• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제26권1호
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• pp.13-17
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• 2013

In this paper, we designed a charge pump circuit using level shifter for LED driver IC. The designed circuit makes the 15 V output voltage from the 5 V input in condition of 50 kHz switching frequency. The prototype chip which include the proposed charge pump circuit and its several internal sub-blocks such as oscillator, level shifter was fabricated using a 0.35 um 20 V BCD process technology. The size of the fabricated prototype chip is 2,350 um ${\times}$ 2,350 um. We examined performances of the fabricated chip and compared its measured results with SPICE simulation data.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권11호
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• pp.89-94
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• 2007

다양한 표준에서 사용이 가능한 송신기를 구성하기 위해서는 이에 적합한 송신기의 구조와 부품의 개발이 반드시 필요하다. 본 논문에서는 다양한 표준에서 사용이 가능한 전력 증폭기를 CMOS 0.25 um 공정을 사용하여 구현하였다. 설계된 전력 증폭기는 중간단의 정합을 바꿈으로써 0.9, 1.2, 1.75, 1.85 GHz의 주파수에서 동작하고, bonding wire를 활용하였을 때 2.4 GHz에서 동작한다. 중간단의 정합회로는 2개의 인덕터를 4개의 스위치가 제어하도록 구성되어 있다. 제안된 전력 증폭기는 낮은 전력을 요구하는 ZigBee나 Bluetooth 표준에서는 전력증폭기로 사용될 수 있고, 높은 전력을 요구하는 CDMA 표준에서는 구동증폭기로 사용이 가능하다. 설계된 전력 증폭기는 0.9 GHz에서 18.2 dB의 이득, 10.3 dBm의 출력 전력 특성을 보였으며, 1.75 GHz와 2.4 GHz에서는 10.3 dB, 18.1 dB의 이득, 5.2 dBm, 10 dBm의 출력 전력 특성을 나타내었다.

• 전자공학회논문지
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• 제54권4호
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• pp.25-31
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• 2017

본 논문에서는 270/540/750/1500-Mb/s 동작속도를 갖는 영상신호 전송용 시리얼 송신기 칩을 $0.13-{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 구현하였다. 전송 채널은 저가형 RG-58 계열의 5C-HFBT-RG6T 동축 케이블로서, 싱글 BNC 커넥터로 연결되어 있으며, 1.5-GHz 주파수에서 케이블 손실은 최대 45 dB이다. 이를 RLGC 모델링을 통해 SPICE용 회로로 구현하였고, 케이블 손실측정결과와 매우 유사한 특성을 갖는다. 신호감쇄의 보상은 송신기 회로의 프리앰퍼시스 기능 및 수신단의 이퀄라이저 기능을 통해 복원하며, 송신기 칩의 측정 결과 270-Mb/s, 540-Mb/s, 750-Mb/s 및 1.5-Gb/s 동작속도를 모두 만족하며, 프리앰퍼시스 기능을 OFF 했을 때에도 1.5 Gb/s에서 $370-mV_{pp}$ 출력전압을 갖는다. 칩의 전력소모는 1.2/3.3-V 전원전압으로부터 104 mW, 칩 면적은 I/O 패드를 포함하여 $1.65{\times}0.9mm^2$ 이다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제48권12호
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• pp.52-57
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• 2011

본 논문에서는 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 초고속 디지털 인터페이스 응용을 위한 4-채널 광 송신기를 구현하였다. 특히 VCSEL 드라이버 회로 내에 피드포워드 기법을 사용하였고, 프리앰프 회로 내에 펄스 폭 컨트롤 기법을 사용함으로써, 채널 당 2.5-Gb/s 동작속도를 가지며, 4mA의 바이어스 전류 및 $2{\sim}8mA_{pp}$의 모듈레이션 전류를 구동하고, 펄스 폭 왜곡을 줄이는 효과를 갖는다. 4-채널 광 송신기 어레이 칩의 면적은 $1.0{\times}1.7mm^2$ 이며, 단일 1.8V 전원전압에서 최대전류 구동 시 채널당 35mW의 낮은 전력을 소모한다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2011년도 추계학술대회
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• pp.402-403
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• 2011

본 논문에서는 LTE-Advanced 시스템에 적용할 수 있는 $0.13-{\mu}m$ CMOS RF Front-end 송신기를 제안한다. 제안하는 RF Front-end 송신기는 3GPP의 E-UTRA Band 7 주파수인 2500 ~ 2570 MHz 대역을 지원하며 +10 dBm의 출력 P1dB 특성을 가지고, 실제 동작에서는 +0 dBm 출력 전력을 제공한다. 회로의 성능은 레이아웃 후 Post Layout Simulation을 통해 검증하였으며, +0 dBm 출력 시 1.2 V의 공급 전압원으로부터 상향주파수변환기는 14 mA, 그리고 구동증폭기는 28 mA를 소모한다.

