In this paper we improved that hump occurrence by increased oxidation thickness, and control field oxide recess$(\leq20nm)$, wet oxidation etch time(19HF, 30sec), STI nitride wet cleaning time(99 HF, 60sec + P 90min) and gate pre-oxidation cleaning time(U10min+19HF, 60sec) to prevent hump occurring at STI channel edge.
An STI(Shallow Trench Isolation) by using a CMP(Chemical Mechanical Polishing) process has been one of the key issues in the device isolation[1] In this paper we fabricated N, P-MOSFEET tall analyse hump characteristics in various rounding oxdation thickness(ex : Skip, 500, 800, 1000$\AA$). As a result we found that hump occurred at STI channel edge region by field oxide recess. and boron segregation(early turn on due to boron segregatiorn at channel edge). Therefore we improved that hump occurrence by increased oxidation thickness, and control field oxide recess( 20nm), wet oxidation etch time(19HF,30sec), STI nitride wet cleaning time(99HF, 60sec+P 90min) and fate pre-oxidation cleaning time (U10min+19HF, 60sec) to prevent hump occurring at STI channel edge.
We have investigated the effects of various wafers cleaning on glass/Si bonding using 4 inch Pyrex glass wafers and 4 inch silicon wafers. The various wafer cleaning methods were examined; SPM(sulfuric-peroxide mixture, $H_2SO_4:H_2O_2$ = 4 : 1, $120^{\circ}C$), RCA(company name, $NH_4OH:H_2O_2:H_2O$ = 1 : 1 : 5, $80^{\circ}C$), and combinations of those. The best room temperature bonding result was achieved when wafers were cleaned by SPM followed by RCA cleaning. The minimum increase in surface roughness measured by AFM(atomic force microscope) confirmed such results. During successive heat treatments, the bonding strength was improved with increased annealing temperatures up to $400^{\circ}C$, but debonding was observed at $450^{\circ}C$. The difference in thermal expansion coefficients between glass and Si wafer led debonding. When annealed at fixed temperatures(300 and $400^{\circ}C$), bonding strength was enhanced until 28 hours, but then decreased for further anneal. To find the cause of decrease in bonding strength in excessively long annealing time, the ion distribution at Si surface was investigated using SIMS(secondary ion mass spectrometry). tons such as sodium, which had been existed only in glass before annealing, were found at Si surface for long annealed samples. Decrease in bonding strength can be caused by the diffused sodium ions to pass the glass/si interface. Therefore, maximum bonding strength can be achieved when the cleaning procedure and the ion concentrations at interface are optimized in glass/Si wafer direct bonding.
로그 구조 파일 시스템에서는 쓰기 작업을 처리할 때 새로운 블록들이 순차적으로 할당된다. 그러나, 다수의 프로세스가 번갈아가며 동기적 쓰기 작업을 요청할 경우, 파일 시스템 상에서는 각 프로세스가 생성한 파일이 단편화될 수 있다. 이 파일 단편화는 읽기 요청을 처리할 때 다수의 블록 I/O를 발생시키기 때문에 읽기 성능을 저하시킨다. 게다가, 미리 읽기 기능은 한 번에 요청되는 데이터의 양을 증가시킴으로써 성능 저하를 더욱 심화시킨다. 이에, 본 논문에서는 파일 단편화 문제를 해결하기 위해 로그구조 파일 시스템의 새로운 클리닝 기법을 제안한다. 제안 기법은 로그 구조 파일 시스템의 클리닝 과정 중 유효 데이터 블록을 아이노드 번호 순으로 정렬함으로써 한 파일의 데이터 블록들을 인접하게 재배치한다. 실험 결과, 제안한 클리닝 기법이 클리닝 전에 비해 약 60%의 파일 단편화를 제거하였고, 그 결과로 미리 읽기 기능을 적용했을 때 읽기 성능을 최고 21%까지 향상시키는 것을 확인하였다.
본 논문에서는 NAND 형태의 플래시 메모리를 이용하여 시스템의 성능을 저하시키는 삭제 연산을 감소시켜 수행시간을 보장할 수 있는 플래시 메모리 전용 파일시스템을 설계한다. 파일 시스템 측면에서 플래시 메모리의 쓰기 연산 횟수를 감소시키면 파일시스템의 성능을 향상 시킬 수 있으므로, 쓰기 횟수를 감소시킬 수 있도록 새로운 i_node 구조를 구성하여 파일 시스템을 구성한다. 새롭게 구성된 i_node구조를 통하여 삭제 연산을 위한 Cleaning 알고리즘을 본 문에서 제시한다. 또한, Cleaning 될 데이터는 응용 프로그램 실행 시 자연적으로 발생하는 지역공간성과 시간공간성의 개념에 의해 최근에 사용된 응용 프로그램과 데이터가 또다시 실행될 가능성이 높은 실험결과에 따라서 최근의 데이터를 가장 오래유지하고 가장 오래된 데이터가 Cleaning 되도록 설계하였다. 실험과 플래시 파일 시스템 구현을 통하여 임베디드 시스템에서 요구하는 NAND 형 플래시 파일 시스템의 효율성을 증명한다.
