• 제목/요약/키워드: CoTi

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$TiO_2$첨가에 의한 ZnO와 $SnO_2$의 일산화탄소 감응특성 변화 (The Changes of CO Gas Sensing Properties of ZnO and $SnO_2$ with Addition $TiO_2$)

  • 김태원;최우성;전선택
    • 한국재료학회지
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    • 제8권4호
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    • pp.312-316
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    • 1998
  • ZnO와 $SnO_2$$ TiO_2$를 첨가시킨 $ZnO-TiO_2$$SnO_2$-$TiO_2$세라믹 복합체를 제작하여 1000ppm 일산화탄소에 대한 감응특성을 조사하였다. 상분석을 위해서 X-선 회절 분석을 하였고, 전자 주사 현미경을 이용해서 시편 파단면의 미세구조를 관찰했다. 일산화탄소 감도는 건조공기 분위기에서 측정한 저항($R_{dry air}$ )과 1000ppm 일산화탄소 분위기에서의 저항($R_{co}$ )을 측정하여 각각의 저항값의 비로 정의하였다. $TiO_{2}$첨가에 의한 ZnO의 일산화탄소 감도의 변화는 ZT5의 경우 최대 감도가 약 1.7배 감소하였고, $TiO _{2}$첨가에 의한 $SnO_{2}$의 일산화탄소 최대 감도는 약 2.5배 증가함으로써 비교적 $ZnO-TiO_2$배 증가함으로써 비교적 $ZnO-TiO_2$배 증가함으로써 비교적 $ZnO-TiO_2$복합체 보다는 $SnO_2$- $TiO_2$복합체의 일산화탄소 감응특성이 우수했다.

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D.C magnetron sputter법으로 증착된 TiAlN의 중간층에 따른 특성연구 (Characteristics of TiAlN Film on Different Buffer Layer by D.C Magnetron Sputter)

  • 김명호;이도재;이광민;김운섭;김민기;박범수;양국현
    • 한국재료학회지
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    • 제18권10호
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    • pp.558-563
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    • 2008
  • TiAlN films were deposited on WC-5Co substrates with different buffer layers by D.C. magnetron sputtering. The films were evaluated by microstructural observations and measuring of preferred orientation, hardness value, and adhesion force. As a process variable, various buffer layers were used such as TiAlN single layer, TiAlN/TiAl, TiAlN/TiN and TiAlN/CrN. TiAlN coating layer showed columnar structures which grew up at a right angle to the substrates. The thickness of the TiAlN coating layer was about $1.8{\mu}m$, which was formed for 200 minutes at $300^{\circ}$. XRD analysis showed that the preferred orientation of TiAlN layer with TiN buffer layer was (111) and (200), and the specimens of TiAlN/TiAl, TiAlN/CrN, TiAlN single layer have preferred orientation of (111), respectively. TiAlN single layer and TiAlN/TiAl showed good adhesion properties, showing an over 80N adhesion force, while TiAlN/TiN film showed approximately 13N and the TiAlN/CrN was the worst case, in which the layer was destroyed because of high internal residual stress. The value of micro vickers hardness of the TiAlN single layer, TiAlN/TiAl and TiAlN/TiN layers were 2711, 2548 and 2461 Hv, respectively.

Photocatalytic Performance of CoS2-Graphene-TiO2 Ternary Composites for Reactive Black B (RBB) Degradation

  • Ali, Asghar;Oh, Won-Chun
    • 한국세라믹학회지
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    • 제54권4호
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    • pp.308-313
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    • 2017
  • In this study we examined the photo-degradation efficiency of $CoS_2-G-TiO_2$ nanocomposites under visible light irritation using Reactive Black B (RBB) as standard dye, $CoS_2-G-TiO_2$ nanocomposites synthesized by facial microwave assist technique, and characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), and Raman spectroscopic analysis. Our results show the efficiency of the $CoS_2-G-TiO_2$ ternary nanocomposite is better than $CoS_2-G$ and $TiO_2-G$ nanocomposite. The degradation efficiency of $CoS_2-G-TiO_2$ nanocomposite was found approximately 89% of Reactive Black B (RBB) degraded after 180 min. Our results will open new way for the development of a new ternary nanocomposite photocatalytic application.

