• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제4회(2015년)
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• pp.147-150
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• 2015

Polynitrogen Compounds (PNC)는 질소만으로 이루어진 물질을 칭하며, 주로 질소간의 단일 결합과 이중결합으로 이루어져 있다. 질소 간 단일결합에너지 38.4kcal/mole에 비해 유난히 큰 229kcal/mole의 삼중결합 에너지 덕택에 PNC는 고에너지 물질로 큰 각광을 받고 있다. PNC는 합성과정이 큰 흡열반응으로 실험이 까다로워 이론적인 연구가 많이 진행되어왔다. 그 중에서 고리형태의 $N_5{^-}$가 안정할 것으로 예측되며, 실험적으로도 발견되었다. $N_5{^-}$를 안정화시키기 위해 많은 연구가 진행되었으며 그 중 하나가 금속과의 결합을 통한 화합물의 안정화이다. 본 연구에서는 $N_5{^-}$와 Cyclopentadienyl($C_5H_5{^-}$)이 전자구조나 기하학적 구조가 매우 유사함에 착안하여 이미 상대적으로 많은 합성이 보고되어 있는 $M(C_5H_5)_3$, $M(C_5H_5)_4$의 전이금속 M구조에 대하여 아직 발견되지 않은 $M(N_5)_3$, $M(N_5)_4$ 화합물의 구조와 열역학적 안정성을 알아보도록 한다. 본 연구에서 찾아진 $Zr(C_5H_5)_4$은 현재까지 실험적으로 보고된 $M(C_7H_7)(C_5H_5)$ 클러스터 구조에 비해 질소함유량이 약 67% 더 높다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제28권8호
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• pp.1299-1304
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• 2007

New sulfur functionalized cyclopentadiene ligands, 1-[2-(thioanisole)]-2,5-dimethylcyclopentadiene (3), 1-[2- (thioanisole)]-2,3,5-trimethylcyclopentadiene (4), and 1-[2-(thioanisole)]-2,3,4,5-tetramethylcyclopentadiene (5), were prepared. In these ligands, the S-donor atom is connected to a cyclopentadiene ring by a rigid phenylene spacer. CpCo(III)-diiodo half-sandwich complexes (6-8) were obtained from reaction the ligands (3- 5) with Co2(CO)8, followed by treatment of I2. Substitution reaction of CpCo(III)-diiodo complexes with MeLi yielded the corresponding CpCo(III)-dimethyl complexes (9-11). Further transformation to the corresponding cationic cobalt complexes (12-14) were achieved by reaction of the CpCo(III)-dimethyl complexes with HB(ArF)4·2Et2O and trapping with CD3CN. The new sulfur functionalized cyclopentadiene ligands having a rigid phenylene spacer and the corresponding cobalt complexes were characterized by 1H, 13C and 19F NMR spectroscopy. The diiodo Complex 6 was also characterized by a single crystal X-ray diffraction method.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제13권6호
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• pp.588-592
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• 1992

A series of new ferrocene derivatives containing cyclohexylphosphines have been prepared from the reactions of lithioferrocenes with corresponding chlorodicyclohexylphosphines. 1-diphenylphosphino-1'-dicyclohexylphosphinoferro cene has been prepared from [1]-ferrocenophane via a ring cleavage reaction. Chiral ferrocenylaminophosphines incorporating cyclohexyl-and cyclopentadienylphosphines have also been prepared from the chiral template 2-N,N-dimethylaminoethylferrocene (FA) via stereoselective lithiation followed by phosphination with corresponding $R_2PCl$(R= $C_6H_{11}$, $C_5H_5$). The synthesis of cyclopentadienylphosphine derivative of (R)-FA (6b) led to the formation of a mixture of four diastereomers due to the presence of three chiral sources in the final product in addition to the fluxional behavior of the $η^1$-$C_5H_5$ group attached to the phosphorus. All these new compounds have been characterized by analytical and spectroscopic techniques.

• 한국표면공학회지
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• 제48권2호
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• pp.38-42
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• 2015

Atomic layer deposition (ALD) is essential for the fabrication of nanoscale electronic devices because it has excellent conformality, atomic scale thickness control, and large area uniformity. Metal thin films are one of the important material components for electronic devices as a conductor. As the size of electronic devices shrinks, the thickness of metal thin films is decreased down to few nanometers, and the metal films become non-continuous due to inherent island growth of metal below a critical thickness. So, fabrication of continuous metal thin films by ALD is fundamentally and practically important. Since ALD films are grown through self-saturated reactions between precursors on surface, initial growth characteristics significantly depend on the surface properties and the selection of precursors. In this work, we investigated ALD Pt on $TiO_2$ substrate by using trimethyl-methyl-cyclopentadienyl-Platinum ($MeCpPtMe_3$) precursor and $O_3$ reactant. By using $O_3$ instead of $O_2$, initial nucleation rate of ALD Pt was increased on $TiO_2$ surface, resulting in formation of continuous thin Pt films. Morphologies of ALD Pt on $TiO_2$ were characterized by using Scanning Electron Microscope (SEM) and Energy-Dispersive X-ray Spectroscopy (EDS). Crystallinity of ALD Pt on $TiO_2$ correlated with its growth characteristics was analyzed by X-Ray Diffraction (XRD).

