• Journal of Communications and Networks
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• 제11권2호
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• pp.104-114
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• 2009

In this paper, a technique is proposed that enables secondary users to evaluate channel availability in cognitive radio networks. Here, secondary users estimate the utilization of channels via predicting the traffic pattern of primary user, and select a proper channel for radio transmission. The proposed technique reduces the channel switching rate of secondary users (the rate of switching from one channel to another) and the interference on primary users, while maintaining a reasonable call blocking rate of secondary users.

• 한국군사과학기술학회지
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• 제14권5호
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• pp.833-841
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• 2011

In this paper, we propose uncoordinated dynamic frequency(channel) allocation schemes based on cognitive radio in mobile cellular networks(MCNs). Under the assumptions that mobile base stations are equipped with cognitive radio(CR) function and they construct uncoordinated network, the proposed scheme enables the MCNs by suppression of successive channel switching and management of channel allocation in a dynamic and distributed manner. The proposed scheme is composed of two phase processes. In the first phase, highly orthogonal sequences are generated and assigned to mobile base stations. In the second phase, each mobile base station is allocated a channel according to the pre-assigned orthogonal sequences. Simulation results show that the number of successive spectrum switching is reduced significantly compared with the random switching scheme.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2001년도 춘계종합학술대회
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• pp.197-200
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• 2001

최근의 확산대역 통신 방식에 사용되는 주파수 합성기는 주파수 스위칭 시간이 중요한 요소가 되고 있다. FH-SS(Frequency Hopping Spread Spectrum) 송수신기에서 고속 주파수 합성기 설계는 채널 효율을 높이기 위해 매우 중요하다. 본 논문에서는 기존 PLL방식에 직접 접근 주파수 합성 (DDS) 방식을 응용하여 1 $\mu\textrm{s}$ 이하의 스위칭 시간을 갖는 고속 주파수 합성기를 설계하고, 이를 2.4GHz 대리의FH-SS 송수신기에 적용하여 시뮬레이션 결과 20% 이상의 채널 효율 개선 효과를 얻었다.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제22권1호
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• pp.224-239
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• 2022

온라인 판매가 무서운 성장세를 보여주고 있음에도 불구하고, 소비자 채널 전환행동 영역에서 오프라인 밴드왜건이 여전히 많은 주목을 받고 있다. 소비자의 오프라인에서 온라인 소매업자로의 전환행동을 탐색하는 기존연구와 달리, 본 연구는 push-pull-mooring 모델을 기반으로 소비자가 온라인에서 오프라인 채널로 전환하는 이유와 시점에 중점을 두어 살펴본다. 따라서, 본 연구는 구조방정식 모델과 SPSS를 이용하여 설립된 연구가설을 검증하였다. 그 결과는 예상대로 push 요인(지각된 위험과 불만족)과 pull 요인(대안매력과 지각된 주인의식)이 모두 소비자의 온라인에서 오프라인 채널로의 전환의도에 긍정적 영향을 미치는 것으로 나타났다. 또한, push 요인과 전환비용간의 상호작용 및 pull 요인과 주관적 규범간의 상호작용을 제외하고, 모든 push 요인과 mooring 요인(전환비용, 다양성 추구 성향과 주관적 규범)간의 상호작용 및 pull 요인과 mooring 요인간의 상호작용이 검증되었다. 마지막으로 시사점과 한계점을 더불어 제시하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제16권6호
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• pp.11-15
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• 1979

700°∼850℃의 온도구간에서 소결한 Fe2O3-Bi2O3 소결체에서 전기적 Switching 현상이 관찰되었다. 30°∼200℃의 주위온도구간에서 이들 소결체의 직류전도도는 소결온도가 증가함과 주위온도의 증가함에 따라 증가하였다. Current channel의 형성과 Switching 전압의 주위온도 의존성에 의해 Fe2O3-Bi2O3 소결체의 주된 전기적 Switching 기구는 열적효과로 생각된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권9호
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• pp.737-740
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• 2009

SiC power device possesses attractive features, such as high breakdown voltage, high-speed switching capability, and high temperature operation. In general, device design has a significant effect on the switching characteristics, In this paper, we demonstrated that the switching performance of DMOSFETs are dependent on the with Channel length ($L_{channel}$) and Current Spreading Layer thickness ($T_{CSL}$) by using 2-D Mixed-mode simulations. The 4H-SiC DMOSFETs with a JFET region designed to block 800 V were optimized for minimum loss by adjusting the parameters of the JFET region, CSL, and epilayer. It is found that improvement of switching speed in 4H-SiC DMOSFETs is essential to reduce the gate-source capacitance and channel resistance. Therefore, accurate modeling of the operating conditions are essential for the optimizatin of superior switching performance.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.131-131
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• 2009

