• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1997년도 추계학술발표회논문집(1)
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• pp.481-486
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• 1997

The interfacial shear stress is experimentally investigated for co-current air-water stratified flow in inclined rectangular channels having a length of 1854mm, width of 120mm and height of 40mm at almost atmospheric pressure. Experiments are carried out in several inclinations from $0^{\circ}\;up\;to\;10^{\circ}$. The local film thickness and the wave height are measured at three locations, i.e., L/H = 8,23, and 40. According to the inclination angle, the experimental data are categorized into two groups; nearly horizontal data group ($0^{\circ}\;{\leq}\;{\theta}\;{\leq}\;0.7^{\circ}$), and inclined channel data group ($0.7^{\circ}\;{\leq}\;{\theta}\;{\leq}\;10^{\circ}$). Experimental observations for nearly horizontal data group show that the flow is not fully developed due to the water level gradient and the hydraulic jump within the channel. For the inclined channel data group, a dimensionless wave height, $\Delta$h/h, is empirically correlated in terms of $Re_{G}$ and h/H. A modified root-mean-square wave height is proposed to consider the effects of the interfacial and wave propagation velocities. It is found that an equivalent roughness has a linear relationship with the modified root-mean-square wave height and its relationship is independent of the inclination.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권9호
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• pp.737-740
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• 2009

SiC power device possesses attractive features, such as high breakdown voltage, high-speed switching capability, and high temperature operation. In general, device design has a significant effect on the switching characteristics, In this paper, we demonstrated that the switching performance of DMOSFETs are dependent on the with Channel length ($L_{channel}$) and Current Spreading Layer thickness ($T_{CSL}$) by using 2-D Mixed-mode simulations. The 4H-SiC DMOSFETs with a JFET region designed to block 800 V were optimized for minimum loss by adjusting the parameters of the JFET region, CSL, and epilayer. It is found that improvement of switching speed in 4H-SiC DMOSFETs is essential to reduce the gate-source capacitance and channel resistance. Therefore, accurate modeling of the operating conditions are essential for the optimizatin of superior switching performance.

• 대한기계학회논문집A
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• 제26권10호
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• pp.1982-1988
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• 2002

Micro-injection molding and microfluidic devices with the help of MEMS technologies including the LIGA process are expected to play important roles in micro-system industries, in particular the bio-application industry, in the near future. Understanding fluid flows in micro-channels is important since micro-channels are typical geometry in various microfluidic devices and mold inserts for micro-injection molding. In the present study, Part 1, an experimental investigation has been carried out to understand the detailed flow phenomena in micro-channel filling process. Three sets of micro-channels of different thickness (40um,30um and 2011m) were fabricated using SU-8 on silicon wafer substrate. And a flow visualization system was developed to observe the filling flow into the micro-channels. Experimental flow observations are extensively made to find the effects of pressure, inertia force, viscous force and surface tension. A dimensional analysis for experimental results was carried out and several relationships A dimensionless parameters are obtained.

• Steel and Composite Structures
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• 제32권6호
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• pp.769-778
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• 2019

The specially prefabricated steel moment connections with pyramid head is one of the significant innovations in the steel structures forms to improve the installation time and simplify the construction procedure. The beams in this structure form are supported by two top and bottom angles and web double angles. Such a configuration despite its advantages increases the welding operation and filed installation time and costs. In this paper, the effect of using beams with channel and I section in three classes of seismically compact, seismically non-compact, and slender section according to width-to-thickness ratio on the behavior of the connection was investigated under monotonic and cyclic loading. Modeling was performed by ABAQUS and verified by the results of an experimental specimen. The findings indicated that using I and channel section instead of angle section reduces the amount of welding materials as well as easing the installation procedure. However, it has no significant effect on the ultimate strength and ductility of the connection. Furthermore, if the beam section is seismically compact, this form is considered as a special moment frame that has a rotation capacity up to 0.04 radians without any reduction in connection moment resistance.

• 국제강구조저널
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• 제18권5호
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• pp.1801-1817
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• 2018

This paper presents the numerical parametric analysis on the loading capacity of Channel purlins with screw-fastened sheeting, in which the effects of anti-sag bar and corrugated steel sheet on the ultimate capacity are studied. Results show that the setup of anti-sag bars can reduce the deformations and improve the ultimate capacity of C purlins. The traditional method of setting the anti-sag bars in the middle of the web is favorable. The changing of sheeting type, sheeting thickness and rib spacing has significant effects on the ultimate capacity of C purlins without anti-sag bars, compared with those with anti-sag bars. The proposed design formulas are relatively consistent with the calculations of EN 1993-1-3:2006, which is different from those of GB 50018-2002.

• 한국수자원학회논문집
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• 제33권4호
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• pp.461-469
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• 2000

본 연구에서는 부유입자를 포함하는 유동을 입자크기와 입자량을 달리한 몇 가지 경우에 대하여 수치적으로 해석하고 Coleman(1981, 1986)의 실험결과와 비교하였다. 완전 난류 유동장을 해석하기 위하여 k-$\omega$난류모형을 사용하였으며, 농도장 해석을 위해서는 침강속도를 고려한 일반화된 농도방정식을 적용하였다. 유동과 입자의 상호작용은 Einstein과 Chien(1955)의 모형을 도입하여 수치계산하였다. 기존의 대부분 연구에서는 소유사의 두께를 고려하지 않은 연구를 수행하였으나, 입자량이 많아지거나 입자크기가 클 경우 이를 무시할 수 없는 것으로 밝혀졌다. 소유사의 두께와 하상에 의한 표면 거칠기 효과를 고려하여 본 연구를 수행하였는데, 여기서 농도분포를 결정짓게 되는 $\beta$값이 입자의 크기와 입자량에 관련되어 있다는 사실을 확인할 수 있었다. 기존 연구결과는 $\beta$가 1.0보다 큰 값을 가진다고 보고되었으나, 본 연구를 통해 1.0보다 작아질수 있음이 확인되었고, 이는 최근에 보고된 연구 결과와 일치되는 결과이다.

