• 제목/요약/키워드: Cr doping

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Effect of Tin Codoping on Transport and Magnetic Properties of Chromium-doped Indium Oxide Films

  • Kim, Hyo-Jin;Kim, Hyoun-Soo;Kim, Do-Jin;Ihm, Young-Eon;Choo, Woong-Kil;Hwang, Chan-Yong
    • Journal of Magnetics
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    • 제13권3호
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    • pp.88-91
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    • 2008
  • This study examined the effect of Sn co-doping on the transport and magnetic properties of Cr-doped $In_2O_3$ thin films grown on (100) silicon substrates by pulsed laser deposition. The experimental results showed that Sn co-doping enhances the magnetization and appearance of the anomalous Hall effect, and increases the carrier (electron) concentration. These results suggest that the conduction carrier plays an important role in enhancing the ferromagnetism of a laser-deposited Cr-doped $In_2O_3$ film, which may have applications in transparent oxide semiconductor spin electronics devices.

AC 임피던스 분석법을 이용한 K+ 이온선택성 PVC막 전극 특성 (Electrode Characteristics of K+ Ion-Selective PVC Membrane Electrodes with AC Impedance Spectrum)

  • 김용렬;안형환;강안수
    • 공업화학
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    • 제9권6호
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    • pp.870-877
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    • 1998
  • 본 연구에서는 임피던스 스펙트럼 분석법을 사용하여 중성운반체로 dibenzo-18-crown-6 (D18Cr6)와 valinomycin (Val)을 이용하여 $K^+$이온선택성 PVC막 전극의 막과 용액계면에서의 임피던스 특성을 검토하였다. PVC막에 대한 운반체의 종류와 함량, 가소제, 막두께, 기본전해질의 혼입(doping)여부 및 이온의 농도변화 등을 교류임피던스 분석법을 이용하여 측정하였고, 그 결과를 전극특성과 비교 검토하고 PVC막 전극에서의 전달특성을 규명하였다. 교류 임피던스의 특성을 측정하여 중성운반체로 D18Cr6와 Val을 포함하고 있는 PVC막 전극의 등가회로는 막의 벌크저항과 전기이중층 용량을 포함하는 기하학적용량을 병렬로 하고, 용액저항과 직렬로 구성되는 임피던스의 등가회로임을 확인할 수 있었다. 그러나 저농도 및 저주파수 영역에서 약간의 전하전이저항과 Warburg저항이 나타나 중첩되는 것을 알 수 있었다. $K^+$이온선택성 전극에서 운반체로서 D18Cr6가 Val중 D18Cr6가 기존의 Val보다 전극특성 및 임피던스 특성이 좋았으며 특히 D18Cr6에 기본전해질로 potassium tetraphenylborate (TPB)를 첨가한 경우 이상적인 전극을 제조할 수 있었다. 운반체의 최적 함량은 D18Cr6와 Val의 경우 3.23wt%부근이었고, 가소제는 DBP가 가장 적절하였다. 막두께가 얇아질수록 임피던스 특성이 좋아졌으나, 막두께가 최적 막두께 이하로 얇아지면 전극특성이 나빠짐을 알 수 있었다. D18Cr6의 경우 $K^+$이온에 대한 혼합용액법에 의한 선택계수 서열은 다음과 같았다. $NH_4{^+}>Ca^{2+}>Mg^{2+}>Na^+$.

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화합물 침전법에 의한 $Pb(Zr_{0.52} Ti_{0.48})O_3$ 분말제조에 관한 연구 (The Preparation of $Pb(Zr_{0.52} Ti_{0.48})O_3$ Powders by a Chemical Method)

  • 신동우;오근호;이종근
    • 한국세라믹학회지
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    • 제22권6호
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    • pp.37-41
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    • 1985
  • Several $Al_2O_3$-based polycrystalline which had different dopant ratio in the range of 0.5mol% were prepared by doping pure $Cr_2O_3$, $ZrO_2$, $HfO_3$ Single crystalline which had same composition with above polycrystalline were made by means of floating zone method. This study examined the role of each dopant for enhancing the mefchanical properties of $Al_2O_3$-based Ceramics. Optical micrographs $({\times}200)$ of $Al_2O_3-Cr_2O_3$ single crystal showing not only radial crack (rc) on the specimen surface but median crack (mc) and lateral crack (lc) under surface at the edge of indentation mark. Fracture toughness of $Al_2O_3$-based Ceramics was increased with $ZrO_2$ content. Alloying effect of $Cr_2O_3$ contributed to the hardness of $Al_2O_3$ based ceramics.

