• 제목/요약/키워드: Defect structures

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Undoped and heavily MgO-doped $LiNbO_3$ 결정의 성장 및 결함구조 (Growth and defect structures of undoped and heavily MgO-doped LiNbO3 single crystals)

  • 김상수
    • 한국결정성장학회지
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    • 제9권5호
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    • pp.447-453
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    • 1999
  • Czochralski법으로 congruent한 조성(48.6 mol% $LiNbO_2$)과 $LiNbO_3$: Mg(4.5, 6.0, 10.0, 20.0mol%), $LiNbO_3$ : Mn(0.1 mol%), $LiNbO_3$: Fe(0.05 mol%), $LiNbO_3$ : (Mg(4.5)+Mn(0.1), Fe(0.05 mol%)), LiNbO3 : (Mg(20.0)+Mn(0.1), Fe(0.05 mol%))인 융액으로부터 결정을 c-축 방향으로 성장시켰다. 이 결정들은 상온에서의 XRD pattern과 상온~$1230^{\circ}C$의 온도영역과 100Hz~10MHz의 주파수영역에서의 유전상수, 상온에서의 UV_VIS, IR 스펙트럼, 결정내의 Mn2+, Fe3+ 이온에 대한 ESR 스펙트럼 등을 측정하였는데 XRD pattern과 상전이 온도, UV 흡수단, OH- 이온에 의한 스펙트럼, ESR 스펙트럼 등의 Mg첨가량 의존성으로부터 Mg가 첨가된 $LiNbO_3$ 결정의 결함구조에 대해서 논의하였다. congruent한 $LiNbO_3$결정과 Mg를 첨가한 $LiNbO_3$ 결정에서의 Mn2+ 이온은 Mg의 첨가량에 관계없이 Li+을 치환한다. 그러나 congruent한 $LiNbO_3$ 결정과 Mg를 첨가한 $LiNbO_3$ 결정에서의 Fe3+ 이온은 Mg가 4.5 mol% 첨가된 결정에서는 Li+ 자리를 Mg가 6.0 mol% 이상 첨가된 결정에서는 {{{{ { Nb}`_{Li } ^{5+ } }}}} 자리를 치환한다.

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도시공원 생태적 배식의 조성 단계별 문제점 고찰 및 개선방안 -서울시 여의도공원 자연생태의 숲을 사례로- (Problem Analysis and Suggestion for Improved Approaches to Ecological Planting and the Establishment of Urban Parks -A Case Study of the Nature Ecological Forest in Yeouido Park, Seoul-)

  • 성경호;이경재;최진우;김종엽
    • 한국조경학회지
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    • 제39권2호
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    • pp.91-102
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    • 2011
  • 본 연구에서는 국내 현실을 고려한 도시공원의 생태적 배식기법을 마련하기 위해 여의도공원 자연생태의 숲의 조성단계별 문제점과 원인을 고찰하여 개선방안을 제시하였다. 실시설계단계에서는 가장 중요한 배식모델과 도면작성이 불명확하게 제시되었고, 식재수량 및 규격이 비현실적이었다. 시공단계에서는 설계도면과 다른 유사수종 및 다른 규격의 수목이 식재되었고, 목표군락에 따른 토양환경 기반 조성이 이루어지지 못해 생태적 배식에 한계가 있었다. 관리단계에서는 하자보식 처리가 미흡하고, 하자보수 담보기간 이후의 관리대책이 부재하였다. 도시공원 생태숲 조성을 위한 단계별 개선방안을 제시하였다. 실시설계단계에서는 반드시 목표 배식모델을 고려하여 교목층, 아교목층, 관목층별 식재도면을 작성해야 하고, 수목 자원조사결과를 통해 현실적으로 가능한 식재종 및 규격을 제시해야 한다. 시공단계에서는 이식대상 수목에 인식표를 부착하여 적정한 식재종 및 규격으로 식재가 이루어져야 하며, 수종 변경시 식재모델에 적합한지를 검토하도록 시방서에 명기하고, 규격 변경시 실제규격으로 준공처리를 하고, 목표모델에 적합한 토양이 유입될 수 있도록 반입 토양의 의무적인 분석이 필요하다. 관리단계에서는 관급수목에 대한 하자처리를 위해 설계시 일정 할증율을 반영하고, 하자보수 담보기간을 2년에서 5년으로 확대하며, 시간변화에 따른 목표군락별 변화과정을 관찰할 수 있도록 준공후 5년 동안 모니터링 의무화 등이 필요하다.