• 대한화학회지
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• 제39권5호
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• pp.356-363
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• 1995

유기 리간드(디크로로 비스[η-싸이크로 펜타디엔닐])을 가지고 전이금속 4가$(Nb^{4+}와\;Mo^{4+}$와의 착물들에 대한 거동을 UV-vis 분광학적, 자기적, 그리고 전기화학적 방법에 의해 조사하였다. 2 또는 3개의 에너지 흡수띠가 이들 착물들의 스펙트라에 의해 관찰되었다. 결정장 갈라짐 에너지 크기와 스핀 짝지움 에너지 그리고 결합 세기는 착물들의 스펙트라로부터 얻어졌다. 이들은 비편재화이고, 낮은 스핀 상태이며 그리고 강한 결합 세기임을 알았다. 자기쌍극자 모멘트는 상자기성과 반자기성 착물이었다. 착물들의 산화환원 과정은 비수용매속에서 순환 전압전류법에 의해서 조사되었다. Nb-C 착물의 산화환원 반응과정은 일전자의 확산과 반응 전류에 의한 짝-단일 반응이었고 또한 Mo-C 착물에서는 일전자의 반응전류에 의한 짝-단일 반응이었다.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제3권4호
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• pp.263-268
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• 1997

RuO$_3$ thin films were deposited on Si(100) substrate at low temperatures by hot-wall metalorganic chemical vapor deposition. Bis(cyclopentadienyl) ruthenium, Ru$(C_5H_5)_2$, was used as the precursor RuO$_2$single phase was obtained at a low deposition temperature of 25$0^{\circ}C$ and the crystallinity of RuO$_2$thin films improved with increasing deposition temperature. RuO$_2$thin films grow perpendicularly to the substrate and show the columnar structure. The grain size of RuO$_2$films drastically increases with increasing the deposition temperature. The resistivity of the 180 nm-thick RuO$_2$thin films deposited at 27$0^{\circ}C$ was 136 $\mu$$\Omega$-cm and increased with decreasing film thickness. SrBi$_2Ta_2O_4$ thin films deposited by rf magnetron sputtering on the RuO$_2$bottom electrodes showed a fatigue-free characteristics up to ~10$^10$ cycles under 5 V bipolar square pulses and the remanent polarization, 2 P$_r$ and the coercive field, 2 E, were 5.2$\mu$C/$\textrm{cm}^2$ and 76.0 kV/cm, respectively, for an applied voltage of 5 V The leakage current density was about 7.0$\times$10$^{-6}$ A/$\textrm{cm}^2$ at 150 kV/cm.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.152-152
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• 1999

1Gb급 이상 기억소자의 캐패시터 재료로 주목받고 있는 (Ba,Sr)TiO3 [BST] 박막의 전극재료로는 Pt, Ru, Ir과 같은 금속전극과 RuO2, IrO2와 산화물 전도체가 유망한 것으로 알려져 있다. 그런데, DRAM의 집적도가 증가하게 되면, BST같은 고유전율 박막을 유전재료로 사용한다 하더라도, 3차원적인 구조가 불가피하게 때문에 기존의 sputtering 방법으로는 우수한 단차피복성을 얻기 힘들므로, MOCVD법이 필수적이다. 본 연구에서는 기존에 연구되었던 Pt에 비해 식각특성이 우수하고, 비교적 낮은 비저항을 갖는 Ru 박막증착에 대한 연구를 행하였다. 본 연구에서는 수직형의 반응기와 저항 가열 방식의 susceptor로 구성된 저압 유기금속 화학증착기를 사용하여 최대 6inch 직경을 갖는 기판 위에 Ru박막을 증착하였다. Precursor로는 기존에 연구된 적이 없는 bis-(ethyo-$\pi$-cyclopentadienyl)Ru (Ru(C5H4C2H5)2, [Ru(EtCp)2])를 사용하였으며, bubbler의 온도는 85$^{\circ}C$로 하였다. Si, SiO2/Si를 사용하였으며, 증착온도 25$0^{\circ}C$~40$0^{\circ}C$, 증착압력 3Torr의 조건에서 Ru 박막을 증착하였다. Presursor를 운반하는 수송기체로는 Ar을 사용하였으며, carbon과 같은 불순물의 제거를 위해 O2를 첨가하였다. 증착된 박막은 XRD, SEM, 4-point probe등을 통해 구조적, 전기적 특성을 평가하였으며, 열역학 계산을 위해서는 SOLGASMIX-PV프로그램을 사용하였다. Ru 박막의 증착에 있어서 산소의 첨가는 필수적이었으며, Ru 박막의 증착속도는 30$0^{\circ}C$~40$0^{\circ}C$의 온도 영역에서 200$\AA$/min으로 일정하였으며, 첨가된 산소의 양이 적을수록 더 치밀하고 평탄한 표면형상을 보였으며, 또한 더 낮은 전기 전도도를 보였다. 그리고 증착된 박막은 12~15$\mu$$\Omega$cm 정도의 낮은 비저항 값을 나타냈으며 이것은 기존의 sputtering 법에 의해 증착된 Ru 박막의 비저항 값들과 비교될만하다. 한편, 높은 온도, 높은 산소분압 조건에서 RuO2의 형성을 관찰하였으며, 이것은 열역학적인 계산을 통해서 잘 설명할 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제10권11호
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• pp.738-741
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• 2000