Characterization of Co-AC/TiO2 Composites and Their Photonic Decomposition for Organic Dyes

  • Chen, Ming-Liang;Son, Joo-Hee;Park, Chong-Yun;Shin, Yong-Chan;Oh, Hyun-Woo;Oh, Won-Chun
    • 한국재료학회지
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    • 제20권8호
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    • pp.429-433
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    • 2010
  • In this study, activated carbon (AC) as a carbon source was modified with different concentrations of cobalt chloride ($CoCl_2$) to prepare a Co-AC composite, and it was used for the preparation of Co-AC/$TiO_2$ composites with titanium oxysulfate (TOS) as the titanium precursor. The physicochemical properties of the prepared Co-AC/$TiO_2$ composites were characterized by $N_2$ adsorption at 77 K, X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), and energy dispersive X-ray (EDX) analysis. The photocatalytic treatments of organic dyes were examined under an irradiation of visible light with different irradiation times. $N_2$ adsorption data showed that the composites had decreased surface area compared with the pristine AC, which was $389\;m^2/g$. From the XRD results, the Co-AC/$TiO_2$ composites contained a mixturephase structuresof anatase and rutile, but a cobalt oxide phase was not detected in the XRD pattern. The EDX results of the Co-AC/$TiO_2$ composites confirmed the presence of various elements, namely, C, O, Ti, and Co. Subsequently, the decomposition of methylene orange (MO, $C_{14}H_{14}N_3NaO_3S$) and rhodamine B (Rh.B, $C_{28}H_{31}ClN_2O_3$) in an aqueous solution, respectively, showed the combined effects of an adsorption effect by AC and the photo degradation effect by $TiO_2$. Especially, the Co particles in the Co-AC/$TiO_2$ composites could enhance the photo degradation behaviors of $TiO_2$ under visible light.

전고상 리튬 박막 전지 구현을 위해 펄스 레이저 증착법으로 LiCoO2 정극위에 성장시킨 비정질 (Li, La)TiO3고체 전해질의 특성 (Amorphous Lithium Lanthanum Titanate Solid Electrolyte Grown on LiCoO2 Cathode by Pulsed Laser Deposition for All-Solid-State Lithium Thin Film Microbattery)

  • 안준구;윤순길
    • 한국세라믹학회지
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    • 제41권8호
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    • pp.593-598
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    • 2004
  • 1 $\mu$m이하의 전고상 리튬 박막전지의 구현을 위해 펄스 레이저 증착법을 이용하여 Pt/TiO$_2$/SiO$_2$/Si 기판위에 LiCoO$_2$정극을 증착온도와 Li/Co 간의 몰 비율을 변화시켜가며 성장시켰다. 특히, Li/Co=1.2의 조성을 갖는 LiCoO$_2$를 50$0^{\circ}C$의 증착온도에서 성장시킬 경우 53 $\mu$Ah/$cm^2$-$\mu$m의 높은 초기 용량값을 가지며 100 싸이클 후에도 67.6%의 용량값을 유지하였다. LiCoO$_2$/Pt/TiO$_2$/SiO$_2$/Si위에 고체 전해질인 (Li, La)TiO$_3$를 비정질상으로 하여 PLD방법으로 낮은 온도대역에서 증착온도를 다양하게 하여 증착하였다. 10$0^{\circ}C$의 증착온도에서 LiCoO$_2$Pt/TiO$_2$/SiO$_2$/Si위에 성장시킨 (Li, La)TiO를 가지고 LiClO$_4$ in PC 안에서 Li anode와 충$.$방전 측정 결과 약 51$\mu$Ah/$cm^2$-$\mu$m의 초기 용량값을 나타내었으며 100싸이클 후에도 90%의 훌륭한 방전용량의 보존력을 나타내었다. 비정질상의 (Li, La)TiO$_3$ 고체 전해질은 전고상 박막전지로의 구현이 가능하다.

Co/metal/Si 이중층 구조의 실리사이드화 열처리에 따른 dopant의 재분포 (Redistribution of Dopant by Silicidation Treatment in Co/Metal/Si)

  • 이종무;권영재;이수천;강호규;배대록;신광수;이도형
    • 한국재료학회지
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    • 제8권3호
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    • pp.189-194
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    • 1998
  • SIMS를 사용하여 Co/metal 이중층 구조의 실리사이드화 열처리시 발생하는 기판내 도펀트의 재분포 거동에 대하여 조사하였다. Co실리사이드화 반응의 중간층으로는 Ti, Nb, 또는 Hf를 사용하였고, 여러 도펀트들 중 실리사이드 내에서의 확산속도가 특히 빠른 B에 대하여 조사하였다. Co/Ti과 co/Nb의 경우 열처리후 B피크의 높이는 1 order 정도 낮아지지만 표면으로부터의 주피크의 상대적인 위치는 열처리전과 동일하였다. B의 분포양상은 Ti 및 Nb의 그것과 일치하는데, 이것은 B와 Ti 및 Nb간의 친화력이 크기 때문이다. Co/Hf의 경우에도 B의 피크는 Hf과 거의 같았으나, Ti나 Nb에 비해서 약간 차이가 나는 것으로 보다 B-Hf간의 친화력은 다소 떨어지는 것으로 보인다. 전체적으로 열처리후 Co/metal 이중층 실리사이드에서의 B의 재분포는 Si계면에서 고갈되는 반면, Co-metal/Co 실리사이드 계면에서 pile-up되는 양상을 보였다.

