For potential applications in large-area organic light-emitting diode (OLED) displays, solar cells, sensors, and secondary batteries, we have developed a slot-die coating process that allows control of coating width and continuous coating. In a sheet-to-sheet (S2S) type coating system, coating width adjustment and continuous coating processing are highly demanded to improve productivity and automate the coating process. To control coating width, we have proposed a shim plate with a narrower outlet width and a dual plate slot-die head (DP-SDH) with a meniscus guide. For continuous coating process, we have attempted a lip dipping method and a motorized cleaning module method. Finally, using the DP-SDH and motorized cleaning module method, we have successfully fabricated a poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) film with a width of 150 mm, despite the head-lip width being 200 mm.
Whisker-type magnesium hydroxide sulfate hydrate ($5Mg(OH)_2{\cdot}MgSO_4{\cdot}3H_2O$, abbreviated 513 MHSH), is used in filler and flame-retardant composites based on its hydrate phase and its ability to undergo endothermic dehydration in fire conditions, respectively. In general, the length of whiskers is determined according to various synthetic conditions in a hydrothermal reaction with high temperature (${\sim}180^{\circ}C$). In this work, high-quality 513 MHSH whiskers are synthesized by controlling the concentration of the raw material in ambient conditions without high pressure. Particularly, the concentration of the starting material is closely related to the length, width, and purity of MHSH. In addition, a ceramic-coating system is adopted to enhance the mechanical properties and thermal stability of the MHSH whiskers. The physical properties of the silica-coated MHSH are characterized by an abrasion test, thermogravimetric analysis, and transmission electron microscopy.
VLSI 공정에 평탄화를 위하여 사용되는 SOG과 AFM lithography에 resist 재료로서 이용되는 것이 확인되었다. 이에 기초하여, 본 연구는, SOG가 VLSI lithography 공정에 이용되기 위한 coating막 두께의 가변, 현상을 위한 etching time 및 etching selectivity의 가변, 패턴의 크기에 따르는 적정 공급전압을 선택 등으로 공정의 여유도를 크게 개선하였다. 공급전압 60V, FE 전류량 5nA로서 800$\AA$의 fine 패턴을 얻었다. 차세대 DRAM 제작공정 기술을 위한 AFM lithography에 있어서, SOG의 사용은 공정 여유도가 양호함에 의하여 크게 전망되는 기술이 될 것이다.
건전하게 설계 시공된 콘크리트는 충분한 내구성 및 장기수명을 갖는 것으로 알려졌다. 그러나 저자의 기존 연구에 의하면 콘크리트 표면에 존재하는 균열은 염소이온의 침투에 대한 빠른 침투 통로가 되어 내구성능을 저하시킬 수 있는 것으로 나타났다. 균열을 제어하기 위하여 설계적 측면에서 높은 철근비로 균열폭을 감소시킬수는 있으나, 이러한 균열이 실질적으로 내구성을 저하시키는데에 따른 검토 및 내구성 향상을 유도할 수 있는 방법이 필요하다. 표면도장공법은 균열폭이 작은 경우에 균열을 실링하여 염소이온 침투를 차단하는데 가장 간단한 방법중의 하나로 간주될 수 있다. 그래서 본 연구는 표면도장공법으로 미세균열의 개구를 통한 염소이온 침투를 제어할 수 있는지를 고찰하였다. 실험변수로 침투재와 도포재의 단일 적용과 복합적용이 실험변수로 고려되었으며, 급속 염소이온 침투 실험을 통하여 균열대비 염소이온 침투깊이를 검토하였다. 실험결과에 의하면 침투재는 균열 실링효과를 기대할 수 없었으나, 도막재는 0.06 mm, 침투재와 도막재를 혼합사용하면 0.08 mm이내의 균열폭에서 염소이온 침투를 제어할 수 있었다.
An electrophoretic display using $TiO_2$ particles is the most promising candidate because it offers various advantages such as ink-on-paper appearance, good contrast ratio, wide viewing angle, image stability in the off-state and extremely low power consumption. The core technology of electrophoretic display is the dispersion controlling of $TiO_2$ nano particles in nonaqueous solution. To prepare an ink for electronic paper using electrophoretic properties of $TiO_2$ nano particles, cyclohexane with low dielectric constant and transparency, polyethylene for producing polymer coating layer which reduces apparent gravity of $TiO_2$, and $TiO_2$ powders were mixed together by planetary-mill. The zeta-potential value of $TiO_2$ particles in cyclohexane was measured about -40mV, but was measured over -110mV by dispersant attached to polyethylene-coated $TiO_2$ surface. Prepared electronic ink was filled in cross patterned micro-wall with $200{\mu}m$ in width and $40{\mu}m$ in height on ITO glass designed by photolithography. The response time of electronic paper evaluated by mobility of $TiO_2$ particle between micro-walls was measured 0.067sec, but the drift velocity from reflectance wave form during reverse from of electronic ink was measured 0.07cm/sec.
