• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권2호
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• pp.114-118
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• 2009

PVA (polyvinyl alcohol) brush cleaning method is a typical cleaning method for semiconductor cleaning process especially post-CMP cleaning. PVA brush contacts with the wafer surface and abrasive particle, generating the contact rotational torque of the brush, which is the removal mechanism. The brush rotational torque can overcome theoretically the adhesion force generated between the abrasive particle and wafer by zeta potential. However, after CMP (chemical mechanical polishing) process, many particles remained on the wafer because the brush was contaminated in previous post-CMP cleaning step. The abrasive particle on the brush redeposits to the wafer. The level of the brush contamination increased according to the cleaning run time. After cleaning the brush, the level of wafer contamination dramatically decreased. Therefore, the brush cleanliness effect on the cleaning performance and it is important for the brush to be maintained clearly.

• 상하수도학회지
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• 제25권2호
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• pp.177-184
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• 2011

Membrane fouling is an unavoidable phenomenon in operation of seawater reverse osmosis (SWRO) and major obstacle for economic and efficient operation. When fouling occurs on the membrane surface, the permeate flux is decreased, on the contrary, the trans-membrane pressure (TMP) is increased, therefore operation and maintaining costs and potential damage of membranes are able to the pivotal risks of the process. Chemical cleaning process is essential to prevent interruptions for effective RO membrane filtration process. This study focused on proper chemical cleaning condition for polyamide RO membranes of 4 companies. Several chemical agents were applied for chemical cleaning under numbers of operating conditions. Additionally, a monitoring tool of FEEM as autopsy analysis method is adapted for the prediction of organic bio-fouling.

• 한국재료학회지
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• 제28권8호
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• pp.440-444
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• 2018

An effective cleaning method for Ni removal in Ni-induced lateral crystallization(Ni-MILC) poly-Si TFTs and their electrical properties are investigated. The HCN cleaning method is effective for removal of Ni on the crystallized Si surface, while the nitric acid treatment results decrease by almost two orders of magnitude in the Ni concentration due to effective removal of diffused Ni mainly in the poly-Si grain boundary regions. Using the HCN cleaning method after the nitric acid treatment, re-adsorbed Ni on the Si surfaces is effectively removed by the formation of Ni-cyanide complexions. After the cleaning process, important electrical properties are improved, e.g., the leakage current density from $9.43{\times}10^{-12}$ to $3.43{\times}10^{-12}$ A and the subthreshold swing values from 1.37 to 0.67 mV/dec.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제47권6호
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• pp.688-694
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• 2009

PCB의 먼지 제거용 세정제로 사용되는 스프레이형 세정제를 선정하여 이에 대한 청정도를 평가하였다. 친환경적인 대체 세정제를 채택하기 위해서는 세정제의 세정성, 환경성, 경제성을 평가하여 체계적인 선정절차에 의거하여 도입 및 적용하여야 한다. 객관적이고 효율적인 세정성 평가방법의 정립이 현시점에서 매우 중요하다. 본 연구에서는 여러 세정성 평가 방법들 중 표면관찰평가법인 SEM-EDX(Scanning Electron Microscopy/Energy-Dispersive X-ray) 분석과 적외선열화상카메라(THERMOVISION A20 model)를 이용하여 청정도를 평가하였다. CT-2770 모델의 사운드카드를 $2{\times}2cm$로 잘라내어 스프레이 세정 전과 후의 청정도를 SEM의 이미지 분석을 통해 관찰할 수 있었고 EDX의 성분분석을 통해 먼지의 제거율을 정량화할 수 있었다. 컴퓨터의 P4T-E 모델의 마더보드와 IPC-A-36 모델의 기판을 사용, 오염물로 먼지와 철가루를 사용하여 열화상카메라로 세정 전, 후의 상온과 $50^{\circ}C$ Oven에 방치된 시간의 차이에 따른 온도의 변화를 비교하였다.

