiodomethane neutral is slightly increased by the inclusion of spin-orbit effects. The $^2A^{\prime}$ and $^2A^{{\prime}{\prime}}$ states were found in the cations of haloiodomethanes and mix due to the spin-orbit interactions and generate two $^2E_{1/2}$ fine-structure states. The geometries of $CH_2XI^+$ (X=F and Cl) from SO-DFT calculations are roughly in the middle of two cation geometries from DFT calculations since two cation states of $CH_2XI$ (X=F and Cl) from DFT calculations are energetically close enough to mix two cation states. The geometries of $CH_2XI^+$ (X=Br and I) from SO-DFT calculations are close to that of the most stable cation from DFT calculations since two cation states of $CH_2XI$(X=Br and I) from DFT calculations are energetically well separated near the fine-structure state minimum.
Kim, Hyun;Choi, Jongdoo;Choi, Jeong Woo;Yeo, Donghoon;Seo, Pukyeong;Her, Seongjin;Kim, Kyung Hwan
Journal of Biomedical Engineering Research
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v.39
no.3
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pp.124-133
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2018
We tried to investigate the changes in cortical activities according to emotional valence states during watching video clips. We examined the neural basis of two emotional states (positive and negative) using spectral power analysis and brain functional connectivity analysis of cortical current density time-series reconstructed from high-density electroencephalograms (EEGs). Fifteen healthy participants viewed a series of thirty-two 2 min emotional video clips. Sixty-four channel EEGs were recorded. Distributed cortical sources were reconstructed using weighted minimum norm estimation. The temporal and spatial characteristics of spectral source powers showing significant differences between positive and negative emotion were examined. Also, correlations between gamma-band activities and affective valence ratings were determined. We observed the changes of cortical current density time-series according to emotional states modulated by video clip. Gamma-band activities showed significant difference between emotional states for thirty seconds at the middle and the latter half of the video clip, mainly in prefrontal area. It was also significantly anti-correlated with the self-ratings of emotional valence. In addition, the gamma-band activities in frontal and temporal areas were strongly phase-synchronized, more strongly for negative emotional states. Cortical activities in frontal and temporal areas showed high spectral power and inter-regional phase synchronization in gamma-band during negative emotional states. It is inferred that the higher amygdala activation induced by negative stimuli resulted in strong emotional effects and caused strong local and global synchronization of neural activities in gamma-band in frontal and temporal areas.
The interfacial electrical properties of InSb MIS structure with low temperature remote PECVD $SiO_{2}$ have been characterized. The interlace-state density at mid-bandgap of the MIS structure was about $1{\sim}2{\times}10^{11}\;cm^{-2}eV^{-1}$, when the $SiO_{2}$ film was deposited at $105^{\circ}C$. However, large amount of interlace states and trap states were observed in the MIS structure fabricated at temperatures above $105^{\circ}C$. The time constant of $10^{-4}{\sim}10^{-5}\;sec$ of interface states was extracted from G- V measurement. As the deposition temperature increased, the hysteresis of C- V curves were increased due to the high trap density.
Even a pure bulk Fe has a complicated magnetic phase and its magnetism is still needed to be clarified. In this study we investigated the magnetism of bcc and fcc bulk Fe with total energy calculations as functions of atomic volume. The full-potential linearized augmented plane wave method was adopted within a generalized gradient approximation. The ground state of bulk Fe is confirmed to be of ferromagnetic (FM) bcc. For fcc structured Fe an antiferromagnetic (AFM) state is more stable compared to FM states which exist as low spin and high spin states. The stable AFM states were found to accompany a tetragonal distortion, while the FM states remained in a cubic symmetry. At an expanded lattice constant a high spin FM state was calculated to be able to be stabilized with significant enhanced magnetic moment compared to the value of the ground state, bcc FM.
In this paper, we studied the electrical and the microwave properties of the amorphous $As_{10}Ge_{15}Te_{75}$ thin film. The electrical properties of a-$As_{10}Ge_{15}Te_{75}$ thin film were examined d.c. and a.c. bias with annealing condition. As the result of the electrical properties, we observed the physical characteristics of a-$As_{10}Ge_{15}Te_{75}$ thin film such as the density of defect states, characteristic relaxation time, localized density of states, and localized wave function by using CBH and QMT model. We also examined the microwave conduction properties before and after d.e. switching.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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