• Journal of Power Electronics
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• 제12권6호
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• pp.886-894
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• 2012

This paper presents a secondary-side, dual-mode feedback LLC resonant controller IC with dynamic PWM dimming for LED backlight units. In order to reduce the cost, master and slave outputs can be generated simultaneously with a single LLC resonant core based on dual-mode feedback topologies. Pulse Frequency Modulation (PFM) and Pulse Width Modulation (PWM) schemes are used for the master stage and slave stage, respectively. In order to guarantee the correct dual feedback operation, Phased-Locked Loop (PLL)-based automatic duty control circuit is proposed in this paper. The chip is fabricated using $0.35{\mu}m$ Bipolar-CMOS-DMOS (BCD) technology, and the die size is $2.5mm{\times}2.5mm$. The frequency of the gate driver (GDA/GDB) in the clock generator ranges from 50 to 425 kHz. The current consumption of the LLC resonant controller IC is 40 mA for a 100 kHz operation frequency using a 15 V supply. The duty ratio of the slave stage can be controlled from 40% to 60% independent of the frequency of the master stage.

• 전자공학회논문지C
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• 제34C권4호
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• pp.16-25
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• 1997

This paper shows a SDRAM opeating in 200MHz clock cycle which it use data interleave and pipelining for high speed operation. We proposed NdC (Negative DEaly circuit) to improve clock to access time(tAC) characteristics, also we proposed low power WL(wordline)driver circit and high efficiency VPP charge-pump circit. Our all circuits has been fabricated using 0.4um CMOS process, and the measured maximum speed is 200Mbytes/s in LvTTL interface.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
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• pp.653-654
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• 2006

A Pre-emphasis transmitter for DRAM bus system has achieved 3.2Gbps/pin operation at 1.8V supply voltage with 0.18um CMOS process. The transmitter has 800MHz PLL to generate 4 phase clocks. The 4 phase clocks are used for input clock of PRBS and multiplexing. One tap pre-emphasis is used to reduce inter symbol interference (ISI) caused by channel low pass effects. The analog calibration makes the optimized driver impedance independent with the PVT variation.

• 전자공학회논문지B
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• 제29B권9호
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• pp.27-36
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• 1992

A design of scanning electrode driving IC chip has been implemented aiming at the application to liquid crystal color television displays. The chip reflects the design characteristics of high quality liquid crystal panels and satisfies specifications of NTSC type color television displays. The design was verified using logic and circuit simulation, and fabricated using a high voltage CMOS process. A fully working die has been obtained that can be readily applicable to commercial color liquid crystal panels.

• 한국통신학회논문지
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• 제18권12호
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• pp.1983-1993
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• 1993

본 논문에서는 full-flash A/D 변환기에서 전력소모를 줄이는 방법과 그의 회로를 제안하였다. Full-flash A/D 변환기에서 해상도가 증가하면 전압비교기의 수는 지수함수적으로 증가하며 모든 전압비교기가 항상 동작하여 전력 소모가 많으므로 제안하는 구조에서는 입력 신호의 크기에 까라 그 영역에 해당하는 위치에 있는 전압비교기를 선택적으로 켜줌으로써 전력 소모를 줄인다. 입력 신호의 크기를 판별하기 위하여 입력 신호의 범위를 찾는 회로를 설계하였다. 클리치 잡음을 줄일 수 있는 클럭 발생회로를 설계하여 사용함으로써 전압 비교기의 전류원에서 발생하는 잡음을 일반적인 클럭을 사용했을 때와 비교하여 1/4로 줄였다. 설계한 A/D 변환기는 out-off 주파수가 5GHz 인 1.2 m의 BiCMOS 공정으로 제작하였다. 이는 350Msamples /s의 변환 속도를 가지며 소모 전력은 900mW이다.