• KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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• 제10권2호
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• pp.608-627
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• 2016

Wireless mesh networks (WMNs) based on IEEE 802.11s have emerged as one of the prominent technologies in multi-hop communications. However, the deployment of WMNs suffers from serious interference problem which severely limits the system capacity. Using multiple radios for each mesh router over multiple channels, the interference can be reduced and improve system capacity. Nevertheless, interference cannot be completely eliminated due to the limited number of available channels. An effective approach to mitigate interference is to apply dynamic channel switching (DCS) in WMNs. Conventional DCS schemes trigger channel switching if interference is detected or exceeds a predefined threshold which might cause unnecessary channel switching and long protocol overheads. In this paper, a P-learning based dynamic switching algorithm known as learning automaton (LA)-based DCS algorithm is proposed. Initially, an optimal channel for communicating node pairs is determined through the learning process. Then, a novel switching metric is introduced in our LA-based DCS algorithm to avoid unnecessary initialization of channel switching. Hence, the proposed LA-based DCS algorithm enables each pair of communicating mesh nodes to communicate over the least loaded channels and consequently improve network performance.

• KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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• 제13권1호
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• pp.110-132
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• 2019

To ensure reliable and secure communication in heterogeneous cellular network (HCN) with imperfect channel state information (CSI), we proposed a coordinated multipoint (CoMP) transmission scheme based on dual-threshold optimization, in which only base stations (BSs) with good channel conditions are selected for transmission. First, we present a candidate BSs formation policy to increase access efficiency, which provides a candidate region of serving BSs. Then, we design a CoMP networking strategy to select serving BSs from the set of candidate BSs, which degrades the influence of channel estimation errors and guarantees qualities of communication links. Finally, we analyze the performance of the proposed scheme, and present a dual-threshold optimization model to further support the performance. Numerical results are presented to verify our theoretical analysis, which draw a conclusion that the CoMP transmission scheme can ensure reliable and secure communication in dense HCNs with imperfect CSI.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.280-281
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• 2011

We fabricated the devices of TFT type with the amorphous chalcogenide channel. A single device consists of a Pt source and drain, a Ti glue layer and a GeSe chalcogenide channel layer on SiO2/Si substrate which worked as the gate. We confirmed the drain current with variations of gate bias and channel size. The I-V curves of the switching device are shown in Fig. 1. The channel of the device always contains amorphous state, but can be programmed into two states with different threshold voltages (Vth). In each state, the device shows a normal Ovonic switching behavior. Below Vth (OFF state), the current is low, but once the biasing voltage is greater than Vth (ON state), the current increases dramatically and the ON-OFF ratio is about 4 order. Based on the experiments, we contained the conclusion that the gate voltage can enhance the drain current, and the electric field by the drain voltage affects the amorphous-amorphous transition. The switching device always contains the amorphous state and never exhibits the Ohmic behavior of the crystalline state.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권5호
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• pp.907-915
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• 2003

유선 통신환경과 비교해서 무선 자원이 부족한 무선 환경에서는 매우 효율적인 패킷 전송 방식이 필요하다. 일반적으로는 이중 모드 패킷 전송 방식이 널리 사용된다. 스위칭 기준에 따라서, 패킷은 전용채널이 할당되거나 또는 공통의 채널을 통해서 전송된다. 일반적인 기준은 패킷의 길이와 생성 주파수이다. 즉 크고 발생 빈도가 높은 패킷은 전용 채널을 통해서 전송되고 작고 발생빈도가 낮은 패킷은 공통 채널을 통해서 전송된다. 이중 모드 패킷 전송 방식의 성능은 스위칭 기준과 밀접한 관련이 있다. 그렇지만 최적의 스위칭 포인트를 찾는 것은 매우 힘드는데 스위칭 포인트가 고정되어 있는 것이 아니라 트래픽 부하와 생성된 패킷의 길이와 채널의 수와 같은 환경에 따라 변동하기 때문이다. 본 논문에서는 동적 스위칭 임계점(dynamic switching threshold)을 이용하는 이중 모드 패킷 전송 방식을 위한 새로운 기법을 제안한다. 이 방식에서는 스위칭 임계값이 네트워크 환경에 따라서 변동한다. 제안한 방식의 성능은 시뮬레이션을 통해 분석하였다. 시뮬레이션 결과는 기존의 이중 모드 패킷 전송 방식과는 달리 제안한 방식의 성능이 네트워크 환경의 영향을 그다지 받지 않음을 보여준다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.403-404
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• 2012

