• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제28권1호
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• pp.47-54
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• 2021

미세화 되고 있는 PCB 솔더 범프 접합을 위해 종래 마이크로 볼에 의한 PCB 솔더 범프의 제조를 대신하여 주석 전기도금을 통한 패턴을 제작하기 위한 도금액을 제작하고 도금공정 조건을 찾는 실험을 진행하였다. SR 패터닝 후에 Cu 씨드층을 형성하고, 다시 DFR 패터닝을 통해 PCB 기판상에 선택성장이 가능한 패턴을 제작하였다. 도금액은 메탄술폰산을 기본액으로 하는 주석도금액을 사용하였으며, 2가의 주석이온의 산화를 방지하기 위해 hydroquinone을 첨가하였다. 표면활성제로는 Triton X-100를 사용하고, 결정립 미세화를 위해 gelatin을 첨가하여 시료를 제작하였다. 전기화학적 분극곡선을 측정함으로써, Triton X-100 및 gelatin 첨가제의 작용 특성을 비교하였으며, gelatin이 -0.7 V vs. NHE까지 수소발생을 억제하는 것에 비해 Triton X-100을 첨가하게 되면 -1 V vs. NHE까지 수소발생이 억제되는 것을 확인할 수 있었다. 결정립의 크기는 전류밀도가 증가하면서 미세화되는 일반적 경향을 나타내었으며, gelatin을 첨가하는 경우에 보다 더 미세해지는 것이 관찰되었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2012년도 추계총회 및 학술대회 논문집
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• pp.123-123
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• 2012

최근 연구되고 있는 TSV(Through Silicon Via) 기술은 Si 웨이퍼 상에 직접 전기적 연결 통로인 관통홀을 형성하는 방법으로 칩간 연결거리를 최소화 할 수 있으며, 부피의 감소, 연결부 단축에 따른 빠른 신호 전달을 가능하게 한다. 이러한 TSV 기술은 최근의 초경량화와 고집적화로 대표되는 전자제품의 요구를 만족시킬 수 있는 차세대 실장법으로 기대를 모으고 있다. 한편, 납땜 재료의 주 원료인 주석은 주로 반도체 소자의 제조, 반도체 칩과 기판의 접합 및 플립 칩 (Flip Chip) 제조시의 범프 형성 등 반도체용 배선재료에 널리 사용되고 있다. 최근에는 납의 유해성 때문에 대부분의 전자제품은 무연솔더를 이용하여 제조되고 있지만, 주석을 이용한 반도체 소자가 고밀도화, 고 용량화 및 미세피치(Fine Pitch)화 되고 있기 때문에, 반도체 칩의 근방에 배치된 주석으로부터 많은 알파 방사선이 방출되어 메모리 셀의 정보를 유실시키는 소프트 에러 (Soft Error)가 발생되는 위험이 많아지고 있다. 이로 인해, 반도체 소자 및 납땜 재료의 주 원료인 주석의 고순도화가 요구되고 있으며, 특히 알파 방사선의 방출이 낮은 로우알파솔더 (Low Alpha Solder)가 요구되고 있다. 이에 따라 본 연구는 4인치 실리콘 웨이퍼상에 직경 $60{\mu}m$, 깊이 $120{\mu}m$의 비아홀을 형성하고, 비아 홀 내에 기능 박막증착 및 전해도금을 이용하여 전도성 물질인 Cu를 충전한 후 직경 $80{\mu}m$의 로우알파 Sn-1.0Ag-0.5Cu 솔더를 접합 한 후, 접합부 신뢰성 평가를 수행을 위해 고속 전단시험을 실시하였다. 비아 홀 내 미세구조와 범프의 형상 및 전단시험 후 파괴모드의 분석은 FE-SEM (Field Emission Scanning Electron Microscope)을 이용하여 관찰하였다. 연구 결과 비아의 입구 막힘이나 보이드(Void)와 같은 결함 없이 Cu를 충전하였으며, 고속전단의 경우는 전단 속도가 증가할수록 취성파괴가 증가하는 경향을 보였다. 본 연구를 통하여 전해도금을 이용한 비아 홀 내 Cu의 고속 충전 및 로우알파 솔더 볼의 범프 형성이 가능하였으며, 이로 인한 전자제품의 소프트에러의 감소가 기대된다.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제17권4호
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• pp.448-453
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• 2006

