• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.14-14
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• 2010

A high voltage current sensing circuit for LED driver IC is designed and verfied by Cadence SPECTRE simulations. The current mirror pair, power and sensing MOSFETs with size ratio of K, is used in our on-chip current sensing circuit. Very low drain voltages of the current mirror pair should be matched to give accurate current sensing, so a folded-cascode opamp with a PMOS input pair is used in our design. A high voltage high side LDMOST switch is used between the current sensing circuit and power MOSFET to protect the current sensing circuit from the high output voltage. Simulation results using 0.35um BCD process show that current sensing is accurate with properly frequency compensated opamp.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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• pp.567-568
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• 2008

본 논문에서는 CMOS $0.18\;{\mu}m$ 공정을 이용하여 UWB LNA를 설계하였다. UWB LNA $3{\sim}5GHz$의 대역 에서 전력이득은 12-15 dB, 잡음지수는 5 dB이하, 그리고 입력과 출력의 반사손실은 10 dB 이하의 특성을 보이도록 하였다. 캐스코드 구조를 이용하여 잡음을 억제하고 이득을 향상시켰으며, 입력매칭에 공통 게이트 증폭기를 이용하여 대역폭을 증가시켰다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 ITC-CSCC -2
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• pp.1312-1315
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• 2002

This research describes the design of a fully integrated fractional-N frequency synthesizer intended for the local oscillator in IMT-2000 system using 0.18-$\mu\textrm{m}$ CMOS technology and 1.8-V single power supply. The designed fractional-N synthesizer contains following components. Modified charge pump uses active cascode transistors to achieve the high output impedance. A multi-modulus prescaler has modified ECL-like D flip-flop with additional diode-connected transistors for short transient time and high frequency operation. And phase-frequency detector, integrated passive loop filter, LC-tuned VCO having a tuning range from 1.584 to 2.4 ㎓ at 1.8-V power supply, and higher-order sigma-delta modulator are contained. Finally, designed frequency synthesizer provides 5 ㎒ channel spacing with -122.6 dBc/Hz at 1 ㎒ in the WCDMA band and total output power is 28 mW.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2003년도 종합학술발표회 논문집 Vol.13 No.1
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• pp.168-172
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• 2003

This paper analyzes the output noise and the noise figure of common source MOSFET pair each input of which is separately driven in the different frequencies. This analysis is performed for concurrent dual band cascode CMOS LNA with double inputs and single output fabricated in $0.18{\mu}m$ CMOS process. Since both inputs and output are matched to near $50{\Omega}$ using on-chip inductors, the measured noise figures are much higher than those of usual CMOS LNA. But, the main concern of this paper is focused on the added noise features due to the other channel common source stage. The dual-band LNA results in noise figure of 4.54dB at 2.14GHz and 6.03dB at 5.25GHz for selectable operation and 7.44dB and 6.58dB for concurrent operation. The noise analysis explains why the added noise at each band shows so large difference.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제7권2호
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• pp.221-226
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• 2012

본 논문에서는 광대역 (400 MHz~2000 MHz) 2단 증폭단을 설계, 제작 및 측정하였다. 제안한 증폭단은 새로운 구조의 이득제어 방식을 적용하여 고이득, 저잡음지수 및 높은 선형성 특성을 구현하였다. 증폭단은 공통 에미터 구조의 초단 증폭기 및 캐스코드 구조의 가변이득 증폭기. 입력신호의 크기를 감지하는 전력감지회로로 구성하였다. 제안한 증폭단은 설계 대역에서 전체이득 29 dB~37 dB, 잡음지수 1.5 dB을 나타내었고, 강전계 입력 조건에서 전력감지회로에서 발생되는 제어전압 2.0V인 조건에서 3차 상호변조 왜곡 신호의 크기는 측정 장비의 잡음레벨 보다 낮은 특성을 나타내어 높은 선형성 특성을 나타내었다.