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Mössbauer Studies of Double Perovskite Sr2Fel-xCrxMoO6

  • Kim, Sung-Baek;Ryu, Hong-Joo;Kim, Je-Hoon;Kim, Chul-Sung
    • Journal of Magnetics
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    • 제8권4호
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    • pp.129-132
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    • 2003
  • We investigated the crystallographic and magnetic properties of double perovskite $Sr_2Fe_{l-x}Cr_{x}MoO_{6}$ (x=0.0, 0.01, 0.03, 0.05, and 0.10). Mossbauer spectra of the $Sr_2Fe_{l-x}Cr_{x}MoO_{6}$ have been taken at various temperatures ranging from 15 to 415 K. As the temperature increased towards $T_{c}$(415 K), the Mossbauer spectra showed line broadening and 1, 6 and 3, 4 line-width differences because of anisotropic hyperfine field fluctuation. The Mossbauer spectra indicated that an anisotropic field fluctuation of +H ( $P_{+}$=0.85) was greater than that of -H ($P_{-}$=0.15). We also calculated the field fluctuation frequency factors and the temperature dependence of anisotropy energies from its relaxation rate. We interpreted the effect of Cr ($t^3$$_{2g}$) doping as a decrease in the anisotropy energy.

High-Temperature Oxidation of Ti Containing Stainless Steel in O2-N2 Atmosphere

  • Onishi, Hidenori;Saeki, Isao;Furuichi, Ryusaburo;Okayama, Toru;Hanamatsu, Kenko;Shibayama, Tamaki;Takahashi, Heishichiro;Kikkawa, Shinichi
    • Corrosion Science and Technology
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    • 제3권4호
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    • pp.140-147
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    • 2004
  • High temperature oxidation of Fe-19Cr and Fe-19Cr-0.2Ti alloys is studied at 1173-1373 K in 16.5 kPa $O_2$ - balances $N_2$ atmosphere aimed at clarifying the effect of titanium addition. Oxidation rate of Fe-19Cr alloy was accelerated with titanium. For both alloys chromium rich $(Fe,\;Cr)_2O_3$ was formed as a major oxidation product. On Fe-19Cr-0.2Ti alloy, a thin layer composed of spinel type oxide and titanium oxide was also formed and an internal oxidation of titanium was observed. Titanium was concentrated at the oxide surface and internal oxidation zone but a small amount of titanium was also found in the intermediate corundum type $(Fe,\;Cr)_2O_3$ layer. Crystals of corundum type $(Fe,\;Cr)_2O_3$ formed on Fe-19Cr alloy are coarse but that formed on Fe-19Cr -0.2Ti alloys were fine and columnar. Reason for the difference in oxidation kinetics and crystal structure will be discussed relating to the distribution of aliovalent titanium in corundum type $(Fe,\;Cr)_2O_3$ oxide layer.

Cr이 치환된 ZnO에서 나르개에 의한 강자성의 향상 (Carrier-enhanced Ferromagnetism in Cr-doped ZnO)

  • 심재호;김효진;김도진;임영언;윤순길;김현중;주웅길
    • 한국자기학회지
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    • 제15권3호
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    • pp.181-185
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    • 2005
  • 반응성 스퍼터링 방법으로 성장시킨 $Zn_{0.09}Cr_{0.01}O$ 묽은 자성반도체 박막의 구조와 전기 수송과 자기 특성에 미치는 Al 첨가 효과를 탐구하였다. Al이 첨가되지 않은 $Zn_{0.09}Cr_{0.01}O$ 박막은 반도체적인 수송 특성과 함께 미약한 강자성 특성을 보였다. Al을 첨가함으로써 n-형 나르개인 전자의 농도 증가와 더불어 금속성 수송 특성을 나타냈으며 포화자기화가 현저하게 증가하고 이력곡선이 뚜렷하게 나타나는 등 자기 특성의 격렬한 변화가 관찰되었다. 이 결과들은 Cr이 첨가된 ZnO에서 나르개에 의한 강자성 질서의 향상을 보여준다.

The Effects of Work Function of Metal in Graphene Field-effect Transistors

  • Bae, Giyoon;Park, Wanjun
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.382.1-382.1
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    • 2014
  • Graphene field-effect transistors (GFET) is one of candidates for future high speed electronic devices since graphene has unique electronic properties such as high Fermi velocity (vf=10^6 m/s) and carrier mobility ($15,000cm^2/V{\cdot}s$) [1]. Although the contact property between graphene and metals is a crucial element to design high performance electronic devices, it has not been clearly identified. Therefore, we need to understand characteristics of graphene/metal contact in the GFET. Recently, it is theoretically known that graphene on metal can be doped by presence of interface dipole layer induced by charge transfer [2]. It notes that doping type of graphene under metal is determined by difference of work function between graphene and metal. In this study, we present the GFET fabricated by contact metals having high work function (Pt, Ni) for p-doping and low work function (Ta, Cr) for n-doping. The results show that asymmetric conductance depends on work function of metal because the interfacial dipole is locally formed between metal electrodes and graphene. It induces p-n-p or n-p-n junction in the channel of the GFET when gate bias is applied. In addition, we confirm that charge transfer regions are differently affected by gate electric field along gate length.

