• 제목/요약/키워드: DC resistivity

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한국의 전기비저항탐사 (Electrical Resistivity Methods in Korea)

  • 김희준
    • 자원환경지질
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    • 제39권4호
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    • pp.473-483
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    • 2006
  • 비록 2차 세계대전 이전에 자연전위가 관측되었다는 기록도 있기는 하지만, 한국에서 대전 이후 서서히 발전하던 전기탐사가 본격적으로 보급된 것은 1980년대 이후의 일이다. 다른 선진국과 달리 한국의 경우 전기비저항법을 환경문제보다 토목 건설 문제에 상대적으로 더 많이 적용하고 있다. 다른 모든 기술분야와 마찬가지로 반도체산업의 발전은 자료 수집과 잡음 감쇄처리에서 혁신을 가져왔으며, 지난 25년 동안 전기비저항 자료의 수집, 처리 및 해석에 있어서 두드러진 발전이 있었다. 평활화제약 모델에 의한 2차원 전기비저항 역산의 개발은 지난 40년 동안 물리탐사 자료해석에서 가장 현저한 변화 중 하나이며, 지금은 겉보기비저항 자료에 일반적으로 적용되고 있다. 전기비저항 분포를 가단면도가 아니라 단면도로 나타낼 수 있게 된 것은 자료해석에 혁신을 가져왔다. 일반적인 전자기 문제에서는 감도 계산을 위해 대단히 많은 전진 모델링을 필요로 하지만, 전기비저항법에서는 전류원과 수신점이 같은 위치를 차지하기 때문에 계산효율이 높아서 이전에는 처리하기 어려웠던 3차원 역산도 이제는 가능해졌다.

콘크리트 상부에서 전기비저항 탐사 적용 및 지구통계학적 복합 해석 (Application of DC Resistivity Survey from Upper Portion of Concrete and Geostatistical Integrated Analysis)

  • 이희순;오석훈;정호준;노명근;지윤수;안태규;송성호;용환호
    • 한국지구과학회지
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    • 제35권1호
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    • pp.29-40
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    • 2014
  • 콘크리트 도로 하부의 이상대를 찾기 위해 전기비저항 탐사를 수행하였다. 콘크리트의 접지저항효과를 줄이기 위해 전기전도성이 좋은 매질과 평판 전극을 이용하였다. 전기비저항 탐사 결과를 분석하고 같은 장소에서 수행한 지하투과레이더 탐사, 충격응답기법, 다중채널 표면파 탐사 결과와 비교하였다. 전기비저항 탐사 결과는 함몰과 포장 구간에서 높은 비저항 분포를 보였으며, 지하투과레이더 탐사 결과는 보강으로 인한 형태를 보였다. 또한 충격응답기법과 전기비저항 탐사 결과의 비교를 통하여 보강 구간에서의 높은 동적강성도가 높은 비저항 분포의 원인임을 확인하였다. 동일한 장소에서 수행한 전기비저항 탐사와 다중채널 표면파 탐사 결과를 공동 크리깅한 결과, 지구통계학적 복합 해석이 각 지구물리 탐사결과에 대한 개별적인 분석보다 더 명확하게 이상대를 확인 할 수 있었다. 이 연구는 지구물리 탐사에 기초한 의사결정 과정에서 지구통계학을 이용한 복합 해석 결과의 활용 가능성을 제시한다.

DC Potential Drop Method for Evaluating Material Degradation

  • Seok, Chang-Sung;Bae, Bong-Kook;Koo, Jae-Mean
    • Journal of Mechanical Science and Technology
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    • 제18권8호
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    • pp.1368-1374
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    • 2004
  • The remaining life estimation for the aged components in power plants as well as chemical plants are very important because mechanical properties of the components are degraded with in-service exposure time in high temperatures. Since it is difficult to take specimens from the operating components to evaluate mechanical properties of components, nondestructive techniques are needed to evaluate the degradation. In this study, test materials with several different degradation levels were prepared by isothermal aging heat treatment at $630^{\circ}C$. The DC potential drop method and destructive methods such as tensile and fracture toughness were used in order to evaluate the degradation of 1Cr-1Mo-0.25V steels. In this result, we can see that tensile strength and fracture toughness can be calculated from resistivity and it is possible to evaluate material degradation using DC potential drop method, non-destructive method.

La$_{1.6}$Ca$_{1.4}$Mn$_2$O$_{7.07}$의 전기전도특성 (Electical Transport Properties of La$_{1.6}$Ca$_{1.4}$Mn$_2$O$_{7.07}$ System)

  • 정우환
    • 한국세라믹학회지
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    • 제36권8호
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    • pp.843-847
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    • 1999
  • The dc resistivity dc magnetization and thermopower of layered perovskite La1.6Ca1.4Mn2O7.07 have been studied. The ceramic sample of La1.6Ca1.4Mn2O7.07 undergoes the metal-insulator transition at 120K while a first-order phase transition from a ferromagnetic phase to a paramagnetic phae is observed at 260 K=TC This behavior is quite different from that of the well-known double exchange ferromagnets such as La1-xCaxMnO3 This phenomenon could be understood by considering the effects of the anisotropic double exchange interaction caused by two dimensional Mn-O-Mn networks in this materials. The dc magnetization between 120K and 250K is nearly constant and decreases rapidly with increasing temperature above 250K The measurements of dc resistivity and thermopower indicate that Zener polaron hopping conduction takes place above 260 K.

