D-raf, a Drosophila homolog of the human c-raf-1, is known as a signal transducer in cell proliferation and differentiation. A previous study found that the D-raf gene expression is regulated by the DNA replication-related element (DRE)/DRE-binding factor (DREF) system. In this study, we found the sequences homologous to transcription factor C/EBP, MyoD, STAT and Myc recognition sites in the D-raf promoter. We have generated various base substitutional mutations in these recognition sites and subsequently examined their effects on D-raf promoter activity through transient CAT assays in Kc cells with reporter plasmids p5'-878DrafCAT carrying the mutations in these binding sites. Through gel mobility shift assay using nuclear extracts of Kc cells, we detected factors binding to these recognition sites. Our results show that transcription factor C/EBP, STAT and Myc binding sites in D-raf promoter region play a positive role in transcriptional regulation of the D-raf gene and the Myo D binding site plays a negative role.
The characteristic of interface layer and the effect of bias voltage on the microstructure of c-BN films were studied in the microwave plasma hot filament C.V.D process. c-BN films were deposited on a high speed steel(SKH-51) substrate by hot filament CVD technique assisted with a microwave plasma to develop a high performance of resistance coating tool. c-BN films were obtained at a gas pressure of 20 Torr, vias voltage of 300 V and substrate temperature of $800^{\circ}C$ in $B_2H_6-NH_3-H_2$ gas system. It was found that a thin layer of hexagonal boron nitride(h-BN) phase exists at the interface between c-BN layer and substrate.
We consider some properties of the completely bounded representations of C*-algebras. We discuss the relation between the k-similarity and the property $D_k$ and get the result every k-similar C*-algebra has property $D_k$. Moreover we determine the similarity problem for the algebra C$\bigoplus$C precisely and constructively.
Raf-1, a cytoplasmic serine/threonine protein kinase, serves as a central intermediate in many signaling pathways in cell proliferation, differentiation, and development. In this study, we investigated that B-raf, Drosophila homolog of the human c-raf-1, is involved in ultraviolet (UV) responsive events by using hypomorphic mutant $D-raf^{c110}$ and Draf-lacZ transgenic fly. At first, effect of UV damage on the survival of wild-type and $D-raf^{C110}$ strains was examined. In terms of $1/LD_{50}$ value, the relative ratio of UV sensitivities of wild-type versus $D-raf^{C110}$ strain was 1 : 2.2. By using quantitative $\beta$-galactosidase activity analysis, transcriptional activity of the D-raf gene promoter was also examined in UV-irradiated Draf-lacZ transgenic larvae. UV irradiation increased the expression of lacZ reporter gene in Draf-lacZ transgenic fly. However, in $D-raf^{C110}$ strain the transcriptional activity of D-raf gene promoter by UV irradiation was extensively reduced. Results obtained in this study suggest that D-raf plays a role in UV response, leading to better survival of Drosophila to UV damage.
전남지역에 존재하는 9개 하수종말처리장(A, B, C, D, E, F, H, I, J)의 방류수가 배출되는 하천에 대한 방류수의 영향을 알아보기 위해 하천에 대한 생 지표도 평가 및 전 방류수 독성 평가(Whole effluent toxicity test)를 실시하였다. WET 평가와 생지표도 평가는 U.S. EPA 시험 방법과 Ohio EPA wading method에 근거하여 수행하였다. 전 방류수 독성 평가를 위해 표준 시험 종인 S. capricornutum과 D. magna를 사용하였다. 전 방류수 독성 평가결과 모든 지점에서 S. capricornutum 독성이 나타났으며, D. magna 독성 평가 결과에서는 A지점과 J지점을 제외한 모든 지점에서 독성 효과를 보였다. 표준 시험 종의 독성 평가 결과에 따르면 D지점에서 가장 높은 독성을 나타내었고, E지점과 F지점에서도 높은 독성 결과를 나타내었다. 이들 지역에 대한 생지표도 분석 결과 C1과 D1, J1 지점에서 낮은 종의 수 분포를 나타내었으며, A1, C1, E1, H1, J1 지점에서는 대조군 지역이나 타 지역보다 낮은 개체수를 나타내어 방류수로부터 악영향을 받고 있는 것으로 판단되었다. A1, B1, C1, D1, J1지점에서는 낮은 종의 풍부도를 보였으며, 전 방류수 독성 평가 결과에서 가장 높은 독성을 나타내었던 D지점(D1)에서는 오염에 내성이 강한 종이 매우 우점 하는 것으로 나타났다. 전 방류수 독성 평가 및 생물지수 분석결과에 따르면 모든 하천지역에서 방류수에 의한 영향이 나타나고 있는 것을 알 수 있었으며, D. magna와 S. capricornutum의 독성이 같이 나타나는 지점에서는 생 지표도 분석 결과에서도 동일하게 생태계에 영향을 주는 것으로 나타났으며, S. capricornutum만의 독성이 나타나는 지점에서도 생태계의 변화가 나타나고 있었다.