• 상하수도학회지
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• 제21권5호
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• pp.559-569
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• 2007

The purposes of this study were to find the main foulant of membrane and the optimal chemical cleaning method for MF(microfiltration) drinking water treatment system using D dam water as water source. The MF pilot plant which can treat maximum $500m^3/d$ consisted of 3 racks and was operated for 10 months under various operation conditions. After 10 months operation, $1^{st}$ and $2^{nd}$ rack of membrane pilot plant system were cleaned chemically and the degree of the restoration of the fouled membrane in terms of the pure water flux was detemnined. Inorganic compounds which contained in chemical cleaning waste was analyzed by Inductively Coupled Plasma (ICP). One membrane module for 3rd rack was disjointed and membrane fouling materials, especially inorganic compounds were investigated by Electron Probe Microanlysis (EPMA) to elucidate the reason of TMP increase. And also, the various chemical reagents (1N HCl or $H_2SO_4$, oxalic acid as acid and 0.3% NaOCl as alkali) were tested by combination of acid and alkali to determine the optimal chemical cleaning method for the MF system using micro-modules manufactured using the disjointed module. It was verified that the inside and outside of membrane module was colorized with black. As a result of the quantitative and semi-qualitative analysis of membrane foulant by ICP, most of inorganic foulant was manganese which is hard to remove by inorganic acid such as HCI. Especially, it was observed by EPMA that Mn was attached more seriously in inside surface of membrane than in outside surface of that. It was supposed that Mn fouling in inside surface of membrane might be caused by the oxidation of soluble manganese (Mn(II)) to insoluble manganese ($MnO_2$) by chlorine containing in backwashing water. The optimal cleaning method for the removal of manganese fouling was consecutive cleaning with the mixture of 1N HCl and 1% of oxalic acid, 0.3% NaOCl, and 1N HCl showing 91% of the restoration of the fouled membrane.

• 한국염색가공학회지
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• 제3권2호
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• pp.10-15
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• 1991

This study was to examine the anti-bacteria effect and the changes of chemical properties of chrome-tanned garment leathers on the preservative treatment. Various test methods, such as investigation of preservative treatment process, resistance test and chemical analysis by cleaning, antbbacterial test by shake flask method are carried out in this study. The results can be obtained as follows: 1. Bacterial reduction percentage of chrome-tanned garment leathers on the preservative treatment was 28.6%. 2. In the antbbacterial effect by dry cleaning, preservative treated leathers has no resistance. 3. Fats content has been removed by dry cleaning using perchloroethylene, so garment leathers properties were altered. 4. PH value was changed by dry cleaning. But once after fats removing, it was changed the little by dry cleaning numbers.

• 청정기술
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• 제10권2호
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• pp.73-87
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• 2004

세정은 거의 모든 산업분야에서 필요한 중간 공정으로 대부분의 산업분야에서 제품상의 이물질 제거를 위해 세정을 실시고 있으며 세정제로 CFC-113, 1,1,1-TCE (1,1,1-trichloroethane), MC (methylene chloride), TCE 등 과 같은 세정성과 재질호환성이 양호한 염소계세정제를 사용하여 왔다. 그러나 CFC-113, 1,1,1-TCE는 오존파괴 물질로 선진국에서는 이미 사용이 금지되어 있고 MC, TCE는 유해성 또는 발암물질로 판명되어 일부사업장에서 제한적으로 사용되고 있다. 그러므로 세정성이 좋고 환경/안전성이 우수한 대체세정제를 개발하여 사용 하거나 기존 개발된 세정제 중에서 우수한 세정제를 선정하여 사용하는 것이 필요한 실정이다. 대체세정제로는 수계/준수계세정제가 환경성과 경제적면에서 유망한 것으로 평가받고 있어 많은 사업장에서 사용될 전망이다. 이에 본 연구에서는 시판되고 있는 수계세정제 12종, 준수계세정제 6종을 선정하여 물성, 세정성, 헹굼성, 헹굼수 재활용성 등에 관한 비교 연구를 수행하였다. 그 결과 수계세정제는 습윤지수가 클수록 세정이 좋았지만 준수계세정제는 습윤지수와 연관이 없었다. 그리고 수계세정제와 준수계세정제에 의한 세정성과 헹굼성을 좋게 유지하기 위하여서는 일정농도 이하로 오염물의 농도 관리가 필요한 것으로 나타났다. 수계, 준수계세정제는 종류에 따라서 단순 정치분리법에 의하여 헹굼수 중의 오염물을 70% 이상 용이하게 제거할 수 있었다. 이것은 일부 세정제는 오염된 헹굼수 중에서 높은 유수분리 효율이 있어 헹굼수 중의 오염물을 제거하고 물을 재활용하는데 효율적임을 말해준다. 그리고 수계세정제가 함유된 오염물은 30 kDa 세공크기의 PAN 막을 사용한 한외여과방법에 쉽게 정화될수 있었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제45권2호
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• pp.203-207
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• 2007