• 멤브레인
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• 제28권3호
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• pp.214-219
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• 2018

본 연구에서는 비용매 유도 상분리와 소결 공정을 혼용하여 기체 및 액체에 대하여 슈퍼플럭스 거동을 보이는 니켈 모세관 지지체를 성공적으로 제조하였다. 니켈 모세관 전구체는 니켈, 폴리술폰, DMAC, PEG를 이용하여 도프용액을 제조한 후 NIPS 공정에 의하여 제조된 후에, 다양한 소결온도에서 수소 분위기 조건에서 소결하여 니켈 모세관 지지체를 제조하였다. 최적의 니켈 모세관 지지체는 $950^{\circ}C$ 소결온도에서 얻어졌는데 외경 $722{\mu}m$, 내경 $550{\mu}m$, 두께 $94{\mu}m$이었다. 니켈 모세관 지지체 기공율은 26%, 평균 기공경은 $4{\mu}m$이었으며 3차원으로 서로 연결된 기공구조를 갖고 있었다. 그리고 파괴하중은 2.84 kgf, 파괴 연신율은 13%이었다. 니켈 모세관 지지체의 He, $N_2$, $O_2$, $CO_2$에 대한 단일 기체 투과도는 상온에서 각각 432,327, 281,119, 264,259, 193,143 GPU로 슈퍼플럭스 거동을 보였다. 이는 3차원적으로 서로 연결된 $4{\mu}m$ 크기 마크로기공을 통하여 viscous flow가 일어났기 때문에 나타나는 현상으로 설명되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.153-153
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• 2009

We investigated the dependence of the memory margin of the Cap-less memory cell on the strain of top silicon channel layer and also compared kink effect of strained Cap-less memory cell with the conventional Cap-less memory cell. For comparison of the characteristic of the memory margin of Cap-less memory cell on the strain channel layer, Cap-less transistors were fabricated on fully depleted strained silicon-on-insulator of 0.73-% tensile strain and conventional silicon-on-insulator substrate. The thickness of channel layer was fabricated as 40 nm to obtain optimal memory margin. We obtained the enhancement of 2.12 times in the memory margin of Cap-less memory cell on strained-silicon-on-insulator substrate, compared with a conventional SOI substrate. In particular, much higher D1 current of Cap-less memory cell was observed, resulted from a higher drain conductance of 2.65 times at the kink region, induced by the 1.7 times higher electron mobility in the strain channel than the conventional Cap-less memory cell at the effective field of 0.3MV/cm. Enhancement of memory margin supports the strained Cap-less memory cell can be promising substrate structures to improve the characteristics of Cap-less memory cell.

• 한국진공학회지
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• 제22권6호
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• pp.335-340
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• 2013

본 논문은 InP 식각정지층을 갖는 MHEMT 소자의 항복전압을 증가시키기 위한 시뮬레이션 설계 논문이다. MHEMT 소자의 게이트 리세스 구조 및 채널 구조를 변경하여 시뮬레이션을 수행하였고 비교 분석하였다. MHEMT 소자의 드레인 측만을 완전히 제거한 비대칭 게이트 리세스 구조인 경우 $I_{dss}$ 전류가 90 mA에서 60 mA로 줄어들지만 항복 전압은 2 V에서 4 V로 증가함을 확인하였다. 이는 $Si_3N_4$ 보호층과 InAlAs 장벽층 사이의 계면에서 형성되는 전자-포획 음의 고정전하로 인해 채널층에서의 전자 공핍이 심화되어 나타나는 현상으로 이는 채널층의 전류를 감소시켜 충돌이온화를 적게 형성시켜 항복전압을 증가시킨다. 또한, 동일한 구조의 비대칭 게이트 리세스 구조에서 채널층을 InGaAs/InP 복합 채널로 바꾸어 설계한 구조에서는 항복전압이 5 V로 증가하였다. 이는 높은 드레인 전압에서 InP 층의 적은 충돌이온화와 이동도로 인해 전류가 더 감소했기 때문이다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제10권10호
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• pp.1815-1821
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• 2006

본 연구에서는 20m이하 채널길이를 가진 FinFET에 대하여 문턱 전압이 하에서 서브문턱 스윙을 분석하였다. 분석을 위하여 분석 학적 전류모델을 개발하였으며 열방사 전류 및 터 널링 전류를 포함하였다. 열방사전류는 포아슨 방정식에 의하여 구한 포텐셜분포 및 맥스월-볼쯔만통계를 이용한 캐리어분포를 이용하여 구하였으며 터널링전류는 WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin) 근사를 이용하였다. 이 두 모델은 상호 독립적이므로 각각 전류를 구해 더 함으로써 차단전류를 구하였다. 본 연구에서 제시한 모델을 이용하여 구한 서브문턱스윙 값이 이차원시뮬레이션 값과 비교되었으며 잘 일치함을 알 수 있었다. 분석 결과 10nm이하에서 특히 터널링의 영향이 증가하여 서브문턱스윙특성이 매우 저하됨을 알 수 있었다. 이러한 단채널현상을 감소시키기 위하여 채널두께 및 게이트산화막의 두께를 가능한 한 얇게 제작하여 야함을 알았으며 이를 위한 산화공정 개발이 중요하다고 사료된다. 또한 채널도핑 변화에 따른 서브문턱 스윙 값을 구하였으며 저도핑영역에서 일정한 값을 가지는 것을 알 수 있었다.