철도부지의 도상자갈은 윤활유, 중금속 등으로 오염된 경우가 많다. 이에 본 연구에서는 오염된 자갈표면의 오염물질을 물리적으로 제거하는 오염도상자갈의 건식 정화 기술 성능을 알아보고자 하였다. 오염도상자갈 표면에 경도가 높은 금강사 연마재를 압축공기를 이용하여 분사할 수 있는 오염자갈 정화 장치를 제작하고, 여기에 오염자갈을 투입하여, 처리 시간을 1~10분까지 다양하게 변화시키면서 도상자갈의 석유계총탄화수소와 중금속 등의 정화 효율을 알아보았다. 석유계총탄화수소 제거 효율은 기관차 정차장에서 포집한 차량 윤활유 오염자갈은 70-80%로 다소 높은 반면에, 분기기에서 포집한 분기기 윤활유 오염자갈은 40-60%로 비교적 낮았다. 중금속 제거 효율은 구리와 납이 90% 이상으로 높은 반면에 니켈과 아연은 65-80%로 비교적 낮았다. 실험 결과 건식 자갈 정화 기술은 오염자갈의 처리에 효율적임을 확인할 수 있었다.
Disinfection is a very important process in water plant on account of our surface water usage. Particularly. the rainfall of Korea is concentrated in summer time. it is almost carried away to ocean before our utilization as water resource. To overcome the unbalance of water resource, artificial dams and reservoirs are constructed. According to such storage of water to aggravate water pollution and make the increase of water cleaning chemicals. Chlorine, as a main traditional chemical for water treatment. is focused on account of THMS formation in recent days. In this paper. the data of a water plant located in Seoul is adopted as the foundation of water quality analysis and introduce the substitute chemicals to supplement the harmful formation. additionally. Conclusions are summarized as follows: 1. The water quality of water resource is the worst in summer time and the supply of cleaning chemical is inevitably increased on account of general bacteria increase. 2. Chlorine, as a main chemical for water cleaning, formed the cancer-causing organic THMS with water molecules. 3. One of substitute chemical. chlorine dioxids suppress the formation of THMS comparing with the case of chlorine only. Therefore. the continuous research of substitute chemicals should be activated. 4. As the supply of disinfected clean water concerned with the citizen sanitary, the cultivation of professionals and academic conference must be needed on the basis of nation
The amount of water resources that can be used tend to be decreased gradually. In contrast, the rapidly increasing water consumption is a problem that need to be addressed. Renovation and equipment replacement to improve energy efficiency and to reduce expenditure for building usage is required. But the excessive initial investment cost and the prolonged of pay back period may be uneconomical choice. Water usage for cleaning the toilet bowl accounts for 27%of the total water usage. Water-saving valve that can select the amount of water for cleaning toilet bowl can be reduced expenditure. After installing water-saving valve, analysed the economic effects. Water-saving valves compared with flush valves, and researched the amount of water usage. Then analyzed for the economic effects. Water-saving valve was used 5.6 ${\ell}$/time for cleaning toilet bowl. In contrast, flush valve was consumed 8.4 ${\ell}$/time. Water-saving valve's water-saving rate was 33.3%. The initial payback period for Water-saving valve was 459.5 days. By a small investment in water saving valve, the economic benefits can be obtained.
한국산 관박쥐(Rhinolophusfewmequinum Jroma의 웅성생식 pattern을 알아보기 위하여 정소의 형태변화와 세정관 정상피의 1년주기를 조사하여 다음과 같은 결론을 얻었다. 정자형성은 5월에 시작되어 10월말에 완료되었다. 7월초부터 10월중순까지는 정자변태과정이며, 정자형성과정의 활성도가 가장 높은 달은 8월 중순경이었다. 또한 교미가 끝난 11월경부터 세정관내에는 미성숙한 정자세포가 Sertoli cell의 식작용과정의 일환으로 포식되어졌고, 91년 12월부터 92년 1월, 2월, 3월, 그리고 동면각성기인 4월의 실험군에서도 역시 점진적으로 식작용 과정을 관찰할 수 있었다. 교미가 끝난 후의 세정관 내에는 새로운 정자를 만들기 위한 준비단계로서 미성숙된 정자들이 Sertoli cell의 식작용에 의해 정화(cleaning)되므로 이 기간을 정화기간(cleaning time)이라 볼 수 있다. 따라서 정소내 세정관의 1년 주기를 볼 때 정화기간은 동면 개시기인 11월부터 익년 4월까지 약 6개월에 걸쳐 이루어 진다. 이상의 결과로 볼때, 정자형성은 동면각성 직후부터 시작하여 10월경에 완료되며 교미개시기에는 정지되고, 동면기 동안 정자형성이 일어나지 않는 점으로 보아 한국산 관박쥐는 'Pipistnfluspottem'에 속한다고 할 수 있다.
This paper deals with the development of a deep-learning-based runway cleaning robot using an optical camera. A suitable model to realize real-time object detection was investigated, and the differences between the selected YOLOv3 and other deep learning models were analyzed. In order to check whether the proposed system is applicable to the actual runway, an experiment was conducted by making a prototype of the robot and a runway model. As a result, it was confirmed that the robot was well developed because the detection rate of FOD (Foreign Object Debris) and cracks was high, and the collection of foreign substances was carried out smoothly.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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