불산과 오존 세정 시 실리콘 웨이퍼 표면의 미세입자를 효과적으로 제거할 수 있는 세정 방법에 대하여 연구하였다. 불산의 농도가 0.3 vol% 이상이 되어야 미세입자가 제거 되었으며, 초음파가 인가된 오존수를 사용 시 제거 효율은 증가되었다. 오존과 불산 세정 단계 이후에 추가로 극미량의(0.01 vol%) 희석 암모니아수 세정을 하면 미세입자가 99%이상 제거됨을 확인하였다. 이는 암모니아수에 의한 웨이퍼 표면의 미세 에칭 효과와 알칼리 영역에서의 재흡착 방지 효과가 동시에 작용함에 기인된다고 보인다. 한편, 불산-오존-희석 암모니아수 세정은 통상의 SC-1 세정과 비교할 때 표면 미세 거칠기가 개선되는 경향을 보였다. 불산-오존-희석 암모니아수 세정은 상온에서도 미세입자를 효과적으로 제거할 수 있는 세정 방법으로, 고온 공정 및 과다한 화학액을 사용하는 기존 습식세정의 대안으로서 기대된다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제11권3호
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• pp.1016-1022
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• 2010

액상 중유 연료를 사용하는 고용량 증기 보일러에서 발생되어 연소기기 내부에 침적되는 슈트, 슬래그, 크랭커, 회분, 산화물의 on-line 세정을 위한 세정제 제조에 대한 연구를 수행하였다. 액상 중유 연료를 사용하는 보일러 및 가열로에 생성되는 슈트, 슬래그, 크랭커, 회분, 산화물을 제거하는 기존 기술은 보일러 및 가열로의 가동 중단 후 작업자들에 의한 기계적인 처리를 통하여 침적물을 제거하는 기술을 사용하고 있다. 기존 기술을 대치할 수 있고 보일러의 중단이 없는 상태에서 침적물을 세정할 수 있는 세정제의 최적 조성을 도출하였다. 질산암모늄과 질산마그네슘의 혼합물이 주 세정제로 도출되었으며, 각종 전이금속 화합물에 의한 영향을 영향을 연구하여, 세정에 의한 부식을 방지할 수 있으며, 연소효율의 증대를 얻을 수 있는 전이금속화합불 첨가제를 도출하였다.

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권11호
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• pp.99-104
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• 1993

We analyzed the D.I. water used in wet cleaning process of semiconductor device manufacturing both at the D.I. water plant and at the wafer cleaning bath to detect the impurity source of D.I. water contamination. This shows that the quantity of impurity is related to the resistivity of D.I. water, and we found that the cleanliness of the wafer surface processed in D.I. water bath was affected by the degree of the ionic impurity contamination. So we evaluated the cleaning effect as different method for Fe ion, having the best adsoptivity on wafer surface. Moreover the temperature effect of the D.I. water is investigated in case of anion in order to remove the chemical residue after wet process. In addition to the control of D.I. water resistivity, chemical analysis of impurity control in D.I. water should be included and a suitable cleaning an drinsing method needs to be investigated for a high yielding semiconductor device.