• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제13권12호
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• pp.6-9
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• 2000

Over the years of decades, the memory technology has progressed a long, marble way. As we have evidenced from the Intel's 1Kb DRAM in 1970 to the Gigabit era of 2000's, the road further ahead towards the Terabit era will be unfolded. The technology once perceived inconceivable is in realization today, and similarly roadblocks as we know of today mayvecome trivial issues for tomorrow. For the inquiring mind, the question is how the "puzzle"of tomorrow's memory technology is pieced-in today. The process will take place both in evolutionary and revolutionary ways. Among these, note-worthy are the changes in DRAM architecture and the cell process technology. In this paper, some technical approaches will be discussed to bring these aspects into a general overview and a per-spective with possibilities for the new memory technology will be presented.presented.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제3권3호
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• pp.213-217
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• 1997

In this paper, the imparct of X-ray and plasma process-induced-damages to La doped Lead Zirconate Titanate (PLZT, (Pb1-xLa)(Zr0.5Ti0.5)O3) capacitor characteristics have been investigated from the viewpoint of gigabit scale dynamic random access memory (DRAM) applications. Plamsa damage causes asymmetric degradation on hysteresis characteristics of PLZT films. On the other hand, X-ray damage results in a symmetrical reduction of charge storage densities (Qc's) for both polarities. As La concentration increases in the films, the radiation hardness of PLZT films on X-ray and plasma exposures is improved. It is observed that the damaged devices are fully recovered by thermal annealing under oxygen ambient.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.17-20
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• 2000

Over the years of decades, the memory technology has progressed a long, marble way. As we have evidenced from the Intel’s 1Kb DRAM in 1970 to the Gigabit era of 2000’s, the road further ahead towards the Terabit era will be unfolded. The technology once perceived inconceivable is in realization today, and similarly roadblocks as we know of today may become trivial issues for tomorrow. For the inquiring mind, the question is how the “puzzle” of tomorrow’s memory technology is pieced-in today. The process will take place both in evolutionary and revolutionary ways. Among these, note-worthy are the changes in DRAM architecture and the cell process technology. In this paper, some technical approaches will be discussed to bring these aspects into a general overview and a perspective with possibilities for the new memory technology will be presented.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
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• pp.653-654
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• 2006

A Pre-emphasis transmitter for DRAM bus system has achieved 3.2Gbps/pin operation at 1.8V supply voltage with 0.18um CMOS process. The transmitter has 800MHz PLL to generate 4 phase clocks. The 4 phase clocks are used for input clock of PRBS and multiplexing. One tap pre-emphasis is used to reduce inter symbol interference (ISI) caused by channel low pass effects. The analog calibration makes the optimized driver impedance independent with the PVT variation.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권4호
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• pp.336-343
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• 1996

We have studied the preparation and the properties of $Ba_{1-x}$Sr$_{x}$TiO$_{3}$(BST) thin films by using the sol-gel method. Through the comparison of the effects of various solvents and additives in making solutions, we establish the production method of the stable solution which generates the high quality of BST film. We also set up the heat-treatment conditions for depositing the BST thin film through the TGA and XRD analyses. Through the comparison of the surface conditions of BST films deposited on Pt/Ta/SiO$_{2}$/Si and Pt/Ti/SiO$_{2}$/Si substrates, we find that Ta is more efficient diffusion barrier of Si than Ti so that Ta layer prevents the formation of hillocks. We fabricate the planar type capacitor and measure the dielectric properties of the BST thin film deposited on the Pt/Ta/SiO$_{2}$/Si substrate. Dielectric constant and dielectric loss tangent at 1V, 10kHz, and leakage current density at 3V of the BST thin film are 339, 0.052 and 13.3.mu.A/cm$^{2}$, respectively.ely.

• 사물인터넷융복합논문지
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• 제9권1호
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• pp.71-76
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• 2023

최근 빅데이터를 저장 및 관리하기 위해 대용량 데이터를 안정적으로 접근할 수 있는 고성능의 저장시스템 개발과 연구가 활발하게 진행되고 있다. 특히 데이터센터 및 엔터프라이즈 환경의 저장시스템에서는 대용량의 데이터를 관리하기 위해 대용량의 SSD(solid state disk)가 대량으로 사용되고 있다. 일반적으로 SSD는 미디어인 NAND 플래시 메모리의 특성을 감추고 데이터를 관리를 효율적으로 하기 위해 FTL(flash transfer layer)을 사용한다. 그러나 FTL의 알고리즘은 SSD의 용량이 커질수록 데이터가 저장된 NAND의 위치 정보를 관리하기 위해 DRAM을 많이 사용하는 한계가 있다. 따라서 본 논문에서는 FTL에서 사용하는 DRAM 자원을 줄이기 위한 가상 메모리 (virtual memory)를 적용한 FTL 정책을 소개한다. 본 논문에서 제안하는 가상 메모리 기반 FTL 정책은 LRU(least recently used) 정책을 사용하여 최근 사용된 데이터의 멥핑 정보를 DRAM 공간에 적재하고 이전에 사용된 정보는 NAND에 저장하는 방식으로 멥 데이터를 관리한다. 마지막으로 실험을 통해 가상 메모리 기반의 FTL과 일반 FTL의 데이터 쓰기 처리를 하는 동안 소모되는 성능과 자원의 사용량을 측정하고 분석한다.