Silicon Carbide (SiC) is a material with a wide bandgap (3.26eV), a high critical electric field (~2.3MV/cm), a and a high bulk electron mobility ($\sim900cm^2/Vs$). These electronic properties allow high breakdown voltage, high-speed switching capability, and high temperature operation compared to Si devices. Although various SiC DMOSFET structures have been reported so far for optimizing performances, the effect of channel dimension on the switching performance of SiC DMOSFETs has not been extensively examined. This paper studies different channel dimensons ($L_{CH}$ : $0.5{\mu}m$, $1\;{\mu}m$, $1.5\;{\mu}m$) and their effect on the the device transient characteristics. The key design parameters for SiC DMOSFETs have been optimized and a physics-based two-dimensional (2-D) mixed device and circuit simulator by Silvaco Inc. has been used to understand the relationship. with the switching characteristics. To investigate transient characteristic of the device, mixed-mode simulation has been performed, where the solution of the basic transport equations for the 2-D device structures is directly embedded into the solution procedure for the circuit equations. We observe an increase in the turn-on and turn-off time with increasing the channel length. The switching time in 4H-SiC DMOSFETs have been found to be seriously affected by the various intrinsic parasitic components, such as gate-source capacitance and channel resistance. The intrinsic parasitic components relate to the delay time required for the carrier transit from source to drain. Therefore, improvement of switching speed in 4H-SiC DMOSFETs is essential to reduce the gate-source capacitance and channel resistance.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제16권5호
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• pp.428-439
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• 2016

최근 온라인 상거래에서는 오프라인 상에서 어느 정도 이름이 알려진 쇼핑몰이 온라인 채널까지 동시에 운영하는 것이 보편화되어 있다. 이와 같은 멀티채널 상거래 상황에서 사용자의 온라인 상거래 지속사용의도를 분석하기 위해서는 오프라인 채널에서 발생된 신뢰가 온라인 구매행동에 미치는 영향을 분석할 필요가 있으며, 또한 온라인 채널에 대한 불확실성이 고려된 연구가 필요하다. 한편, 개인들이 가지고 있는 부정 감정은 멀티채널 상황 하에서 사용자 행위에 다양한 조절효과를 미치는 것으로 파악되지만, 이러한 개인의 부정감정이 충분히 반영된 연구가 부족한 상황이다. 본 연구에서는 멀티채널상황에서 오프라인 신뢰, 불확실성, 전환비용, 그리고 개인의 부정감정이 사용자 온라인 상거래 지속사용의도에 미치는 영향을 실증적으로 분석하였다. 406부의 설문지를 분석한 결과 만족과 전환비용, 그리고 개인의 부정감정이 온라인 쇼핑몰에서의 구매경험자들의 지속구매의도에 매우 유의한 영향을 미치는 요인으로 입증되었다.

• ETRI Journal
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• 제36권1호
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• pp.183-186
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• 2014

In this letter, we consider a cooperation system with multiple untrusted relays (URs). To keep the transmitted information confidential, we obtain joint channel characteristics (JCCs) through combining the channels from the source to the destination. Then, in the null space of the JCCs, jammers construct artificial noise to confuse URs when the source node broadcasts its data. Through a distributed implementation algorithm, the weight of each node can be obtained from its own channel state information. Simulation results show that high-level security of the system can be achieved when internal and external eavesdroppers coexist.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제20권1호
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• pp.54-58
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• 2021

The RGO with controllable oxygen functional groups is a novel material as the active layer of resistive switching memory through a reduction process. We designed a nanoscale conductive channel induced by local oxygen ion diffusion in an Au / RGO+GQD / Al resistive switching memory structure. A strong electric field was locally generated around the Al metal channel generated in BIL, and the local formation of a direct conductive low-dimensional channel in the complex RGO graphene quantum dot region was confirmed. The resistive memory design of the complex RGO graphene quantum dot structure can be applied as an effective structure for charge transport, and it has been shown that the resistive switching mechanism based on the movement of oxygen and metal ions is a fundamental alternative to understanding and application of next-generation intelligent semiconductor systems.