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Co 두께가 $CoSi_2$ 에피박막 형성에 미치는 영향 (Effects of Co Thickness on the Formation of Epitaxial CoSi2 Thin Film)

  • 김종렬;배규식
    • 전자공학회논문지D
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    • 제34D권1호
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    • pp.23-29
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    • 1997
  • Effects of Co thickness on the formation of epitaxial $CoSi_2$ from the Co/Ti bilayer have been investigated. Ti and Co were sequentially deposited with the Ti thickness fixed at 5 or 10nm, while the Co thickness was varied from 5 to 30nm. The metal-deposited samples were then rapidly thermal-annealed in $N_2$ at $900^{\circ}C$ for 20 sec. Material properties of $CoSi_2$ thin films were analyzed by the 4-point probe, XRD, AES, andXTEM. When the as-deposited Co thickness was below 15nm, the $CoSi_2$ with high resistivity and rough interface was formed. On the other hand, when the Co thickness was above 15 nm, the epitaxial $CoSi_2$ with the resistivity of about 16 ~ 19 $\mu\Omega.cm$, uniform composition and thickness and flat interface was formed. Initial Ti thickness has sizable effect on the formation of $CoSi_2$, when the Co layer was very thin (~ 5 nm). But there was no significant effect of the Ti thickness for the initial Co thickness of above 15 nm.

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Cu 담지 Ti-SBA-15 촉매의 선택적 CO 산화 반응 (Preferential Oxidation of CO over Cu/Ti-SBA-15 Catalysts)

  • 김준우;박재우;이종수;최한슬;정석진
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • 제51권4호
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    • pp.432-437
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    • 2013
  • 고분자 전해질 연료전지 구동 시 양극 활성 물질에 대한 CO 피독을 방지하기 위해 Cu를 촉매 활성 종으로 사용하고 반응물의 확산이 용이한 몇 가지 메조 세공 물질을 지지체로 이용하여 CO 선택적 산화 반응(PROX반응)을 실시하였다. 그 결과 거대 세공을 가진 SBA-15를 지지체로 사용했을 때 우수한 CO 산화 활성을 보였으며 특히 Cu 담지 량에 비례하여 활성은 증가하였다. 또한 Cu의 분산도를 높이고자 첨가한 Ti 성분은 저온에서 CO 산화 성능을 높이는데 기여하였다. 특히 Ti 성분을 20 wt-% 첨가한 Cu/Ti20-SBA-15 촉매에서 Cu의 분산도가 가장 우수하였으며 CO 산화활성 역시 개선됨을 확인하였다.

CoCrTa/Ti 이층막의 하지층기판온도의존성 및 특성개선 (Improvement of characteristics and dependence on underlayer substrate temperature of CoCrTa/Ti double layer)

  • 김용진;성하윤;금민종;손인환;김경환
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.492-495
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    • 2000
  • In order to develop an ultra-thin CoCr perpendicular magnetic recording layer, we prepared CoCrTa/Ti double layer for perpendicular magnetic recording media by new facing targets sputtering system, Crystallgraphics and magnetic characteristics of CoCrTa on underlayer substrate temperature have been investigated. Crystallgraphic and magnetic characteristic of thin films were evaluated by X-ray diffractometry(XRD), vibrating sample magnetometer(VSM) and atomic force microscopy(AFM). The coercivity and anisotropy field was increased by increasing under layer substrate temperature, c-axis orientation of CoCrTa magnetic recording layer was improved 8$^{\circ}$ to 5.6$^{\circ}$when under layer substrate temperature was 250[$^{\circ}C$]. Also, through annealing effect for CoCrTa/Ti double layer, it was certain that crystallgraphics and magnetic characteristics was improved.

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CsCl 구조를 가지는 CoX(X = Ti, V, Nb) (001) 표면의 자성에 대한 제일원리 연구 (A First-principles Study on the Surface Magnetism of the CsCl Structured CoX (X = Ti, V, Nb) (001) Surface)

  • 김동철
    • 한국자기학회지
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    • 제25권5호
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    • pp.139-143
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    • 2015
  • CsCl 구조를 가지는 CoX(X = Ti, V, Nb) 이원화합물에서 (001) 표면계의 전자구조를 제일원리 전자구조 계산방법을 이용하여 계산하고 표면자성을 연구하였다. Co 원자로 끝나는 CoTi(001)계에서 표면 Co 원자의 자기모멘트는 가운데 층 Co 원자에 비해 상당히 증가한 $1.19{\mu}_B$였다. V 원자로 끝나는 CoV(001) 표면계에서 표면 V 원자의 자기모멘트는 가운데 층의 2.5배로서 $1.64{\mu}_B$이고, Co 원자로 끝나는 계에서 표면 Co 원자의 자기모멘트는 $1.34{\mu}_B$로 덩치 Co 원자에 비해 다소 감소하였다. CoNb(001)계에서 Nb 원자로 끝나는 계의 경우, 표면 Nb 원자의 자기모멘트는 가운데 층 Nb 원자에 비해 다소 감소한 $0.26{\mu}_B$였으며, Co 원자로 끝나는 표면계의 경우 자성이 사라졌다.