Porous Co-P catalysts electroplated on Cu in chloride based solution with an addition of $NaH_2PO_2$ and glycine were developed for hydrogen generation from alkaline $NaBH_4$ solution. The microstructures of the Co-P catalysts and their hydrogen generation properties were analyzed as a function of cathodic current density and plating time during the electrodeposition. Amorphous Co-P electrodeposits with porous structure was formed on Cu at cathodic current density of $0.05\;A/cm^2$, and showed very high hydrogen generation rate in alkaline $NaBH_4$ solution due to an increase in the surface area of the catalyst as well as the catalytic activity. The Co-P catalyst, which was obtained at cathodic current density of $0.05\;A/cm^2$ for 5 min, exhibited the best hydrogen generation rate of 2290 ml/min.g-catalyst in 1 wt. % NaOH+10 wt. % $NaBH_4$ solution at $30^{\circ}C$.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제20권2호
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• pp.29-32
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• 2013

본 연구에서는 LED 리드프레임 상에 Sn-3.5wt%Ag를 무전해도금하여 표면 거칠기와 반사율을 측정하였다. Sn-3.5wt%Ag를 도금하기에 앞서 Sn-3.5wt%Ag 도금층의 반사율을 향상시키기 위하여 Cu 전해도금을 실시하였다. 도금 후 도금액의 교반속도와 온도가 도금층의 표면 거칠기와 반사율에 어떠한 영향을 미치는지 알아보기 위하여 각각의 도금인자에 대해서 표면 거칠기와 반사율을 측정하고자 하였다. 교반속도가 100~300 rpm으로 증가함에 따라 표면 거칠기는 0.513 ${\mu}m$에서 0.266 ${\mu}m$으로 감소하였으며, 반사율은 1.67 GAM에서 1.86 GAM으로 증가하였다. 또한 온도가 $25{\sim}45^{\circ}C$로 증가함에 따라 표면 거칠기는 0.507 ${\mu}m$에서 0.350 ${\mu}m$으로 감소하였으며, 반사율은 1.68 GAM에서 1.84 GAM으로 증가하였다.

• 한국자기학회지
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• 제8권4호
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• pp.241-248
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• 1998

본 연구에서는 micro magnetic device의 제작과 특성 분석을 위하여 고주파수 대역에서 사용가능한 자성체의 개발과 meander형 마이크로 코일의 가공 기술 확립에 그 목적을 두었다. 자성체로서는 DC magnetron reactive sputtering system에 의해 제조된 초 미세결정구조를 갖는 FeTaC, FeTaN막을 사용하였으며, 그 자기적 특성은 다음과 같다. Bs:13~17kG, Hc:0.1~0.2Oe, $\mu$':2000~4000. 전기 도금법에 의해 제작된 Cu코일은 2$\mu$$\Omega$-cm의 비저항을 나타내었으며, 공심형 5turn 언덕터의 경우에는 50nH의 인덕턴스와 700MHz의 공진 주파수 그리고 200MHz에서 30의 성능 지수를 보였다. 또한 meandergudxo의 폐자로 인덕터에서 인덕턴스는 150nH, 공진 주파수는 100MHz, 그리고 성능지수는 10~30 MHz에서 4의 값을 나타내었다.

• 에너지공학
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• 제24권3호
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• pp.135-141
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• 2015

중대사고시 핵연료와 원자로 내부 구조물이 용융되어 원자로용기의 하부에 재배치되면 밀도차이에 의하여 상부의 금속용융물층과 하부의 혼합물층으로 나누어진다. 하부 반구의 혼합물층에서는 지속적으로 붕괴열이 발생하고 이 열은 원자로용기의 건전성을 위협한다. 본 연구는 반구 내부의 체적 열원(Volumetric heat source)이 내재된 매질에서의 자연대류 열전달 현상을 물질전달 실험방법을 이용하여 모사하였다. 황산-황산구리의 구리도금계를 물질전달계로 사용하여 모사를 수행하였다. 수정 Rayleigh 수 $3{\times}10^{14}$에 대하여 Nusselt 수는 반구 하단에서 최소값을 보였고 곡면부를 따라 최상단으로 갈수록 증가하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제28권2호
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• pp.25-33
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• 2015