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Intermediate band solar cells with ZnTe:Cr thin films grown on p-Si substrate by pulsed laser deposition

  • Lee, Kyoung Su;Oh, Gyujin;Kim, Eun Kyu
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.247.1-247.1
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    • 2016
  • Low-cost, high efficiency solar cells are tremendous interests for the realization of a renewable and clean energy source. ZnTe based solar cells have a possibility of high efficiency with formation of an intermediated energy band structure by impurity doping. In this work, ZnO/ZnTe:Cr and ZnO/i-ZnTe structures were fabricated by pulsed laser deposition (PLD) technique. A pulsed (10 Hz) Nd:YAG laser operating at a wavelength of 266 nm was used to produce a plasma plume from an ablated a ZnTe target, whose density of laser energy was 10 J/cm2. The base pressure of the chamber was kept at approximately $4{\times}10-7Torr$. ZnTe:Cr and i-ZnTe thin films with thickness of 210 nm were grown on p-Si substrate, respectively, and then ZnO thin films with thickness of 150 nm were grown on ZnTe:Cr layer under oxygen partial pressure of 3 mTorr. Growth temperature of all the films was set to $250^{\circ}C$. For fabricating ZnO/i-ZnTe and ZnO/ZnTe:Cr solar cells, indium metal and Ti/Au grid patterns were deposited on back and front side of the solar cells by using thermal evaporator, respectively. From the fabricated ZnO/ZnTe:Cr and ZnO/i-ZnTe solar cell, dark currents were measured by using Keithley 2600. Solar cell parameters were obtained under Air Mass 1.5 Global solar simulator with an irradiation intensity of 100 mW/cm2, and then the photoelectric conversion efficiency values of ZnO/ZnTe:Cr and ZnO/i-ZnTe solar cells were measured at 1.5 % and 0.3 %, respectively.

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용액인상법에 의한 $Cr:Al_2O_3$$Ti:Al_2O_3$ 단결정 육성 (Crystal Growth of $Cr:Al_2O_3$ and $Ti:Al_2O_3$ by Czochralski Technique)

  • 유영문;이영국;박로학
    • 한국결정학회지
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    • 제6권1호
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    • pp.1-13
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    • 1995
  • 융액인상법에 의해 Cr:A12O3 및 Ti:A12O3 단결정을 육성한 후 인상속도, 회전속도, 주입이온 및 결정육성 분위기와 같은 결정육성요소가 결정의 품질에 미치는 영향을 조사하고, 육성된 결정의 레이저 효율과 분광학적 물성을 측정하였다. 직경 20mm, 길이 100-135mm 크기의 결정을 <001>방위로 육성하였다. Cr:A12O3의 주입농도 0.5w/o, 인상속도 2.0mm/hr, 회전속도 30rpm으로 할 때 질소기체에 의한 비활성 분위기하에서 양질의 Cr:A12O3 결정이 얻어졌다. Ti:A12O3 단결정은 TiO2를 0.25w/o 주입하고 인상속도 1.5mm/hr, 회전속도 30rpm으로 육성할 때, 수소기체에 의한 환원성 분위기하에서 양질의 결정이 얻어졌다. 원자가가 변화하지 않는 Cr3+이온은 원자가가 변화하는 Ti4+이온을 주입할 때보다 효과적으로 탈포되었으며, Fe3+이온은 Ti3+이온에 대해 탈포를 촉진하는 효과가 있었다. Ti:A12O3 단결정 육성시 90% N2 - 10% H2 혼합기체를 사용하여 환원성 분위기를 조성하는 것이 원자가 변화 및 탈포에 좋은 효과를 나타내었다. 흡수 및 형광방출 스펙트럼 조사 결과 Cr:A12O3 단결정에서 4A2 → 4F2 및 4F1 천이에 의한 흡수와 E→4A2(R1) 및 2A→4A2(R2) 천이에 의한 형광방출 천이를 확인하였다. R1 및 R2 천이의 레이저 주파장은 각각 696±5nm 및 692 ±5nm이고, 각 천이의 형광선폭은 12A, 형광수명은 152 μsec로 측정되었다. Ti:A12O3 단결정에서는 4T2→ 4E의 흡수천이와 4E→4T2의 천이에 의해 650nm-1050nm 범위에서 파장가변이 가능한 형광방출천이가 일어남을 확인하였으며 형광수명은 147μsec, figure of merit는 125.4로 측정되었다. Ti:A12O3 단결정으로부터 제조한 레이저봉을 이용하여 레이저 공진한 결과 레이저 발진효율은 9%로 측정되었다.

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