We report on the bias stability characteristics of transparent ZnO thin film transistors (TFTs) under visible light illumination. The transfer curve shows virtually no change under positive gate bias stress with light illumination, while it shows dramatic negative shifts under negative gate bias stress. The major mechanism of the bias stability under visible illumination of our ZnO TFTs is thought to be the charge trapping of photo-generated holes at the gate insulator and/or insulator/channel interface.
In this paper we numerically approximated the field-effect mobility of a-Si:H TFT. Field-effect mobility, based on the charge-trapping model and new effective capacitance model in our study, used Chebyshev approximation was approximated as the function of gate potential(gate-to-channel voltage). Even though various external factors are changed, this formula can be applied by choosing the characteristic coefficients without any change of the approximation formula corresponding to each operation region. Using new approximated field-effect mobility formula, the dependences of field-effect mobility on materials and thickness of gate insulator, thickness of a-Si bulk, and operation temperature in inverted staggered-electrode a-Si:H TFT were estimated. By this was the usefulness of new approximated mobility formula proved.
To analyze Nonvolatile SNOSFET(polySilicon-Nitride-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) memory device, two dimensional numerical computer simulation program was developed. The equation discretization was performed by the Finite difference method and the solution was derived by the Iteration method. The doping profile of n-channel device which was fabricated by 1Mbit CMOS process was observed. The electrical potential and the carrier concentration distribution to applied bias condition were observed in the inner of a device. As a result of the write and the erase to memory charge quantity, the threshold voltage shift is expected. Therefore, without device fabrication, the operating characteristics of the device was observed under various the processing and the operating condition.
EEPROM technology has been used for storing analog weights as charge in a nitride layer between gate and channel of a field effect transistor. In the view of integrity and fabrication process, it is essentially required that SONOSFET is capable of performing synapse function as a basic element in an artificial neural networks. This work has introduced the VLSI implementation for synapses including current study and also investigated physical characteristics to implement synapse circuit using SONOSFET memories. Simulation results are shown in this work. It is proposed that multiplication of synapse element using SONOSFET memories will be developed more compact implementation under Present fabrication processes.
The ageing process was checked by leakage current monitoring in Inclined-Plane Method. In order to monitor leakage current, DAS with 12-bit, 8-channel A/D converter was prepared. The monitored components of leakage current were averages of the rms and peak, max peak, cumulative charge, and the number of peaks in the ranges of 1-10, 10-20, 20-30, 30-40, 40-50, >50 mA. And, erosion depth was measured to be used as the index of the ageing. So, the results of leakage current components and erosion depth measurement were compared to find one or more components of which trends of changes were similar to that of erosion.
A weight-rate disposal system for food waste has been implemented in all over the country. The food waste disposal system is a system paying service charge according to the volume of food waste, which means the more we produce waste, the more we have to pay as much.Since this policy was introduced, each of apartment, villa, etc and other buildings must install the food waste disposal system. We can say that there are strong points in this paper for us to install a weight monitor on the channel of the floor each, accumulate the fares automatically and collect the fares at the end of every month.
In the present study, we investigated effects of extracellular zinc (Zn$\^$2+/) on T-type Ca$\^$2+/ channel isoforms (${\alpha}$lG, ${\alpha}$lH, and ${\alpha}$lI) stably expressed in HEK 293 cells. Ca$\^$2+/ currents were measured using 10 mM Ca$\^$2+/ as a charge carrier under whole cell-ruptured patch configuration. Zn$\^$2+/ blocked the ${\alpha}$lH currents with a 100- and 200-fold higher potency (IC$\sub$50/ = 2.5 ${\mu}$M) when compared with those for blockade of the ${\alpha}$1G and ${\alpha}$1I currents, respectively.(omitted)
The ageing process was checked by leakage current monitoring in Salt Fog Method. In order to monitor leakage current, DAS with 12-bit, 8-channel A/D converter was prepared. The monitored components of leakage current were averages of the rms and peak, max peak, cumulative charge, and the cumulative number of peak pulses. The acquired data were stored to the disc periodically. And, surface conductivity was measured to investigate loss of hydrophobicity. The results suggest that surface conductivity and leakage current are well corresponding to initial loss of hydrophobicity.
The discharge processes in electro-negative gases with non-uniform field gape are composed of the formation of pulsed streamer corona, the transition of the streamers into leader step, the temporal development of the leader channel, and the stepped propagation of leader through the gap. In this paper, the first corona inception characteristics in $SF_6$ gas and $SF_{6}-N_{2}$ mixtures, related to the propagation of loader and the space charge effect, were experimentally investigated with positive and negative transient impulse voltages.
In order to understand the phenomena of combustion instability, an experimental study was conducted at the moderate pressure and ambient temperature conditions. The flame behavior and the pressure fluctuations were measured in a dump combustor. Various types of combustion modes occurred in accordance with the equivalence ratio and the fuel supplying conditions. The fluctuation of pressure, heat release and equivalence ratio were measured by piezoelectric pressure sensor, high speed Intensified Charge Coupled Device (HICCD) camera and gas chromatography respectively. Two representative modes were self-excited pressure oscillations at the resonance of combustion chamber (200Hz) and instabilities related to the modulated fuel flow rate through the fuel holes (10Hz). It is found that, especially in an unchoked fuel flow condition, the modulation of the fuel flow rate affects the characteristics of flame behavior and pressure fluctuations in a lean premixed flame.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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