Ruthenium (Ru) thin films were grown on thermally-grown $SiO_2$ substrates by atomic layer deposition (ALD) using a sequential supply of four kinds of novel zero-valent Ru precursors, isopropyl-methylbenzene-cyclohexadiene Ru(0) (IMBCHDRu, $C_{16}H_{22}Ru$), ethylbenzen-cyclohexadiene Ru(0) (EBCHDRu, $C_{14}H_{18}Ru$), ethylbenzen-ethyl-cyclohexadiene Ru(0) (EBECHDRu, $C_{16}H_{22}Ru$), and (ethylbenzene)(1,3-butadiene)Ru(0) (EBBDRu, $C_{12}H_{16}Ru$) and molecular oxygen (O2) as a reactant at substrate temperatures ranging from 140 to $350^{\circ}C$. It was shown that little incubation cycles were observed for ALD-Ru processes using these new novel zero-valent Ru precursors, indicating of the improved nucleation as compared to the use of typical higher-valent Ru precursors such as cyclopentadienyl-based Ru (II) or ${\beta}$-diketonate Ru (III) metallorganic precursors. It was also shown that Ru nuclei were formed after very short cycles (only 3 ALD cycles) and the maximum nuclei densities were almost 2 order of magnitude higher than that obtained using higher-valent Ru precursors. The step coverage of ALD-Ru was excellent, around 100% at on a hole-type contact with an ultra-high aspect ratio (~32) and ultra-small trench with an aspect ratio of ~ 4.5 (top-opening diameter: ~ 25 nm). The developed ALD-Ru film was successfully used as a seed layer for Cu electroplating.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2017년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.123.1-123.1
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• 2017

Hybrid solar cells have intensively studied in recent years due to their advantages such as cost effectiveness and possibility of applications in flexible and transparent devices. It is critical to fabricate individual layer composed of organic and inorganic materials in the hybrid solar cell at low cost. Therefore, it is required to manufacture cheaply and enhance the photon-to-electricity conversion efficiency of each layer in the flexible solar cell industry. In this research, we fabricated pure Cu metal mesh electrode prepared by using electroplating and/or electroless plating on the Ni mold which was manufacture through photolithography, electroforming, and polishing process. Copper mesh was formed on the surface of nickel metal working master when pulsed electrolytic copper deposition were performed at various plating parameters such as plating time, current density, and so on. After electrodeposition at 2ASD for 5~30seconds, the line/pitch/thickness of copper mesh sheet was $1.8{\sim}2.0/298/0.5{\mu}m$.

• 한국분말재료학회지
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• 제22권6호
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• pp.432-437
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• 2015

The en-riched $^{58}Ni$ powders are dissolved in acid solution and coated on a Cu target for proton irradiation at cyclotron to produce $^{57}Co$ radioisotope. The condition of the plating bath and the coating process are determined using the en-riched powders. To establish the coating conditions for $^{57}Co$, non-radioactive Co ions are dissolved in an acid solution and electroplated on to a rhodium plate. The thermal diffusion of electroplated Co into a rhodium matrix was studied to apply a $^{57}Co$ Mssbauer source. The diffusion depth from surface to matrix of Co is depended on the annealing temperature and time. The deposited Co atoms diffuse completely into a rhodium (Rh) matrix without substantial loss at an annealing temperature of 1200 for 4 hours.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제23권10호
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• pp.1394-1398
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• 2002

A novel copper(II) membrane electrode based on diphenylisocyanate bis(acetylacetone) ethylenediimine (DIBAE), as a new hexadentates Schiff's base was prepared. The electrode exhibited a Nernstian response for Cu$^{2+}$ ions over a wide concentration range (1.0 ${\times}$ 10$^{-1}$ to 1.0 ${\times}$ l0$^{-6}$ M) with a limit of detection of 6.0 ${\times}$ 10$^{-7}$ M (39 ppb). The sensor shows a fast response time (15s) and the membrane can be used for more than 4 months without observing any major deviation. The electrode revealed very good selectivity with respect to many cations including alkali, alkaline earth, transition and heavy metal ions. The proposed sensor could be used in a pH range of 3.0-7.5. It was applied to the direct potentiometric determination of copper in black tea, and in wastewater of copper electroplating samples. The electrode was also used in potentiometric titration of the copper(II) ion with EDTA.