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DC 마그네트론 스퍼터법에 의한 ITO 투명전도막 특성 (Properties of ITO Transparent Conducting Film by DC Magnetron Sputtering Method)

  • 박강일;김병섭;임동건;박기엽;곽동주
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체 세라믹
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    • pp.95-98
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    • 2003
  • Tin doped indium oxide(ITO) films, which is widely used as a transparent conductor in optoelectronic devices such as solar cell, liquid crystal display, plasma display panel, thermal heater, and other sensors, were prepared by using the capacitively coupled DC magnetron sputtering method. The influence of the substrate temperature, working gas pressure and deposition time on the electrical, optical and morphological properties were investigated experimentally. ITO films with the optimum growth conditions showed resistivity of $2.36{\times}10^{-4}(\Omega}-cm$ and transmittance of 86.28% for a film 680nm thick in the wavelength range of the visible spectrum.

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DC Magnetron Sputtering 법에 의한 AC Plasma Display panel의 Cr/Cu/Cr 금속전극 제조 (DC Magnetron Sputtering of Cr/Cu/Cr Metal Electrodes for AC Plasma Display panel)

  • 남대현;이경우;박종완
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제13권8호
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    • pp.704-710
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    • 2000
  • Metal electrode materials for plasma display panel should have low electrical resistivity in order to maintain stable gas discharge and have fast response time. They should also hae good film uniformity adhesion and thermal stability. In this study Cr/Cu/Cr metal electrode structure is formed by DC magnetron sputtering. Cr and Cu films were deposited on ITO coated glasses with various DC power density and main pressures as the major parameters. After metal electrodes were formed a heat treatment was followed at 55$0^{\circ}C$ for 20 min in a vacuum furnace. The intrinsic stress of the sputtered Cr film passed a tensile stress maximum decreased and then became compressive with further increasing DC power density. Also with increasing the main pressure stress turned from compression to tension. After heat the treatment the electrical resistivity of the sputtered Cu film of 2${\mu}{\textrm}{m}$ in thickness prepared at 1 motor with the applied power density of 3.70 W/cm$^2$was 2.68 $\mu$$\Omega$.cm With increasing the main pressure the DC magnetron sputtered Cu film became more open structure. The heat treatment decreased the surface roughness of the sputtered Cr/Cu/Cr metal electrodes.

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반응성 DC 마그네트론 스퍼터링법으로 증착한 ITO 박막의 전기적 특성 평가 (Electrical Properties of ITO Thin Film Deposited by Reactive DC Magnetron Sputtering using Various Sn Concentration Target)

  • 김민제;정재헌;송풍근
    • 한국표면공학회지
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    • 제47권6호
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    • pp.311-315
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    • 2014
  • Indium tin oxide (ITO) thin films (30 nm) were deposited on PET substrate by reactive DC magnetron sputtering using In/Sn(2, 5 wt.%) metal alloy target without intentionally substrate heating during the deposition under different DC powers of 70 ~ 110 W. The electrical properties were estimated by Hall-effect measurements system. The resistivity of ITO thin film deposited using In/Sn (5 wt.%) metal alloy target at low DC power increased with increasing annealing time. However, they increased with increasing annealing time at high DC power. In the case of ITO (Sn 2 wt%), we can't find clear change in resistivity with increasing annealing time. However, carrier density and mobility showed difference behavior due to change of oxygen vacancy.

전기비저항 모니터링을 이용한 해수침투 파악 (Detection of Sea-water Intrusion Caused by Tidal Action Using DC Resistivity Monitoring)