• 한국광학회지
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• 제6권3호
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• pp.188-200
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• 1995

파장 13nm의 연 X-선을 사용하여 초고밀도 반도체 칩을 네작할 수 있는 고분해능의 투사 결상용 2-반사경계(배율=1)을 설계하였다. 등배율(1:1)의 광학계는 holosymmetric system으로 구성하였을 때 코마와 왜곡수차가 완전히 제거되는 이점을 갖는다. 2-반사경 holosymmetric system에서 추가적으로 구면수차를 제거하기 위해 두 반사경을 동일한 포물면으로 만들고 두 반사경 사이 거리를 조절하여 비점수차와 Petzval 합이 상쇄되게 함으로써 상면만곡 수차를 보정하였다. 이렇게 구한 aplanat flat-field 포물면 2-반사경 holosymmetric system은 크기가 작고 광축회전대칭의 간단한 구조를 가지면 중앙부 차폐가 아주 작다는 특징을 갖고 있다. 이 반사경계에 대해 잔류 수차, spot diagrams, 회절효과가 고려된 NTF의 분석 등을 통해 연 X-선 리소그라피용 투사 광학계로서의 성능이 조사된 결과, $0.25\mum$및. $0.18\mum$의 해상도가 얻어지는 상의 최대 크기가 각각 4.0mm, 2.5mm로 구해졌고 초점심도는 각각 $2.5.\mu$m, $2.4.\mum$로 얻어졌다. 그러므로 이 반사경계는 256Mega DRAM 및 1Giga DRAM의 반도체 칩 제작의 연구에 응용될 수 있다.

• Journal of Platform Technology
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• 제11권4호
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• pp.50-61
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• 2023

다양한 빅데이터 기술의 발전은 많은 산업에 큰 영향을 미치고 있으며, 방대한 양의 데이터를 빠르게 처리하고 분석하기 위해 여러 연구가 진행되고 있다. 이러한 상황에서 인텔 차세대 대용량 영구 메모리 모듈이나 CXL과 같은 새로운 형태의 메모리와 컴퓨팅 기술이 크게 주목받고 있다. 그러나, 현존하는 대부분의 빅데이터 소프트웨어 플랫폼들은 여전히 기존의 전통적인 DRAM 환경을 기반으로 최적화되어 있으며, 특히 빅데이터 실시간 검색 플랫폼 관련 연구는 상대적으로 미흡한 실정이다. 본 연구에서는 차세대 영구 메모리인 인텔 옵테인 영구 메모리의 기본 성능을 평가하고, 옵테인 영구 메모리 기반 시스템에서 빅데이터 실시간 검색 플랫폼으로 유명한 Elasticsearch의 다양한 성능 분석 결과를 통해 대용량 영구 메모리의 효용성과 가능성을 검증한다. 본 논문은 대용량 영구 메모리 기반 시스템이 기존 DRAM 기반 시스템에 비하여 색인과 검색 측면에서 각각 1.45배, 3.2배의 성능 향상을 확인하였고, 이를 통해 고성능 I/O와 대용량, 비휘발성 등의 다양한 이점을 가진 차세대 영구 메모리가 Elasticsearch와 같은 빅데이터 검색 플랫폼에서 좋은 대안이 될 수 있음을 확인하였다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제20권1호
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• pp.149-153
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• 2020

본 논문은 스마트폰 시스템에서 DRAM과 NVRAM으로 구성된 이기종 메모리를 위한 페이지 배치 기법을 제안한다. 이기종 메모리에 관한 기존 연구와 달리 본 논문은 메모리 접근에 대한 오프라인 분석에 기반하여 메모리 페이지를 배치한다. 이는 스마트폰 메모리 접근이 애플리케이션의 종류와 무관하게 특정 주소 영역에 집중적으로 나타나며, 쓰기 연산에 있어 그 편향성이 일관되게 나타난다는 점을 반영한 것이다. 제안한 기법은 오프라인 분석 결과를 토대로 NVRAM에 쓰기 트래픽이 적게 발생하도록 페이지 배치를 수행하며, 실험 결과 NVRAM에 발생하는 쓰기량을 성능 저하 없이 평균 61% 줄이는 것을 확인할 수 있었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제16권6호
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• pp.781-792
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• 2016

This paper presents a new approach to enhance the data retention of logic-compatible embedded DRAMs. The memory bit-cell in this work consists of two logic transistors implemented in generic triple-well CMOS process. The key idea is to use the parasitic junction capacitance built between the common cell-body and the data storage node. For each write access, a voltage transition on the cell-body couples up the data storage levels. This technique enhances the data retention and the read performance without using additional cell devices. The technique also provides much strong immunity from the write disturbance in the nature. Measurement results from a 64-kbit eDRAM test chip implemented in a 130 nm logic CMOS technology demonstrate the effectiveness of the proposed circuit technique. The refresh period for 99.9% bit yield measures $600{\mu}s$ at 1.1 V and $85^{\circ}C$, enhancing by % over the conventional design approach.