수부 손상에서 정맥이식의 유용성 (Usefulness of Venous Graft in Hand Injury)

  • 이학승;김연환;김창연;김정태;안희창
    • Archives of Plastic Surgery
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    • 제37권4호
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    • pp.396-399
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    • 2010
  • Purpose: In hand injury, pedicle is usually damaged by avulsion injury or crushing injury. Because of postoperative pedicle obliteration, it is often hard to save the injured hand and fingers, even after successful replantation. The author introduces three cases of extensive hand injury, and successful results after applicatoin of multiple venous grafts to these patients. Methods: In all cases there was no circulation in any finger. In the first case, some vessels were extracted, so venous graft was applied to two sites of severely damaged venous sites. In the second case, venous grafts were applied to all four digital arteries of all fingers except thumb which got severely crushed, and two sites of dorsal veins. In the third case, venous graft was applied to all four digital arteries of all five fingers, and two sites of dorsal veins and palmar veins each. Results: In all cases, survival of hands and fingers was successful. In the second case, however, amputation in thumb and little finger at DIP joint level was inevitable, because of its severe damage, and the large dorsal defect on index finger was filled with DIEP free flap. Thumb was reconstructed with toe-to-thumb free flap, and additional debulking procedures and contracture release is furtherly needed. In the first case, additional surgery was done, as FDP tendon got re-ruptured, but in long term follow-up, satisfactory range of motion was attained. In the third case, FTSG on dorsal skin region was planned. as flap on dorsal area got partial necrosis. Conclusion: In hand injury, there are many structures to be repaired, but sometimes venous graft is avoided for its long operating time. Even though the length of damaged vessel is enough for anastomosis, the endothelium is often damaged (zone of injury). In extensive hand injury, successful reconstruction would be possible with active venous graft to all vessels suspicious for damage.

Characterization of SiC nanowire synthesize by Thermal CVD

  • 정민욱;김민국;송우석;정대성;최원철;박종윤
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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    • pp.74-74
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    • 2010
  • One-dimensional nanosturctures such as nanowires and nanotube have been mainly proposed as important components of nano-electronic devices and are expected to play an integral part in design and construction of these devices. Silicon carbide(SiC) is one of a promising wide bandgap semiconductor that exhibits extraordinary properties, such as higher thermal conductivity, mechanical and chemical stability than silicon. Therefore, the synthesis of SiC-based nanowires(NWs) open a possibility for developing a potential application in nano-electronic devices which have to work under harsh environment. In this study, one-dimensional nanowires(NWs) of cubic phase silicon carbide($\beta$-SiC) were efficiently produced by thermal chemical vapor deposition(T-CVD) synthesis of mixtures containing Si powders and hydrocarbon in a alumina boat about $T\;=\;1400^{\circ}C$ SEM images are shown that the temperature below $1300^{\circ}C$ is not enough to synthesis the SiC NWs due to insufficient thermal energy for melting of Si Powder and decomposition of methane gas. However, the SiC NWs are produced over $1300^{\circ}C$ and the most efficient temperature for growth of SiC NWs is about $1400^{\circ}C$ with an average diameter range between 50 ~ 150 nm. Raman spectra revealed the crystal form of the synthesized SiC NWs is a cubic phase. Two distinct peaks at 795 and $970\;cm^{-1}$ over $1400^{\circ}C$ represent the TO and LO mode of the bulk $\beta$-SiC, respectively. In XRD spectra, this result was also verified with the strongest (111) peaks at $2{\theta}=35.7^{\circ}$, which is very close to (111) plane peak position of 3C-SiC over $1400 ^{\circ}C$ TEM images are represented to two typical $\beta$-SiC NWs structures. One is shown the defect-free $\beta$-SiC nanowire with a (111) interplane distance with 0.25 nm, and the other is the stacking-faulted $\beta$-SiC nanowire. Two SiC nanowires are covered with $SiO_2$ layer with a thickness of less 2 nm. Moreover, by changing the flow rate of methane gas, the 300 sccm is the optimal condition for synthesis of a large amount of $\beta$-SiC NWs.

