• 한국통신학회논문지
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• 제25권12A호
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• pp.1904-1911
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• 2000

IDDQ 테스팅은 CMOS에서 발생 빈도가 가장 높은 합선고장을 효과적으로 검출할 수 있는 기법이다. 본 논문에서는 테스트 대상 회로의 게이트간에 발생 가능한 모든 단락을 고려하여, 이러한 결함을 효과적으로 검출하기 위한 테스트 패턴 생성기와 고장 시뮬레이터를 구현하였다. 구현된 테스트 패턴 생성기와 고장 시뮬레이터는 O(n2)의 복잡도를 가지는 합선고장을 효과적으로 표현하기 위한 기법과 제안된 테스트 패턴 생성 알고리즘 및 고장 collapsing 알고리즘을 이용하여 빠른 고장 시뮬레이션 수행시간과 높은 고장 검출률을 유지하면서 적은 수의 테스트 패턴의 생성이 가능하다. ISCAS 벤치마크 회로에 대한 실험을 통하여 기존의 다른 방식보다 성능이 우수함을 보여주었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1988년도 전기.전자공학 학술대회 논문집
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• pp.278-281
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• 1988

This paper realizes the multi-output truncated difference circuits using current mode CMOS, and presents the algorithm designing multi - valued logic functions of a given multivalued truth tables. This algorithm divides the discrete valued functions and the interval functions, and transforms them into the truncated difference functions. The transformed functions are realized by current mode CMOS. The technique presented here is applied to MOD4 addition circuit and GF(4) multiplication circuit.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권2호
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• pp.204-210
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• 1995

The characteristics of the internal circuits and the load capacitance should be included to optimize the size of BiCMOS buffer. In order to get the optimum size and delay time of the BiCMOS buffer, new size plane is suggested. By using the size plane, the optimum characteristics of CMOS buffer according to the number of stages can be obtained. From this method, delaytime, .tau.$_{D}$, is obtained 2.39 nsec with $V_{\var}$=5V, $C_{L}$=5pF, W=30.mu.m and $A_{e}$=135.mu. $m^{2}$.>..>...>.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2013년도 추계학술대회
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• pp.717-718
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• 2013

CMOS로 구성된 전압-제어 발진기의 채널 폭과 길이가 변화하면, 입력 전압에 따른 출력 주파수가 변화할 것이다. 본 논문에서는 FLL(Frequency Locked Loop) 회로의 구성 요소로 사용되는 전압-제어 발진기의 채널 폭 변화에 따른 전기적인 특성 변화를 시뮬레이션을 통하여 살펴보고자 한다. 그리고 변화하는 채널 폭에 따른 전압-제어 발진기의 신뢰성 특성을 향상하기 위한 방안을 살펴보고자 한다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
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• pp.613-614
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• 2006

In this paper, BSIM4's IIR(Intrinsic Input Resistance) model that has a difficulty to predict $Z_{11}$ exactly is investigated by analyzing S-parameter measurement. Then a BSIM4 macro model for 70nm RF MOSFETs is proposed. That model uses external effective gate resistance which is composed of R and parallel RC. Comparison between simulation results using proposed model and IIR model is shown. The proposed model shows a better agreement between measured and simulated results up to 20GHz.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2016년도 춘계학술대회
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• pp.696-697
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• 2016

본 논문은 5.25-GHz BiCMOS 저 잡음 증폭기를 위한 바이어스 회로를 제안한다. 이러한 회로는 1볼트 전원에서 동작하며, 저전압 및 저전력으로 동작하도록 설계되어 있다. 제안한 회로는 $0.18{\mu}m$ SiGe HBT BiCMOS로 설계하였다. 이러한 회로는 밴드 갭 참조회로 (band-gap reference circuit)를 사용하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권9호
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• pp.765-770
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• 2003

We have developed a low-temperature, and low-pressure radical induced oxidation (RIO) technology, so that high-quality ultrathin silicon dioxide layers have been effectively produced with a high reproducibility, and successfully employed to realize high performace SiGe heterostructure complementary MOSFETs (HCMOS) lot the first time. The obtained oxide layer showed comparable leakage and breakdown properties to conventional furnace gate oxides, and no hysteresis was observed during high-frequency capacitance-voltage characterization. Strained SiGe HCMOS transistors with a 2.5 nm-thick gate oxide layer grown by this method exhibited excellent device properties. These suggest that the present technique is particularly suitable for HCMOS devices requiring a fast and high-precision gate oxidation process with a low thermal budget.

• 한국시뮬레이션학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.17-29
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• 2002

There is an increasing interest in high-performance A/D(Analog-to-Digital) converters for use in integrated analog and digital mixed processing systems. Pipeline A/D converter architectures coupled with BiCMOS process technology have the potential for realizing monolithic high-speed and high-accuracy A/D converters. In this paper, the design of 12bit pipeline BiCMOS A/D converter presented. A BiCMOS operational amplifier and comparator suitable for use in the pipeline A/D converter. Test/simulation results of the circuit blocks and the converter system are presented. The main features is low distortion track-and-hold with 0-300MHz input bandwidth, and a proprietary 12bit multi-stage quantizer. Measured value is DNL=${\pm}$0.30LSB, INL=${\pm}$0.52LSB, SNR=66dBFS and SFDR=74dBc at Fin=24.5MHz. Also Fabricated on 0.8um BiCMOS process.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권4호
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• pp.50-50
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• 2001

IDDQ 테스트는 CMOS VLSI 회로에서 발생 가능한 여러 종류의 물리적 결함을 효율적으로 검출 할 수 있는 테스트 방식이다. 본 논문에서는 CMOS에서 발생 빈도가 가장 높은 합선고장을 효과적으로 검출할 수 있는 IDDQ 테스트 알고리즘을 이용하여 패턴 생성기를 개발하였다. 고려한 합선고장 모델은 회로의 레이아웃 정보에 의존하지 않으며, 내부노드 혹은 외부노드에 한정시킨 합선고장이 아닌 테스트 대상회로의 모든 노드에서 발생 가능한 단락이다. 구현된 테스트 패턴 생성기는 O(n2)의 복잡도를 갖는 합선고장과 전압 테스트 방식에 비해 상대적으로 느린 IDDQ 테스트를 위해서 새롭게 제안한 이웃 조사 알고리즘과 고장 collapsing 알고리즘을 이용하여, 빠른 고장 시뮬레이션 시간과 높은 고장 검출율을 유지하면서 적은 수의 테스트 패턴 생성이 가능하다. ISCAS 벤치마크 회로의 모의실험을 통하여 기존의 다른 방식보다 우수한 성능을 보였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 1999년도 추계종합학술대회
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• pp.278-281
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• 1999

본 논문에서는 많은 함수를 용이하게 해석하고 테스트할 수 있는 결정도(Decision diagram)에 의한 다치순차논리회로(Multiple valued squential circuit)를 구현하였다 우선, 다치순차 회로의 기억소사는 D F/F를 이용하였으며 전류모드에 의한 결정도 순차 논리 회로를 구현한다 이 회로의 동자특성은 PSPICE 시뮬레이션을 통하여 확인하였다. 본 논문에서 제시한 전류모드 CMOS의 결정도 다치순차회로는 회선 경로 선택의 규칙성, 간단성, 여러함수를 쉽게 해석하고 테스트 할 수 있는 등등의 이점을 가지므로 VLSI화 실현에 적합할 것으로 생각된다.