We fabricated TFT devices with the GeSe channel. A single device consists of a Pt source and drain, a Ti glue layer and a GeSe chalcogenide channel layer on SiO2/Si substrate which worked as the gate. We confirmed the drain current with variations of gate bias and channel size. The I-V curves of the switching device are shown in Fig. 1. The channel of the device always contains amorphous state, but can be programmed into two states with different threshold voltages (Vth). In each state, the device shows a normal Ovonic switching behavior. Below Vth (OFF state), the current is low, but once the biasing voltage is greater than Vth (ON state), the current increases dramatically and the ON-OFF ratio is high. Based on the experiments, we draw the conclusion that the gate voltage can enhance the drain current, and the electric field by the drain voltage affects the amorphous-amorphous transition. The switching device always contains the amorphous state and never exhibits the Ohmic behavior of the crystalline state.

• Journal of Communications and Networks
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• 제16권1호
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• pp.56-66
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• 2014

We propose a novel opportunistic access scheme for cognitive radios in an interweave cognitive system, that considers the channel gain as well as the predicted idle channel probability (primary user occupancy: Busy/idle). In contrast to previous work where a cognitive user vacates a channel only when that channel becomes busy, the proposed scheme requires the cognitive user to switch to the channel with the next highest idle probability if the current channel's gain is below a certain threshold. We derive the threshold values that maximize the long term throughput for various primary user transition probabilities and cognitive user's relative movement.

• 대한전자공학회논문지
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• 제16권6호
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• pp.11-15
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• 1979

700°∼850℃의 온도구간에서 소결한 Fe2O3-Bi2O3 소결체에서 전기적 Switching 현상이 관찰되었다. 30°∼200℃의 주위온도구간에서 이들 소결체의 직류전도도는 소결온도가 증가함과 주위온도의 증가함에 따라 증가하였다. Current channel의 형성과 Switching 전압의 주위온도 의존성에 의해 Fe2O3-Bi2O3 소결체의 주된 전기적 Switching 기구는 열적효과로 생각된다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제15권5호
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• pp.504-510
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• 2015

This paper presents a power and area efficient SAR ADC for multi-channel near threshold-voltage (NTV) applications such as neural recording systems. This work proposes a split dual-capacitive-array (S-DCA) structure with shifted input range for ultra low-switching energy and architecture of multi-channel single-ended SAR ADC which employs only one comparator. In addition, the proposed ADC has the same amount of equivalent capacitance at two comparator inputs, which minimizes the kickback noise. Compared with conventional SAR ADC, this work reduces the total capacitance and switching energy by 84.8% and 91.3%, respectively.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권5호
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• pp.982-988
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• 2012

본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET에서 문턱전압과 스켈링 이론의 관계를 관찰하였다. 기존 MOSFET의 경우 채널크기에 스켈링 이론을 적용하여 전류 및 스위칭주파수를 해석하였다. 이에 본 연구에서는 이중게이트 MOSFET에서 문턱전압의 경우 스켈링 이론의 적용가능성을 관찰하기 위하여 문턱전압의 변화를 스켈링 인자에 따라 관찰하고 분석하였다. 이를 위하여 이미 검증된 포아송방정식의 해석학적 전위분포를 이용하였으며 이때 가우스함수의 전하분포를 사용하였다. 분석결과 문턱전압이 스켈링 인자에 따라 크게 변화하였으며 변화정도는 도핑농도의 스켈링에 따라 변화한다는 것을 관찰하였다. 특히 이중게이트의 특성상 채널두께 및 채널길이에 스켈링 이론을 적용할 때 가중치를 이용한 변형된 스켈링 이론을 적용함으로써 이중게이트 MOSFET에 가장 타당한 스켈링 이론에 대하여 설명할 것이다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제9권3호
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• pp.279-284
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• 2014

본 논문에서는 p-채널 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 새로운 OLED 화소회로를 제안하였다. 제안한 5-TFT OLED 화소회로는 4개의 스위칭 박막 트랜지스터, 1개의 OLED 구동 박막 트랜지스터 및 1개의 정전용량으로 구성되어 있다. 제안한 화소회로의 한 프레임은 초기화 구간, 문턱전압 감지 및 데이터 기입 구간, 데이터 유지 구간 및 발광 구간으로 나누어진다. SmartSpice 시뮬레이션 결과, 구동 트랜지스터의 문턱전압이 ${\pm}0.25V$ 변동 시 최대 OLED 전류의 오차율은 -4.06%이였고 구동 트랜지스터의 문턱전압이 ${\pm}0.50V$ 변동 시 최대 OLED 전류의 오차율은 9.74%였다. 따라서 제안한 5T1C 화소회로는 p-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동에 둔감하여 균일한 OLED 전류를 공급함을 확인하였다.