본 논문에서는 탐색 레이다에서 사용되는 C-대역의 고출력전력증폭장치 및 구성품의 설계, 제작과 측정에 대하여 기술하였다. 반도체 소자인 GaN(질화갈륨)을 적용하여 반도체전력증폭조립체를 설계 및 제작하였고, 설계 제작된 도파관 형태의 송신신호결합조립체를 통해 병렬로 구성된 반도체전력증폭조립체의 송신신호 출력을 결합하여 고출력 송신신호 출력을 발생한다. 제작된 고출력전력증폭장치는 C-대역 500 MHz 대역폭, 최대 10.5 % 듀티, 송신펄스폭 $0.0{\sim}000{\mu}s$에서 송신출력 44.98 kW(76.53 dBm) 이상이다.
For a smooth projective irreducible algebraic curve C of odd gonality, the maximal possible dimension of the variety of special linear systems ${W^r}_d$(C) is d-3r by a result of M. Coppens et at. [4]. This bound also holds if C does not admit an involution. Furthermore it is known that if dim ${W^r}_d(C)qeq$ d-3r-1 for a curve C of odd gonality, then C is of very special type of curves by a recent progress made by G. Martens [11] and Kato-Keem [9]. The purpose of this paper is to pursue similar results for curves of even gonality which does not admit an involution.
Amorpous As$\sub$10/Ge$\sub$15/Te$\sub$75/ device shows the memory switching characterisite under d.c. bias. In bulk material, a-As$\sub$10/Ge/sub15/Te$\sub$75/s switching voltage range is above 100 volts. Our purposes in this gaudy are decreasing a switching threshold voltage, finding the properties of d.c., a.c. conduction, and the characterisitics of switching threshold voltage fur a-As$\sub$10/Ge$\sub$15/Te$\sub$75/. As the results, the d.c.and a.c. conductivities increase with temperature. From the data of conductivity, various electrical and physical properties are obtained experimentally. The switching threshold voltages decrease with increasing annealing temperature and time, but increase with increasing film thickness and distance of electrode for d.c. bias.
A new tannin, polygagallin, related to acertannin, is isolated from air-dried leaves of Acer ginnala Max. as prismatic crystals with 1/2 H$_{2}$O per mole, m.p.154-155.deg. and [.alpha.]$_{D}$$^{29}$ +43.79.deg. C. Polygagllin gives hexaacetate, m.p.164.5.deg. C, [.alpha.]$_{D}$$^{28}$ +42.deg. C, on treating with anhydroacetic acid and on treating with diazomethane, gives trimethyl ether, m.p.176.deg. C, [.alpha.]$_{D}$$^{22}$ +53.43, which yields triacetate, m.p.160.5.deg. C, [.alpha.]$_{D}$$^{22}$ + 132.5.deg. C, on acetylation and is not attacked by periodate. On hydrolysis, trimethoxypolygagallin yields one mole of polygalitol and that of trimethoxygallic acid. By the above results polygalallin has been established as 3-galloylpolygalito.ygalito.galallin has been established as 3-galloylpolygalito.
1-위치에 두개의 극성치환체를 가진 2-비닐시클로프로판 1a, 1b, 1c, 1d를 300$^{\circ}C$ 이하로 가열한 결과 4,4-위치에 치환된 대응하는 시클로펜텐 2a, 2b, 2c, 2d로의 자리 옮김반응이 용이하게 일어났다. 시아노기가 치환된 1b는 용매로 희석시켜서 170${\circ}C$로 반응시켰을 때 2b로의 자리옮김이 관찰되었지만, 1c와 1d는 $200^{\circ}C$ 이상의 온도에서 반응이 일어났고, 페닐기가 치환된 1a는 $250{\circ}C$ 이상의 온도에서 반응이 일어났고, 페닐기가 치환된 1a는 250$^{\circ}C$ 에서 용매 사용없이 열반응으로 2a가 생성되었다. 1a의 시클로펜텐으로의 열적 자리옮김반응은 거의 정량적이었지만 1b, 1c, 1d의 경우에는 시클로펜텐외에 상당량의 고분자물질 3이 생성되었다. 1c의 경우에는 시클로펜텐외에 시클로프로판 고리가 열린 디엔 4가 관찰되었다. 두 기가 치환된 시클로프로판 1이 용이하게 시클로펜텐 2로 열적 자리옮김 반응을 하는 이유는 두 극성기가 반응 중간물질인 디라디칼 5를 안정화 시키는 효과로서 설명하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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