사이클로펜타디에닐 디카보닐 코발트 (Co(η(sup)5-C(sub)5H(sub)5) ($CO_2$)의 반응성 화학 기상 증착법에 의해 $600^{\circ}C$ 근처의기판온도에서 (100)Si 기판 위에 균일한 에피택셜 CoSi2 층이 후열처리를 거치지 않고 직접 성장되었다. (100) Si 기판 위에서 에피택셜 CoSi(sub)2 층의 성장 속도론을 $575^{\circ}C$에서 $650^{\circ}C$의 온도 구간에서 조사하였다. 증착 초기 단계에서 판(plate)모양의 CoSi(sub)2 스차이크가 쌍정의 구조를 가지고 (100) Si 기판에서 <111> 방향을 따라서 불연속적으로 핵생성되었다. {111}과 (100)면을 가진 불연속의 CoSi(sub)2 판은 (100) Si 위에서 평평한 계면으로 이루어진 에피택셜 층으로 성장했다. (100) Si 위에서 에피택셜 CoSi(sub)2 층을 통한 Co의 확산에 의해 제어되는 것으로 나타났다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제14권1호
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• pp.137-143
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• 1993

The tetranuclear heterometallic complex CpMo$Os_3(CO)_{10}({\mu]-H)2[{\mu}3-{\eta}^2-C(O)CH_2Tol]\;(1,\;Cp={\eta}^5-C_5H_5,\;Tol=p-C_6H_4Me)$ has been examined by variable-temperature $^{13}$C-NMR spectroscopy and by a full three-dimensional X-ray structual analysis. Complex 1 crystallizes in the orthorhombic space group Pna2$_1$ with a = 12.960(1) ${\AA}$, b = 11.255(l) ${\AA}$, c = 38.569(10)${\AA}$, V = 5626(2) ${\AA}^3$ and ${\rho}$(calcd) = 2.71 gcm$^{-3}$ for Z = 8 and molecular weight 1146.9. Diffraction data were collectedon a CAD4 diffractometer, and the structure was refined to $R_F$ = 9.7% and $R_{W^F}$ = 9.9% for 2530 data (MoK${\alpha}$ radiation). There are two essentially equivalent molecules in the crystallographic asymmetric unit. The tetranuclear molecule contains a triangulated rhomboidal arrangement of metal atoms with Os(2) and Mo at the two bridgehead positions. The metal framework is planar; the dihedral angle between Os(l)-Os(2)-Mo and Os(3)-Os(2)-Mo planes is 180$^{\circ}$. A triply bridging (${\mu}_3,\;{\eta}^2$) acyl ligand lies above the Os(l)-Os(2)-Mo plane; the oxygen atom spans the two bridgehead positions, while the carbon atom spans one bridgehead position and an acute apical position. The molecular architecture is completed by an ${\eta}^5$-cyclopentadienyl ligand and a semi-triply bridging carbonyl ligand on the molybdenum atom, and nine terminal carbonyl ligands-four on Os(3), three on Os(l), and two on Os(2). The two hydride ligands are inferred to occupy the Os(l)-Os(2) and Mo-Os(3) edges from structural and NMR data.

• 한국재료학회지
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• 제13권1호
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• pp.1-5
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• 2003

Uniform polycrystalline $CoSi_2$layers have been grown in situ on a polycrystalline Si substrate at temperature near $625^{\circ}C$ by reactive chemical vapor deposition of cyclopentadienyl dicarbonyl cobalt, Co(η$^{5}$ -C$_{5}$ H$_{5}$ )(CO)$_2$. The growth behavior and thermal stability of $CoSi_2$layer grown on polycrystalline Si substrates were investigated. The plate-like CoSi$_2$was initially formed with either (111), (220) or (311) interface on polycrystalline Si substrate. As deposition time was increasing, a uniform epitaxial $CoSi_2$layer was grown from the discrete $CoSi_2$plate, where the orientation of the$ CoSi_2$layer is same as the orientation of polycrystalline Si grain. The interface between $CoSi_2$layer and polycrystalline Si substrate was always (111) coherent. The growth of the uniform $CoSi_2$layer had a parabolic relationship with the deposition time. Therefore we confirmed that the growth of $CoSi_2$layer was controlled by diffusion of cobalt. The thermal stability of $CoSi_2$layer on small grain-sized polycrystalline Si substrate has been investigated using sheet resistance measurement at temperature from $600^{\circ}C$ to $900^{\circ}C$. The $CoSi_2$layer was degraded at $900^{\circ}C$. Inserting a TiN interlayer between polycrystalline Si and $_CoSi2$layers improved the thermal stability of $CoSi_2$layer up to $900^{\circ}C$ due to the suppression of the Co diffusion.