상변화 메모리 응용을 위한 Sb-doped $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$ 박막의 특성
(The properties of Sb-doped $Ge_{1}Se_{1}Te_{2}$ thin films application for Phase-Change Random Access Memory)
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- 대한전기학회:학술대회논문집
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- 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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- pp.1329-1330
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- 2007