Investigation into the variation on Si wafer by RTA annealing in $H_2$ gas
(RTA를 이용하여 수소 열처리한 실리콘 웨이퍼의 표면 및 근처의 변화 연구)
-
- Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
- /
- v.10 no.1
- /
- pp.42-47
- /
- 2000