Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제11권6호
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pp.249-252
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2010
The ground amorphous powder was consolidated into a dense sintered body with a typical ultrafine $Al_2O_3-GdAlO_3$ eutectic structure by spark plasma sintering (SPS). Sintered material with ultrafine and dense eutectic structure was obtained by an appropriate combination of rapid quenching and SPS at lower temperature and more quickly than by conventional sintering. The $Al_2O_3$-based rare earth eutectic ceramics for solar cell emitters are believed to have a higher efficiency and the $Al_2O_3$ based eutectic ceramics with ultrafine grains will be one of the promising materials showing excellent selective emitter characteristics.
Diamond films were deposited on the cemented tungsten carbide WC-Co cutting insert substrates by using both microwave plasma chemical vapor deposition(MWPCVD) and radio frequency plasma chemical vapor deposition (RFPCVD) from $CH_4$$-H_2$$-O_2$ gas mixture. Scanning electron microscopy and X-ray diffraction techniques were used to investigate the microstructure and phase analysis of the materials and Raman spectrometry was used to characterize the quality of the diamond coating. Diamond films deposited using MWPCVD from $CH_4$$-H_2$$-O_2$ gas mixture show a dense, uniform, well faceted and polycrystalline morphology. The compressive stress in the diamond film was estimated to be (1.0∼3.6)$\pm$0.9 GPa. Diamond films which were deposited on the WC-Co cutting insert substrates by RFPCVD from $CH_4$$-H_2$$-O_2$ gas mixture show relatively good adhesion, very uniform, dense and polycrystalline morphology.
A dense palladium-nikel (Pd-Ni) alloy composite membrane has been fabricated on microporous nickel support mixed with submicron/micron nickel powder instead of mesoporous stainless steel support. Plasma treatment process is introduced as pre-treatment process instead of HCI activation. Pd-Ni alloy composite membrane prepared by electro plating was fairly a uniform and dense surface morphology. The membrane was characterized by permeation experiments with hydrogen and nitrogen gases at temperature 773 K and pressure 2.2 psi. The results showed that hydrogen ($H_2$) permeance was 27 ml/$\textrm{cm}^2$ㆍatmㆍmin and hydrogen/ nitrogen ($_H2$$N_2$) selectivity was 8 at 773 K.
본 연구에서는 현대적 전기식 기폭관의 해석 모델링을 대상으로 실용적 적용이 가능한 금속성 플라즈마 조성비 및 전기전도도 계산모델이 제시되었다. 현 플라즈마 모델은 기폭관 브릿지 전기폭발 현상 시 발생하는 고밀도 플라즈마 영역의 비이상 플라즈마 효과 보정을 포함하였다. 구리 플라즈마를 대상으로 한 계산 결과는 넓은 온도 범위 및 고밀도 영역에서 해당 측정 결과와 전반적으로 잘 일치하여 기폭관 모델링 대상 적용에 적절함을 보여주었다.
Recently, the trend of research in hard coating is concentrate on developing the process of ionization rate under low operating pressure, to get the thin film with high adhesion and dense microstructures. In this study ionization rate enhancement type PVD process using permanent magnet is developed, which enhances the ionization rate by confining the plasma suppressing the wall loss of electron. By the result to investigate the characteristic of glow discharge, the ionization rate of this process is enhanced about twice as high as that of triod BARE process (about 26%), and more dense TiN microstructures are obtained in this process. Cylindrical ion energy analyzer is made and attached in front of a quadrupole mass filter for the analysis of the energy distribution of reactive gas and activated gas ions from the plasma zone. To analyze the operation mechanism of ion energy analyzer, computer simulation is performed by calculation the electric field environment using finite element method. By these analyses of ion energy distribution of outcoming ions from the plasma zone, it is found that magnetic field enhances ion kinetic energy as well as ionization rate. The other results of this study is that the foundation of feed-back system is constructed, which automatically control the partial pressure of reactive gas. In can be possible by recording the data of mass spectrum and ion energy analysis using A-D converter.
Plasma spray forming is recently explored as a near-net-shape fabrication route for ultra-high temperature metals and ceramics. In this study, monolithic tungsten has been produced using an atmospheric plasma spray forming and subsequent high temperature sintering. The spray-formed tungsten preform from different processing parameters has been evaluated in terms of metallurgical aspects, such as density, oxygen content and hardness. A well-defined lamellae structure was formed in the as-sprayed deposit by spreading of completely molten droplets, with incorporating small amounts of unmelted/partially-melted particles. Plasma sprayed tungsten deposit had 84-87% theoretical density and 0.2-0.3 wt.% oxygen content. Subsequent sintering at 2500$^{\circ}C$ promoted the formation of equiaxed grain structure and the production of dense preform up to 98% theoretical density.