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콘크리트 교면용 도막방수재로 사용되는 MMA 수지의 배합비율에 따른 경화상태 및 기본 물성에 관한 연구 (Hardening State and Basic Properties Changes According to the Mixture Ratio of MMA Resin Used as a Waterproofing Coating Material in Concrete Bridges)

  • 안기원;강효진;오상근
    • 한국건설순환자원학회논문집
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    • 제7권3호
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    • pp.224-234
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    • 2019
  • 토목구조물의 교면은 토목구조물 상부에 방수층이 존재하고 방수층 상부에 아스콘이나 콘크리트로 포장층을 마무리하여 교면의 시공을 완성하고 있다. 그러나 아스팔트계열은 뛰어난 감온성으로 고온에서 용융되는 취약한 특성을 지녔고, 이는 아스콘 포설시 고온으로 인하여 방수재가 용융되어 두께저하로 인한 하자 발생률이 증가하게 된다. 본 연구에서는 교면에 적용되는 MMA(Methyl Methacrylate)의 경질 Type과 연질 Type에 대하여 동시 사용시 배합에 따른 경화상태를 확인하고 각각의 인장강도와 신장률이 관련 품질기준에 대한 성능 만족 여부와 적정 배합비율을 확인해 보고자 한다. 그 결과 MMA 경질 수지 또는 연질 수지를 단독으로 사용하게 될 경우 경질 수지는 인장특성을 연질 수지는 신장특성이 명확하게 나타나기 때문에 수지의 단독 사용으로는 KS F 4932의 인장성능 품질기준을 만족시키지 못하는 것으로 나타났고, 파우더 양이 총 배합량 중 56.25%를 초과하게 될 경우에는 경화 후 표면에 공극이 발생되고 셀프 레벨링이 불가능하여 불균질한 표면을 형성하는 것으로 확인되었다. 또한, 경질 수지: 연질 수지: 파우더 비율을 15g: 85g: 150g으로 설정한 시험편은 인장강도 $1.5N/mm^2$, 신장률 133%가 나타남에 따라 KS F 4932의 인장성능을 만족하는 것으로 확인되었다.

상악 측절치 결손이 어린이 안면골격과 치열궁 형태에 미치는 영향 (Effects of Maxillary Lateral Incisor Agenesis on Skeletodental Characteristics in Mixed Dentition)

  • 남시연;신종현;김지연;정태성;김신
    • 대한소아치과학회지
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    • 제46권2호
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    • pp.147-157
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    • 2019
  • 이 연구는 상악 측절치 선천결손을 보이는 초기 혼합치열기 아동의 골격 및 치아치조 특성을 평가하고자 하였다. 부산대학교 치과병원 소아치과에 교정진단 및 치료를 목적으로 내원한 초기 혼합치열기의 상, 하악 유견치가 모두 존재하는 아동 중, 상악 측절치를 제외한 나머지 치아 결손이 없는 38명의 상악 측절치 결손군과 대상 기준을 만족시키는 동일한 치령의 대조군 38명을 선정하였다. 각 군의 측모 두부계측 방사선분석과 모형 분석의 측정값을 비교하여 상악 측절치 결손군의 골격 및 치아치조 특성을 평가하였다. 성별에 따른 결손의 총 비율은 남아가 더 높았고 편측 결손군에서는 남아의 비율이 더 높았지만 양측 결손군에서는 여아의 비율이 더 높았다. 모형 분석에서 결손군은 대조군에 비해 상악 전방부 폭경 대 장경 비가 크게 나타났고(p = 0.003), 총악궁둘레는 작게 나타났다(p = 0.04). 측모 두부계측 방사선분석 결과, 골격 및 치아적 측면에서는 유의한 차이가 없었고, 연조직 외형에서 결손군이 대조군에 비해 nasolabial angle이 큰 값을 나타냈다(p = 0.039). 상악 측절치 결손 아동의 골격 및 치아치조 특징에 유념하여 뚜렷한 안모 및 기능 이상을 보이기 이전에 조기 진단 후 적절한 관리를 통해 기능적 결함의 가능성을 최소화 시키는 것이 추천된다.

낙동강 수변 생태복원지 시공 후 4년간(2007~2010년) 식생구조 변화 모니터링 (Monitoring of Plant Community Structure Change for Four Years(2007~2010) after Riparian Ecological Restoration, Nakdonggang(River))