Non-ferrous metals, widely used in the mechanical industry, are difficult to machine, particularly by drilling and tapping. Since non-ferrous metals have a strong tendency to adhere to the cutting tool, the tool life is greatly deteriorated. Diamond-like carbon (DLC) is one of the promising candidates to improve the performance and life of cutting tool due to their low frictional property. In this study, a sacrificial DLC layer is applied on the hard nitride coated drill tool to improve the durability. The DLC coatings are fabricated by controlling the acceleration voltage of the linear ion source in the range of 0.6~1.8 kV. As a result, the optimized hardness(20 GPa) and wear resistance(1.4 x 10-8 ㎣/N·m) were obtained at the 1.4 kV. Then, the optimized DLC coating is applied as an sacrificial layer on the hard nitride coating to evaluate the performance and life of cutting tool. The Vickers hardness of the composite coatings were similar to those of the nitride coatings (AlCrN, AlTiSiN), but the friction coefficients were significantly reduced to 0.13 compared to 0.63 of nitride coatings. The drilling test were performed on S55C plate using a drilling machine at rotation speed of 2,500 rpm and penetration rate of 0.25 m/rev. The result showed that the wear width of the composite coated drills were 200 % lower than those of the AlCrN, AlTiSiN coated drills. In addition, the cutting forces of the composite coated drills were 13 and 15 % lower than that of AlCrN, AlTiSiN coated drills, respectively, as it reduced the aluminum clogging. Finally, the application of the DLC sacrificial layer prevents initial chipping through its low friction property and improves drilling quality with efficient chip removal.
Kim, Jun-Kwan;Song, Jung-Hoon;An, Hye-Jin;Choi, Hye-Kyoung;Jeong, So-Hee
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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pp.189-189
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2012
Lead sulfide (PbS) nanocrystal quantum dots (NQDs) are promising materials for various optoelectronic devices, especially solar cells, because of their tunability of the optical band-gap controlled by adjusting the diameter of NQDs. PbS is a IV-VI semiconductor enabling infrared-absorption and it can be synthesized using solution process methods. A wide choice of the diameter of PbS NQDs is also a benefit to achieve the quantum confinement regime due to its large Bohr exciton radius (20 nm). To exploit these desirable properties, many research groups have intensively studied to apply for the photovoltaic devices. There are several essential requirements to fabricate the efficient NQDs-based solar cell. First of all, highly confined PbS QDs should be synthesized resulting in a narrow peak with a small full width-half maximum value at the first exciton transition observed in UV-Vis absorbance and photoluminescence spectra. In other words, the size-uniformity of NQDs ought to secure under 5%. Second, PbS NQDs should be assembled carefully in order to enhance the electronic coupling between adjacent NQDs by controlling the inter-QDs distance. Finally, appropriate structure for the photovoltaic device is the key issue to extract the photo-generated carriers from light-absorbing layer in solar cell. In this step, workfunction and Fermi energy difference could be precisely considered for Schottky and hetero junction device, respectively. In this presentation, we introduce the strategy to obtain high performance solar cell fabricated using PbS NQDs below the size of the Bohr radius. The PbS NQDs with various diameters were synthesized using methods established by Hines with a few modifications. PbS NQDs solids were assembled using layer-by-layer spin-coating method. Subsequent ligand-exchange was carried out using 1,2-ethanedithiol (EDT) to reduce inter-NQDs distance. Finally, Schottky junction solar cells were fabricated on ITO-coated glass and 150 nm-thick Al was deposited on the top of PbS NQDs solids as a top electrode using thermal evaporation technique. To evaluate the solar cell performance, current-voltage (I-V) measurement were performed under AM 1.5G solar spectrum at 1 sun intensity. As a result, we could achieve the power conversion efficiency of 3.33% at Schottky junction solar cell. This result indicates that high performance solar cell is successfully fabricated by optimizing the all steps as mentioned above in this work.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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