[ $ZnHgGa_4Se_8\;and\;ZnHgGa_4Se_8::Co^{2+}$ ] single crystals were grown by the Bridgman-Stockbarger method. The single crystals crystallized into a defect chalcopyrite structure. The optical energy band gap of the single crystals was investigated in the temperature range 11-300K. The optical energy band gap of the $ZnHgGa_4Se_8:Co^{2+}$ single crystal was smaller than that of the $ZnHgGa_4Se_8$ single crystal. The temperature dependence of the optical energy band gap of the single crystals was well fitted by the Varshni equqtion. The impurity optical absorption spectrum of the $ZnHgGa_4Se_8:Co^{2+}$ single crystal was measured in the wavelength region 300-2300 m at 80 K. Impurity absorption peaks in the spectrum were analyzed within the framework of the crystal field theory and were attributed to the electron transitions between the energy levels of $Co^{2+}$ sited in the Td symmetry point.
The electron paramagnetic resonance (EPR) of the $Eu^{2+}$ ion in $SrCl_2$:Eu single crystal has been investigated using an X-band spectrometer. The angular dependence of magnetic resonance positions for the $Eu^{2+}$ impurity ion in the crystallographic aa-plane is analyzed with effective spin-Hamiltonian. The EPR spectra of the isolated $Eu^{2+}$ center merged to each other. The hyperfine splitting of the isolated $Eu^{2+}$ center due to the $^{151}Eu$ nucleus is approximately 35 G. Three kinds of $Eu^{2+}$ centers except the isolated $Eu^{2+}$ center, $Eu^{2+}$ pairs, $Eu^{2+}$ triples, and other $Eu^{2+}$ clusters, are split from the fitting of the integrated experimental spectrum with the Gaussian curve. The calculated spectroscopic splitting parameters of the $Eu^{2+}$ pairs, $Eu^{2+}$ triples, and other $Eu^{2+}$ clusters in $SrCl_2$:Eu crystal are $g_1$ = 2.06, $g_2$ = 1.94, and $g_3$ = 1.93, respectively.
The $In_2S_3\;and\;In_2S_3:Co^{2+}$ thin films were grown by the spray Pyrolysis method. The thin films crystallized into tetragonal structures. The indirect energy band gap was 2.32ev for $In_2S_3\;and\;1.81eV\;for\;In_2S_3:Co^{2+}$ at 298K. The direct energy band gap was 2.67ev for $In_2S_3:Co^{2+}$ thin films. Impurity optical absorption peaks were observed for the $In_2S_3:Co^{2+}$ thin films. These impurity absorption peaks are assigned, based on the crystal field theory to the electron transitions between the energy levels of the $Co^{2+}$ ion sited in $T_{d}$ symmetry. The electrical conductivity($\sigma$), Hall mobility(${\mu}_H$), and carrier concentration (n) of the $In_2Se_3$ thin film were measured, and their temperature dependence was investigated.
$HgGa_2S_4:CO^{2+}$ single crystal were grown by the chemical transport reaction(CTR) method. 1n the optical absorption spectrum of the $HgGa_2S_4:CO^{2+}$ single crystal measured at 298K, three groups of impurity optical absorption peaks consisting of three peaks, respectively, were observed at 673nm, 734nm, and 760nm, 1621nm, 1654nm, and 1734nm, and 2544nm, 2650nm, and 2678nm. At 10K, the three peaks(673nm, 734nm, and 760nm) of the first group were split to be twelve peaks. These impurity optical absorption peaks are assigned to be due to the electronic transitions between the split energy levels of $Co^{2+}$ sited in the $S_4$ symmetry point.
HgGa$_2$S$_4$: Co$^{2+}$ single crystal were grown by the chemical transport reaction(CTR) method. In the optical absorption spectrum of the HgGa$_2$S$_4$: Co$^{2+}$ single crystal measured at 298K, three groups of impurity optical absorption peaks consisting of three peaks, respectively, were observed at 673nm, 734nm, and 760nm, 1621nm, 1654nm, and 1734nm, and 2544nm, 2650nm, and 2678nm. At 10K, the three peaks(673nm, 734nm, and 760nm) of the first group were split to be twelve peaks. These impurity optical absolution peaks are assigned to be due to the electronic transitions between the split energy levels of Co$^{2+}$ sited in the S$_4$ symmetry point.
한국결정성장학회 1997년도 Proceedings of the 13th KACG Technical Meeting `97 Industrial Crystallization Symposium(ICS)-Doosan Resort, Chunchon, October 30-31, 1997
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pp.111-115
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1997
Iron-doped LiNbO$_3$ crystals were grown by floating zone(FZ) method with different [Li]/[Nb] ratio in order to investigate doping effects of transition metal impurity in LiNbO$_3$ crystal. The grown crystals were analyized edge in UV/VIS/IR spectrometry and EPMA(electron probe micro-analysis). The absorption edge in UV-VIS region and OH-absorption peak in IR region were investigated. The change of Fe concentration along the solidification direction was also investigated
한국결정성장학회 1997년도 Proceedings of the 13th KACG Technical Meeting `97 Industrial Crystallization Symposium(ICS)-Doosan Resort, Chunchon, October 30-31, 1997
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pp.105-109
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1997
요소결정성장에 용매와 불순물이 주는 영향을 Monte Carlo법과 분자동역학법을 통해 분석하였으며 이를 통해 불순물인 Biuret이 결정의 Morphology에 대한 영향뿐만 아니라 내부격자에 용매인 물을 흡착시킨다는 것을 확인하였다. 또한 계면의 용매, 용질 그리고 격자층의 확산계수를 분석한 결과 용매인 물이 "Roughening Transition" 메커니즘으로 결정성장에 영향을 준다는 것을 밝혔다.다는 것을 밝혔다.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.163-165
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2009
It is commonly found that liquid crystals stored in a common environment degrade with time, trapping more and more ion impurity in the materials. In this paper, we demonstrate how the electrical property of an old batch of liquid crystal can be effectively restored by a novel regenerative agent.
Hydride 기상증착법으로 성장시킨 InP 에피충들을 FTPL 분광법과 변온 Hall 측정법으로 조사하였다. 원료 공급 지역의 온도, 주입되는 HCI과 $PH_{3}$의 몰분율 등 공정변수가 배경 불순물의 주입에 미치는 영향을 조사한 결과, 배경 전하 농도는 원료 공급지역의 온도가 감소 할수록 감소하고 HCl의 주입량이 증가할수록 감소하나 $PH_{3}$의 주입량에는 연구된 몰분율 범위 내에서 상대적으로 무관함을 알 수 있었다. 또한 FTPL spectrum 분석 결과 에피충 내부에 배 경 donor들과 acceptor들이 존재함을 얄 수 있었고 특히, Si donor들, Zn acceptor들, 확인되지 않은 acceptor들이 주된 불순물로 존재함을 알 수 있었다.
A 100 mm × 50 mm-sized (100) gallium oxide (Ga2O3) single crystal ingot was successfully grown by edge-defined film-fed growth (EFG). The preferred orientation and the quality of grown Ga2O3 ingot were compatible with a commercial Ga2O3 substrate by showing strong (100) orientation behaviors and 246 arcsec in X-ray rocking curve. Raman characterization was also performed for both samples; thereby providing various Raman-active characteristics of Ga2O3 crystals. In particular, we observed Ag(5) and Ag(10) peaks of Raman active mode, directly related to the impurity of the grown Ga2O3 crystal. Hence, the comparison of the crystal quality and Raman analysis might be useful for further enhancement of Ga2O3 single crystal quality in the future.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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