  • 기경석;김종엽
    • 한국환경생태학회지
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    • 제26권5호
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    • pp.707-718
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    • 2012
  • 본 연구는 낙동강수계 매수토지 생태복원지를 대상으로 2007년 복원 공사 직후부터 4년간의 식생구조 변화를 모니터링하고 식생 관리방안을 제시하고자 하였다. 연구대상지는 낙동강 수계 생태복원지 중 총 15개소($208,342m^2$)를 대상지로 하였고 조사는 2007년 11월, 2008년 9월, 2009년 10월, 2010년 9월에 각각 시행하였다. 식재종 및 개체수 변화 분석 결과 교목층은 당단풍나무, 상수리나무, 신나무, 갈참나무, 굴참나무 등은 비교적 개체수가 증가하거나 변화가 없었고 떡갈나무, 말채나무, 뽕나무, 쪽동백나무, 팥배나무는 100% 고사한 것으로 나타났다. 관목은 초본과 덩굴성 식물에 의한 피압으로 대부분 고사하였다. 식재밀도는 4년간 평균 28주/$100m^2$ ${\rightarrow}$ 20주/$100m^2$ ${\rightarrow}$ 16주/$100m^2$ ${\rightarrow}$ 16주/$100m^2$로 감소하였다. 생장량은 복원 공사 직후 이식에 따른 스트레스로 다소 감소하였으나 이후 활착이 이루어짐에 따라 안정화되는 경향을 나타내었다. 흉고단면적 변화는 2007년 복원직후에 $507.1cm^2/100m^2$이던 것이 2008년에 $301.8cm^2/100m^2$로 감소하였으며 이후에는 $324.9cm^2/100m^2$(2009년), $372.7cm^2/100m^2$(2010년)으로 다소 증가하는 경향을 나타내었다. 수변 생태복원지의 식재구조 개선을 위해서는 토양습도를 고려한 수종의 선정과 대상지 여건을 고려한 적정 식재구조의 차별화가 필요하였다.

New Approaches for Overcoming Current Issues of Plasma Sputtering Process During Organic-electronics Device Fabrication: Plasma Damage Free and Room Temperature Process for High Quality Metal Oxide Thin Film

  • Hong, Mun-Pyo
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.100-101
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    • 2012
  • The plasma damage free and room temperature processedthin film deposition technology is essential for realization of various next generation organic microelectronic devices such as flexible AMOLED display, flexible OLED lighting, and organic photovoltaic cells because characteristics of fragile organic materials in the plasma process and low glass transition temperatures (Tg) of polymer substrate. In case of directly deposition of metal oxide thin films (including transparent conductive oxide (TCO) and amorphous oxide semiconductor (AOS)) on the organic layers, plasma damages against to the organic materials is fatal. This damage is believed to be originated mainly from high energy energetic particles during the sputtering process such as negative oxygen ions, reflected neutrals by reflection of plasma background gas at the target surface, sputtered atoms, bulk plasma ions, and secondary electrons. To solve this problem, we developed the NBAS (Neutral Beam Assisted Sputtering) process as a plasma damage free and room temperature processed sputtering technology. As a result, electro-optical properties of NBAS processed ITO thin film showed resistivity of $4.0{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}m$ and high transmittance (>90% at 550 nm) with nano- crystalline structure at room temperature process. Furthermore, in the experiment result of directly deposition of TCO top anode on the inverted structure OLED cell, it is verified that NBAS TCO deposition process does not damages to the underlying organic layers. In case of deposition of transparent conductive oxide (TCO) thin film on the plastic polymer substrate, the room temperature processed sputtering coating of high quality TCO thin film is required. During the sputtering process with higher density plasma, the energetic particles contribute self supplying of activation & crystallization energy without any additional heating and post-annealing and forminga high quality TCO thin film. However, negative oxygen ions which generated from sputteringtarget surface by electron attachment are accelerated to high energy by induced cathode self-bias. Thus the high energy negative oxygen ions can lead to critical physical bombardment damages to forming oxide thin film and this effect does not recover in room temperature process without post thermal annealing. To salve the inherent limitation of plasma sputtering, we have been developed the Magnetic Field Shielded Sputtering (MFSS) process as the high quality oxide thin film deposition process at room temperature. The MFSS process is effectively eliminate or suppress the negative oxygen ions bombardment damage by the plasma limiter which composed permanent magnet array. As a result, electro-optical properties of MFSS processed ITO thin film (resistivity $3.9{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$, transmittance 95% at 550 nm) have approachedthose of a high temperature DC magnetron sputtering (DMS) ITO thin film were. Also, AOS (a-IGZO) TFTs fabricated by MFSS process without higher temperature post annealing showed very comparable electrical performance with those by DMS process with $400^{\circ}C$ post annealing. They are important to note that the bombardment of a negative oxygen ion which is accelerated by dc self-bias during rf sputtering could degrade the electrical performance of ITO electrodes and a-IGZO TFTs. Finally, we found that reduction of damage from the high energy negative oxygen ions bombardment drives improvement of crystalline structure in the ITO thin film and suppression of the sub-gab states in a-IGZO semiconductor thin film. For realization of organic flexible electronic devices based on plastic substrates, gas barrier coatings are required to prevent the permeation of water and oxygen because organic materials are highly susceptible to water and oxygen. In particular, high efficiency flexible AMOLEDs needs an extremely low water vapor transition rate (WVTR) of $1{\times}10^{-6}gm^{-2}day^{-1}$. The key factor in high quality inorganic gas barrier formation for achieving the very low WVTR required (under ${\sim}10^{-6}gm^{-2}day^{-1}$) is the suppression of nano-sized defect sites and gas diffusion pathways among the grain boundaries. For formation of high quality single inorganic gas barrier layer, we developed high density nano-structured Al2O3 single gas barrier layer usinga NBAS process. The NBAS process can continuously change crystalline structures from an amorphous phase to a nano- crystalline phase with various grain sizes in a single inorganic thin film. As a result, the water vapor transmission rates (WVTR) of the NBAS processed $Al_2O_3$ gas barrier film have improved order of magnitude compared with that of conventional $Al_2O_3$ layers made by the RF magnetron sputteringprocess under the same sputtering conditions; the WVTR of the NBAS processed $Al_2O_3$ gas barrier film was about $5{\times}10^{-6}g/m^2/day$ by just single layer.