• 한국멀티미디어학회논문지
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• 제7권11호
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• pp.1515-1520
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• 2004

본 논문에서는 저전압에서 동작이 가능하며 이득값이 뛰어난 능동소자를 이용하여 750kHz의 중심주파수특성을 나타내는 연속시간 대역통과 능동필터를 설계하였다. 이용된 적분기는 이득특성에 영향을 주는 트랜스컨덕턴스값을 증가시키기 위해 CMOS 상보형 캐스코드 방식을 이용하여 구성되었으며, 0.25$\mu\textrm{m}$ CMOS n-well 공정 파라미터를 이용한 hspice 시뮬레이션 결과, 2V 공급전압하에서 42dB의 이득값과 200MHz의 단위이득주파수 특성을 나타내었다. 또한 이를 이용하여 설계된 대역통과 능동필터는 747kHz의 중심주파수특성을 나타내고 659kHz의 대역폭 특성을 보여주었다.

• 센서학회지
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• 제16권6호
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• pp.475-483
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• 2007

This paper proposes a readout integrated circuit (ROIC) for $32{\times}32$ infrared focal plane array (IRFPA) detector, which consist of reference resistor, detector resistor, reset switch, integrated capacitor and operational amplifier. Proposed ROIC is designed using $0.35{\;}{\mu}m$ 2P-4M (double poly four metal) n-well CMOS process parameters. Low noise folded cascode operational amplifier which is a key element in the ROIC showed 12.8 MHz unity-gain bandwidth and open-gain 89 dB, phase margin $67^{\circ}$, SNR 82 dB. From proposed circuit, we gained output voltage variation ${\Delta}17{\};mV/^{\circ}C$ when the detector resistor varied according to the temperature.

• 전자공학회논문지SC
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• 제39권3호
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• pp.201-210
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• 2002

본 논문에서는 뉴런모스를 사용한 다운리터럴(Down-Literal) 회로블록과 전류미러 스위치 블록을 사용하여 3.3(V)의 저전력과 고속에서 동작하는 4치 아날로그 변환기(Quartenary to Analog Converter : QAC)를 설계하였다. 다운리터럴 회로를 사용하여 4치입력을 전류미러 스위치의 제어신호로 전환하고 전류미러 스위치는 4치입력에 해당하는 아날로그 신호를 출력한다. 제안된 구조로 설계된 QAC는 고속의 정착시간과 저전력소모의 특징을 가지며 CMOS 0.35㎛ n-well 공정을 사용한 실험 결과를 통해서 3.3(V)의 단일 전원을 사용하여 6MHz의 표본속도와 24.5mW의 전력소모를 확인한다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
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• pp.507-508
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• 2006

High performance delta-sigma modulator is developed for audio-codec applications(i.e.. 16-bit resolution at a 20kHz signal bandwidth). The modulator is realized with fully-differential switched capacitor integrators. All stages employ a single-stage folded-cascode amplifier. The presented delta-sigma modulator when clocked at 3.2MHz achieves 85.2dB peak-SNDR and 94.8dB SNR. This modulator is designed in a SAMSUNG $0.18{\mu}m$ CMOS process. Finally, this paper shows the test setup and FFT result gained from delta-sigma modulator chip designed for audio applications.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제16권4호
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• pp.443-450
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• 2016

The linearization technique for low noise amplifier (LNA) has been implemented in standard $0.18-{\mu}m$ BiCMOS process. The MOS-BJT derivative superposition (MBDS) technique exploits a parallel LC tank in the emitter of bipolar transistor to reduce the second-order non-linear coefficient ($g_{m2}$) which limits the enhancement of linearity performance. Two feedback capacitances are used in parallel with the base-collector and gate-drain capacitances to adjust the phase of third-order non-linear coefficients of bipolar and MOS transistors to improve the linearity characteristics. The MBDS technique is also employed cascode configuration to further reduce the second-order nonlinear coefficient. The proposed LNA exhibits gain of 9.3 dB and noise figure (NF) of 2.3 dB at 2 GHz. The excellent IIP3 of 20 dBm and low-power power consumption of 5.14 mW at the power supply of 1 V are achieved. The input return loss ($S_{11}$) and output return loss ($S_{22}$) are kept below - 10 dB and -15 dB, respectively. The reverse isolation ($S_{12}$) is better than -50 dB.