  • 황학수;이상규;고동찬;김양수;박인화
    • 지구물리와물리탐사
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    • 제3권1호
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    • pp.1-6
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    • 2000
  • 조사지역은 해안과 인접한 경기도 화성군 석천리에 위치하고 있으며, 그 면적은 약 1$km^2$이다. 이 지역은 기아 자동차 화성공장 건설 이전에 이미 해수침투에 의해 오염된 지역으로 알려져 왔으나, 지구물리적 또는 지구화학적 방법을 통하여 해수침투에 의한 오염분포 현황과 오염의 계속적인 진행 여부가 체계적으로 연구되지 않은 지역이다. 그러므로 본 연구에서는 지구물리적 방법(슐럼버져배열의 전기비저항 수직탐사, 쌍극자-쌍극자배열의 2차원 전기비저항탐사)을 사용하여 해수침투에 의해 오염된 범위 및 해수침투의 주 경로를 파악하고자 하였으며, 또한 해수침투의 진행 여부를 판단할 수 있는 하나의 증거인 조석운동에 의한 해수의 유동을 확인하기 위하여 슐럼버져배열을 사용한 전기비저항 모니터링도 수행하였다. 전기비저항 수직탐사의 결과로부터 조사지역은 2개의 영역, 즉 $\~30$ ohm-m 이하 그리고 그 이상의 전기비저항 분포를 나타내는 영역으로 구분된다. 여기서, $\~30$ ohm-m 이하의 낮은 전기비저항을 보이는 부분은 조사지역의 천부에 존재하는 점토층의 분포와 일치하며, 구 해안선으로 갈수록 점토층의 전기비저항은 매우 낮은 값을 갖는다. 수리 지질학적 분석에 의하면 구 해안선으로부터 약 200 m내에 분포하는 점토층은 해수에 의해 이미 오염되었으며, 이 같은 점토층은 하부에 존재하는 사질층의 전기전도도보다 약 8배 정도 높은 것으로 확인되었다. 북서-남동방향으로 평행하게 설정된 2개의 측선에서 수행된 2차원 전기비저항탐사의 해석 결과에 의하면 구 해안선으로부터 북동방향으로 서로 평행하게 발달된 2개의 가능한 해수침투 경로가 확인되었으며, 그 중 상대적으로 남쪽에 존재하는 침투경로는 심부 80 m이상까지 낮은 전기비저항대가 연장 발달된 것으로 해석되었다. 구 해안선으로부터 내륙으로 약 260 m되는 지점(2차원 전기비저항탐사로부터 심부 80 m 이상까지 연장 발달된 것으로 해석된 침투경로 상의 한 측점)에서 실시한 전기비저항 모니터링 자료에서 조석운동에 의한 12시간의 주기를 갖는 겉보기비저항의 변화를 확인할 수 있었다. 이 같은 사실로 보아 2차원 전기비저항탐사에서 해석된 낮은 전기비저항 이상대는 암반 내에 발달한 파쇄대로서, 조석운동에 의한 해수의 유동통로이며, 이같은 파쇄대를 따라 현재에도 해수침투가 진행되고 있다는 결론을 유추할 수 있다.

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전기비저항 주시 토모그래피 탐사자료 복합역산 기초 연구 (Joint Inversion of DC Resistivity and Travel Time Tomography Data: Preliminary Results)

  • 김정호;이명종;조창수;서정희
    • 지구물리와물리탐사
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    • 제10권4호
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    • pp.314-321
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    • 2007
  • 최근에 들어서 물성이 서로 다른 두 종류의 탐사자료의 복합역산에 대한 연구가 활발하게 이루어지고 있다. 이는 복합역산에 의하여 훨씬 더 정확한 지하구조 영상을 계산할 수 있을 뿐만 아니라 물리탐사 변수가 아닌 다른 물성 분포의 유도가 물리탐사로서 가능해지기 때문이다. 이 연구에서는 (1) cross-gradient로 정의되는 두 지하구조의 유사성의 최대화, (2) 두 물성간의 상관관계의 최대화, (3) 지하 물성 분포에 대한 선험적 정보의 3 종류 제한을 채택한 탄성파 굴절법 주시 토모그래피와 전기비저항 탐사 자료의 복합역산법을 개발하였다. 지표 전기비저항과 탄성파 굴절법 탐사의 수치실험을 통하여, 제안한 복합역산법의 효용성과 각종 제한조건의 효과를 분석하였다. 특히 제한조건을 적절히 이용할 경우, 탄성파 탐사의 저속도층에 의한 숨은 층 문제를 복합탐사 및 역산으로 해결할 수 있음을 알 수 있었다.

Electrical Properties and Microstructures in Ti Films Deposited by TFT dc Sputtering

  • Han, Chang-Suk;Jeon, Seung-Jin
    • 한국재료학회지
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    • 제26권4호
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    • pp.207-211
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    • 2016
  • Ti films were deposited on glass substrates under various preparation conditions in a chamber of two-facing-target type dc sputtering; after deposition, the electric resistivity values were measured using a conventional four-probe method. Crystallographic orientations and microstructures, including the texture and columnar structure, were also investigated for the Ti films. The morphological features, including the columnar structures and surface roughness, are well explained on the basis of Thornton's zone model. The electric resistivity and the thermal coefficient of the resistivity vary with the sputtering gas pressure. The minimum value of resistivity was around 0.4 Pa for both the $0.5{\mu}m$ and $3.0{\mu}m$ thick films; the apparent tendencies are almost the same for the two films, with a small difference in resistivity because of the different film thicknesses. The films deposited at high gas pressures show higher resistivities. The maximum of TCR is also around 0.4 Pa, which is the same as that obtained from the relationship between the resistivity and the gas pressure. The lattice spacing also decreases with increasing sputtering gas pressure for both the $0.5{\mu}m$ and $3.0{\mu}m$ thick films. Because they are strongly related to the sputtering gas pressures for Ti films that have a crystallographic anisotropy that is different from cubic symmetry, these changes are well explained on the basis of the film microstructures. It is shown that resistivity measurement can serve as a promising monitor for microstructures in sputtered Ti films.