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Priming과 $GA_3$ 처리에 따른 도라지, 더덕 및 만삼의 출아(出芽)와 생장(生長) (Seedling Emergence and Growth Affected by Priming and $GA_3$ Treatments to Three Campanulan Plant Seeds)

  • 강진호;김동일;강신윤;심영도;한경수
    • 한국약용작물학회지
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    • 제5권4호
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    • pp.307-313
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    • 1997
  • 발아율을 증가시키기 위하여 실험실에서 수행된 초롱꽃과 약용작물의 종자처리(種子處理)가 출아율(出芽率)과 유묘생장(幼苗生長)을 촉진할 수 있는가를 검토하기 위하여 도라지, 더덕 및 만삼 종자를 파종 전 증류수에 2일간 침지하거나, $Ca(NO_3)_2$ 150 mM에 2일간 priming 또는 $GA_3$ 0.1 mM에 3일간 침지한 3개(個) 처리(處理)로 구분하여 유묘 출아율(幼苗 出芽率)과 파종 38일 후에 유묘생장(幼苗生長)을 조사하였으며 만삼의 출아율(出芽率)이 낮은 원인을 구명하기 위하여 전자현미경으로 종자의 내부구조를 관찰하였던 바 그 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 유묘 출아율(幼苗 出芽率)에서 도라지는 Priming과 $GA_3$ 처리, 더덕은 $GA_3$ 처리, 만삼은 priming처리에서 증류수로 침지 처리하는 것보다 높았고, 출아소요일수(出芽所要日數)도 도라지와 더덕은 대조구(對照區)에 비하여 $GA_3$처리로 단축되었다. 2. 공시종(供試種) 모두 하경축장(下經軸長)은 처리간 차이가 없었던 반면, 도라지와 더덕은 priming처리로 초장(草長)은 짧고 주당엽수(株當葉數)도 적었으나 만삼은 차이가 없었다. 3. 지상부중, 근중(地上部重, 根重) 또는 주당 건물중(株當 乾物重)은 대조구(對照區)에 비하여 $GA_3$ 처리에서 높은 반면, priming 처리에서 낮았다. 4. 만삼의 출아율저조원인(出芽率低調原因)은 무경(無經), 천(賤)의 형태적(形態的) 결함(缺陷) 등 종자구조에서 비롯되는 것으로 분석되었다.

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열 화학기상증착법을 이용한 탄화규소 나노선의 합성 및 특성연구 (Characterization of SiC nanowire Synthesized by Thermal CVD)

  • 정민욱;김민국;송우석;정대성;최원철;박종윤
    • 한국진공학회지
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    • 제19권4호
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    • pp.307-313
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    • 2010
  • 본 연구에서는 열 화학기상증착법(thermal chemical vapor deposition)을 이용하여 분말 형태의 규소(Si)와 염화니켈 수화물 $(NiCl_2{\cdot}6H_2O)$을 혼합한 후 탄소공급원인 $CH_4$ 가스를 주입하여 탄화규소 나노선(SiC nanowire)을 합성하였다. 합성 온도와 $CH_4$ 가스 유량 변화에 따른 탄화규소 나노선의 구조적 특성을 분석한 결과, 합성온도가 $1,400^{\circ}C$, $CH_4$ 가스의 유량이 300 sccm인 경우가 탄화규소 나노선의 합성에 최적화된 조건임을 라만 분광법(Raman spectroscopy)과 X-선 회절(X-ray diffraction), 주사전자현미경(scanning electron microscopy), 그리고 투과전자현미경(transmission electron microscopy) 분석을 통해 확인하였다. 합성된 탄화규소 나노선의 직경은 약 50~150 nm이며, 곧은 방향성과 높은 결정성을 가지는 입방구조(cubic structure)를 지니고 있었다.