• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2009년도 추계학술대회
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• pp.931-934
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• 2009

본 논문은 $24{\mu}m$ 이하의 미세 폭 및 $30{\mu}m$ 이하의 피치와 같이 미세 패턴을 가진 칩 온 필름(chip-on-film, COF)에 발생한 결함들을 자동으로 검출할 수 있는 시스템을 제안한다. 개발된 검출시스템은 미세 패턴의 COF에서 발생한 개방 (open), 단락 (hard short), mouse bite 및 near short (soft short)과 같은 다양한 결함들을 자동으로 빠르게 검출할 수 있는 기술이 적용되어 있다. 본 논문에서 제안하는 결함 검사 기술의 기본 원리는 미세 패턴내의 결함으로 인해 발생한 저항의 미세 변화를 고주파 공진기 (resonator)를 이용하여 측정 주파수에서 증폭시키고 증폭된 결함 신호와 결함이 없는 경우의 신호와의 전압차를 읽어서 0이 아니면 결함이 있음을 판단한다. 제안된 시스템은 미세 패턴 COF 검사 과정에서 결함들을 신속히 측정할 수 있으므로 불필요한 COF 복사를 위해 소요되는 경비를 줄일 수 있으리라 기대한다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권2호
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• pp.313-318
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• 2012

본 논문에서는 $30{\mu}m$ 이하의 초 미세 피치를 가진 칩 온 필름(chip-on-film, COF)에서 자주 발생하는 결함을 자동으로 검출할 수 있는 시스템을 제안한다. 개발된 시스템은 초 미세 패턴의 개방 및 단락 결함 뿐만아니라 소프트 개방 및 소프트 단락을 신속히 검출할 수 있는 회로 및 기술이 적용되어 있다. 결함 검출의 기본 원리는 결함 전의 패턴 저항값과 결함 후의 패턴 저항값 차에 의해 발생하는 미세 차동 전압을 읽어서 결함 유무를 판단한다. 또한 미세전압 차를 증폭시켜 결함 유무를 쉽게 판단할 수 있도록 고주파 공진기를 이용한다. 제안된 시스템은 초미세 패턴 COF 검사 과정에서 발생하는 다양한 결함을 신속하고 정확히 검출할 수 있으므로 기존의 COF 검사 시스템의 대안이 될 것으로 기대한다.

• 대한용접접합학회:학술대회논문집
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• 대한용접접합학회 2010년도 춘계학술발표대회 초록집
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• pp.74-74
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• 2010

모바일 정보통신기기를 중심으로 전자패키지의 초소형화, 고집적화를 위해 플립칩 공법의 적용이 증가되고 있는 추세이다. 플립칩 패키징 접합소재로는 솔더, ICA(Isotropic Conductive Adhesive), ACA(Anisotropic Conductive Adhesive), NCA(Non Conductive Adhesive) 등과 같은 다양한 접합소재가 사용되고 있다. 최근에는 언더필을 사용하는 플립칩 공법보다 미세피치 대응성을 위해 NCP를 이용한 플립칩 공법에 대한 요구가 증가되고 있는데, NCP의 상용화를 위해서는 공정성과 함께 신뢰성 확보가 필요하다. 본 연구에서는 LDI(LCD drive IC) 모듈을 위한 COF(Chip-on-Film) 플립칩 패키징용 NCP 포뮬레이션을 개발하고 이를 적용한 COF 패키지의 신뢰성을 조사하였다. 테스트베드는 면적 $1.2{\times}0.9mm$, 두께 $470{\mu}m$, 접속피치 $25{\mu}m$의 Au범프가 형성된 플리칩 실리콘다이와 접속패드가 Sn으로 finish된 폴리이미드 재질의 flexible 기판을 사용하였다. NCP는 에폭시 레진과 산무수물계 경화제, 이미다졸계 촉매제를 사용하여 다양하게 포뮬레이션을 하였다. DSC(Differential Scanning Calorimeter), TGA(Thermogravimetric Analysis), DEA(Dielectric Analysis) 등의 열분석장비를 이용하여 NCP의 물성과 경화거동을 확인하였으며, 본딩 후에는 보이드를 평가하고 Peel 강도를 측정하였다. 최적의 공정으로 제작된 COF 패키지에 대한 HTS (High Temperature Stress), TC (Thermal Cycling), PCT (Pressure Cooker Test)등의 신뢰성 시험을 수행한 결과 양산 적용 가능 수준의 신뢰성을 갖는 것을 확인할 수 있었다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제8권2호
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• pp.67-72
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• 2007

High Pressure Micro Jet (HPMJ) pad conditioning system was investigated as an alternative to diamond disc conditioning in copper CMP. A series of comparative 50-wafer marathon runs were conducted at constant wafer pressure and sliding velocity using Rohm & Haas IC1000 and Asahi-Kasei EMD Corporation (UNIPAD) concentrically grooved pads under ex-situ diamond conditioning or HPMJ conditioning. SEM images indicated that fibrous surface was restored using UNIPAD pads under both diamond and HPMJ conditioning. With IC1000 pads, asperities on the surface were significantly collapsed. This was believed to be due to differences in pad wear rates for the two conditioning methods. COF and removal rate were stable from wafer to wafer using both diamond and HPMJ conditioning when UNIPAD pads were used. Also, HPMJ conditioning showed higher COF and removal rate when compared to diamond conditioning for UNIPAD. On the other hand, COF and removal rates for IC1000 pads decreased significantly under HPMJ conditioning. Regardless of pad conditioning method adopted and the type of pad used, linear correlation was observed between temperature and COF, and removal rate and COF.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제17권8호
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• pp.1899-1907
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• 2013