This paper presents an atmospheric microplasma-jet device for bio~medical application. The microplasma-jet device consists of four components; a thin Ni anode, porous alumina insulator, a stainless steel cathode and an aluminum case. The anode has 8 holes, and hole diameter and depth are $200 {\mu}m$ and $60 {\mu}m$, respectively. The discharge test was performed in atmospheric pressure using nitrogen gas and AC voltage at the optimum gas flow rate of 4 Vmin. The plasma-jet is ejected stably for the input voltage ranging from 5.5 to $9.5 kV_{p-p}$. The plasma becomes dense as the input voltage increases, which was verified by the hydrophilicity change of PMMA surface treated by the plasma. The temperature increasement of the aluminum film exposed to plasma-jet illustrates that the micro plasma-jet device is feasible for bio-medical application.
한국광학회 1989년도 제4회 파동 및 레이저 학술발표회 4th Conference on Waves and lasers 논문집 - 한국광학회
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pp.65-69
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1989
Mather type dense plasma focus device was develooped for the feasibili쇼 study in its application to the x-ray lithography. To etermine the electrical characteristics,the temporal begavior of the discharge current and the voltage was measured by using the Rogowski coil and the high voltage probe respectively. The results are 9 $\mu\textrm{s}$ of the period, 18m$\Omega$ of resistance and 0.16$\mu$Η of inductance. The average current sheath velocity was measured by the light signal emitted at the moving plasma sheath. The light signal was detected through two fiber bundles. When the applied voltage was 13 kV and the initial jpressure of argon was 21.8 Pa, the best plasma focus was occurred. The x-ray emission characteristics from the plasma focus was determined by the x-ray pictures taken by pinhole camera. It is focus that the plasma was focused at 1.4 cm distant position above the center electrode and its diameter was about 1.0 m.
In the present study, Al-Zn coating was deposited by Arc thermal (AT) and plasma arc thermal (PAT) spray processes, and their corrosion characteristics were studied in 3.5% NaCl through electrochemical impedance spectroscopy (EIS), scanning electron microscope (SEM) and mechanical tests. The bond adhesion result showed that plasma arc sprayed coating had a higher value attributed to compact, dense, and less porous coating compared to arc thermal spray coating which contains defects/pores and uneven morphology as revealed by scanning electron microscope analysis. Electrochemical results revealed that the plasma arc sprayed coating had a high polarization resistance at early stage of immersion, suggesting its excellent corrosion protection performance.
Recently, the growing interest in organic microelectronic devices including OLEDs has led to an increasing amount of research into their many potential applications in the area of flexible electronic devices based on plastic substrates. However, these organic devices require a gas barrier coating to prevent the permeation of water and oxygen because organic materials are highly susceptible to water and oxygen. In particular, high efficiency OLEDs require an extremely low water vapor transition rate (WVTR) of $1{\times}10^{-6}g/m^2day$. The Key factor in high quality inorganic gas barrier formation for achieving the very low WVTR required ($1{\times}10^{-6}g/m^2day$) is the suppression of defect sites and gas diffusion pathways between grain boundaries. In this study NBAS process was introduced to deposit enhanced film density single gas barrier layer with a low WVTR. Fig. 1. shows a schematic illustration of the NBAS apparatus. The NBAS process was used for the $Al_2O_3$ nano-crystal structure films deposition, as shown in Fig. 1. The NBAS system is based on the conventional RF magnetron sputtering and it has the electron cyclotron resonance (ECR) plasma source and metal reflector. $Ar^+$ ion in the ECR plasma can be accelerated into the plasma sheath between the plasma and metal reflector, which are then neutralized mainly by Auger neutralization. The neutral beam energy is controlled by the metal reflector bias. The controllable neutral beam energy can continuously change crystalline structures from an amorphous phase to nanocrystal phase of various grain sizes. The $Al_2O_3$ films can be high film density by controllable Auger neutral beam energy. we developed $Al_2O_3$ high dense barrier layer using NBAS process. We can verified that NBAS process effect can lead to formation of high density nano-crystal structure barrier layer. As a result, Fig. 2. shows that the NBAS processed $Al_2O_3$ high dense barrier layer shows excellent WVTR property as a under $2{\times}10^{-5}g/m^2day$ in the single barrier layer of 100nm thickness. Therefore, the NBAS processed $Al_2O_3$ high dense barrier layer is very suitable in the high efficiency OLED application.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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