본 논문에서는 초미세 패턴으로 구성된 칩-온-필름(Chip-on-Film, COF) 패키징 작업에서 발생하는 결함들을 참조영상에 기초하여 효율적으로 검출하고 분류하는 시스템을 제안한다. COF패키징 제작 과정에서 발생하는 치명적인 결함은 개방(open), 일부개방(mouse bite, near open), 단락(hard short) 및 돌기(protrusion, near short, soft short) 등을 포함한다. 이러한 결함을 검출하기 위해서는 기존에 직접 육안으로 식별하거나 또는 전기회로 설계를 이용하는 방법을 사용하였다. 그러나 이러한 방법은 매우 많은 시간과 고비용이 요구되는 단점이 있다. 본 논문에서는 참조영상을 사용하여 효과적으로 결함유무를 판단하고 결함이 발생되는 경우에 결함의 종류를 4 가지 형태로 분류하는 시스템을 제안한다. 제안방식은 검사영상의 전처리, 관심영역 추출, 지역이진분석에 의한 이물 특징 분석과 분류 등을 포함한다. 수많은 실험을 통해, 제안된 시스템은 초미세 패턴을 가진 COF의 결함 검사 및 분류에 대해 기존의 방식에 비해 시간과 경비를 줄이는데 효과적임을 보인다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제3권3호
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• pp.11-17
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• 2004

This research has been progressed for adhesive improvement of the Polyimide/Buffer layer/Cu at the COF(Chip On Film) which induced as the alternative plan about high concentration of a circuit or substrates according to demands of miniaturization and high efficiency of various electronic equipment. RF plasma equipment was applied to when plama pretreatment was performed for improvement of adhesive strength of PI and Cr as the buffer layer. Experimental fluents were a species of the buffer layer, depositied time and the ratio of $O_2$/Ar when performed to plasma pretreatment. The results are that Ni was superior to Cr at peel test according to a species of the buffer layer, peel strength and Cu THK were showed proportional relation to deposition structure of the same buffer layer and sample of the Cr depositied time(30 sec) and Cu depositied time(20 min) was showed good adhesion to peel test according to Cr's depositied time and Cu's depositied time. When perform PI's plasma pretreatment peel strength and $O_2$/Ar ratio were showed proportional relation. But $O_2$/Ar(2/5) was best condition since then decreased.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권10호
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• pp.1049-1055
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• 2004

Chemical Mechanical Polishing (CMP) is referred to as a three body tribological system, because it includes two solids in relative motion and the CMP slurry. On the assumption that the abrasives between the pad and the wafer could be a major reason not only for the friction force but also for material removal during polishing, the friction force generated during CMP process was investigated with the change of abrasive size and concentration of CMP slurry. The threshold point of average coefficient of friction (COF) with increase in abrasives concentration during interlayer dielectric (ILD) CMP was found experimentally and verified mathematically based on contact mechanics. The predictable models, Mode I (wafer is in contact with abrasives and pad) and Mode II (wafer is in contact with abrasives only), were proposed and used to explain the threshold point. The average COF value increased in the low abrasives concentration region which might be explained by Mode I. In contrast the average COF value decreased at high abrasives concentration which might be regarded to as Mode II. The threshold point observed seemed to be due to the transition from Mode I to Mode II. The tendency of threshold point with the variation of abrasive size was studied. The increase of particle radius could cause contact status to reach transition area faster. The correlation between COF and material removal rate was also investigated from the tribological and energetic point of view. Due to the energy loss by vibration of polishing equipment, COF value is not proportional to the material removal rate in this experiment.

• 한국가스학회지
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• 제12권2호
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• pp.110-117
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• 2008

정량적 원인분석이 가능한 위험기반검사 프로그램(KS-RBI Ver. 3.0)을 사용하여 화학설비의 위험도를 산출하고, 설비의 위험도를 경감할 수 있는 방안을 모색하였다. 그 결과, 손상메커니즘, 검사횟수 및 검사 유효성을 고려하여 사고발생 가능성(LOF)을 줄이고, 검출, 차단 및 완화 시스템의 수준을 변경하여 사고 피해 크기(COF)를 감소시킴으로써 설비의 위험도를 낮출 수 있었다. 특히, 고 위험도를 낮추기 위해서는 LOF와 COF를 동시에 낮출 수 있는 방안을 모색할 필요가 있으며, 설비의 위험도를 경감함으로써 설비의 안전성 향상으로 사고피해 감소는 물론 검사주기 연장으로 검사비용 및 인건비 절감 등을 기대할 수 있다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2011년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.45-46
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• 2011

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2007년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.7-8
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• 2007

Ti을 전극으로 한 RF plasma 를 사용한 표면 처리와 200 eV 이하의 저에너지 반응성 이온빔을 사용한 PI 표면 처리에 의해 초기 및 내열성이 우수한 COF 용 FCCL를 제작하였다. 임계 rf power 이상에서 새롭게 $TiO_2$층의 형성이 접착력 증대의 원인이었으며, Ni-Cr-Zn의 삼원계 접착층의 내열성 향상 특성 등을 연구하였다.