A twt -step carbothermal reduction scheme has been employed for the synthesis of SiC whiskers in an Ar or a H2 atmosphere via vapor-solid two-stage and vapor-liquid-solid growth mechanism respectively. It has been shown that the whisker growth proceed through the following reaction mechanism in an Ar at-mosphere : SiO2(S)+C(s)-SiO(v)+CO(v) SiO(v)3CO(v)=SiC(s)whisker+2CO2(v) 2C(s)+2CO2(v)=4CO(v) the third reaction appears to be the rate-controlling reaction since the overall reaction rates are dominated by the carbon which is participated in this reaction. The whisker growth proceeded through the following reaction mechaism in a H2 atmosphere : SiO2(s)+C(s)=SiO(v)+CO(v) 2C(s)+4H2(v)=2CH4(v) SiO(v)+2CH4(v)=SiC(s)whisker+CO(v)+4H2(v) The first reaction appears to be the rate-controlling reaction since the overall reaction rates are enhanced byincreasing the SiO vapor generation rate.
In order to distinguish the genetic polymorphism among the olive flounder (Paralichthys olivaceus) obtained from East sea of Jumunjin, aquaculture of Tongyoung and Geoje, and East sea of North Korea, the ND-4 and cytochrome b genes of olive flounder were divided into 5 regions. Each region was analyzed by degenerating gel electrophoresis scanning (DGES), and by subsequent DNA sequencing. The DGES disclosed characteristic DNA polymorphisms in ND-4-2 and ND-4-3 regions of olive flounder, which were also confirmed by the DNA sequencing. The olive flounders obtained from the different marine areas showed DNA mutations in ND-4-2 region (G390A, C402T, and A411G; GenBank: AB028664), and also showed frequent DNA mutations in ND-4-3 region (C515G, C537T, C538T, A567G, G714A, C736T, G756A, A759T, T817C, and T829G), white the cytochrome b gene showed no DNA mutation both in the DGES and DNA sequencing. These data suggest that the ND-4-2 and ND-4-3 regions are candidate loci to distinguish the origin of olive flounder, and that the DGES used in this study provided fast and reliable informations for the genetic polymorphism.
A design of four-mirror optical system with reduction magnification 5X for deep UV ($\lambda$=248 nm of KrF excimer laser) submicron lithography is presented. Initially by using the paraxial quantities, the domain of solution for $t=d_1+d_2+d_3$<0 (d;: distance between the mirror $c_i$ and $c_{i+1}$ is found for the system which is free from the four off-axial Seidel first order aberrations that are coma, astigmatism, field curvature, and distortion. The solution with $d_5$=2.95 (normalized with respect to $c_i$= -1) is choosen and the aspherization is carried out to the spherical mirror surfaces ($c_3$ and $c_4$ in order to reduce the axial and residual off-axial higher order aberrations. The numerical aperture of the final system is as large as 0.4, which gives Rayleigh resolution of 0.38 $\mu\textrm{m}$.
Seo, Jeong-Ju;Do, Kyoung-Il;Seo, Jeong-Ju;Kwon, Sang-Wook;Koo, Yong-Seo
Journal of IKEEE
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v.22
no.4
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pp.1202-1205
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2018
In this paper, we proposed ggNMOS based on 4H-SiC material and analyzed its electrical characteristics. 4H-SiC is a wide band-gap meterial, which is superior in area contrast and high voltage characteristics to Si material, and is attracting attention in the power semiconductor field. The proposed device has high robustness and strong snapback characteristics. The process consisted of SiC process and electrical characteristics were analyzed by TLP measurement equipment.
Journal of the Korea Society of Computer and Information
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v.22
no.12
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pp.145-153
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2017
Systemic management is required at each phase of the C4I system life cycle to achieve information advantage in the battlefield through stable operation of the C4I system under the NCOE. In particular, the maintenance phase is the longest period of the C4I system life cycle, and it is easy to utilize and analyze data such as faults that occur during system operation. However, according to the previous research, the maintenance is evaluated as a phase in which the definition and management of comprehensive indicators are insufficient compared to other phase. In this paper, we propose the method of C4I Maintenance Priority decision using Maintenance metric. As a result of modifying the Naval Tactical C4I System's preventive maintenance cycle according to the priority, the total number of faults is reduced and the maintenance efficiency is improved.
The representative concept of the future war is NCW. The main point of NCW is that it is connected by networ ks and gathers the battlefield status in real time, managing and controlling it. This is most needed in the navy. Operations of the navy are carried out in wide areas, individually or together. During this process, sharing information between each warship should be essential. Furthermore in the case of the American navy, they see the entire world as the operation area so it is a representative example of NCW. The C4I system of the Korean army is separated a ccording to the difference of each army's tactics and weapon system, being developed and managed differently. The refore there is a problem of interoperability lacking in each system. This paper analyzes the developed C4I system of the American navy to analyze the problems of C4I system of the Korean army, and propose the future direction of its development.
Kim, Tae-Hong;Jeong, Chung-Bu;Goh, Jin-Young;Kim, Kwang-Soo
Journal of IKEEE
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v.22
no.4
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pp.916-921
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2018
In this paper, we analyzed the power MOSFET devices for high voltage and high current operation. 4H-SiC was used instead of Si to improve the static characteristics of the device. Since 4H-SiC has a high critical electric field due to wide band gap, 4H-SiC is more advantageous than Si in high voltage and high current operation. In the conventional VDMOSFET structure using 4H-SiC, the breakdown voltage is limited due to the electric field crowding at the edge of the p-base region. Therefore, in this paper, we propose a Curvature VDMOSFET structure that improves the breakdown voltage and the static characteristics by reducing the electric field crowding by giving curvature to the edge of the p-base region. The static characteristics of conventional VDMOSFET and curvature VDMOSFET are compared and analyzed through TCAD simulation. The Curvature VDMOSFET has a breakdown voltage of 68.6% higher than that of the conventional structure without increasing on-resistance.
Journal of the Korean Society of Food Science and Nutrition
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v.31
no.1
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pp.45-49
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2002
This study was conducted to enhance the value of chamnamul (Pimpinella brachycarpa (Komarov) $N_{AKAI}$) as an useful food resource. Hunter L, a, b values (lightness, redness, yellowness) of chamnamul leaf were 33.28$\pm$1.94, -10.98$\pm$0.74, 14.05$\pm$1.29 and shearing force was 2745.2g. Contents of tannin and dietary fiber were 100.9 mg%, 24.0% (freeze drying base). The minerals identified in chamnamul were Ca 7.85 g/kg, K 76.31 g/kg, Mg 4.78g/kg, Fe 0.35g/kg, Na 2.35 g/kg. Chamnamul kimchi was packed in polyethylene film (200g) and fermented at 2$0^{\circ}C$ and 4$^{\circ}C$. In color changes kimchi fermented at 2$0^{\circ}C$ showed more increase in Hunter L, a, b values than kimchi fermented at 4$^{\circ}C$. The pH of kimchi decreased and acidity increased with storage time at both temperature. Ascorbic acid contents decreased sharply with storage time. Loss of ascorbic acid contents was about 81.9% in kimchi fermented at 2$0^{\circ}C$ after 5 days, and kimchi fermented 4$^{\circ}C$ lost 77.3% of ascorbic acid after 30 days. Also reducing sugar contents decreased with storage time at 2$0^{\circ}C$ and 4$^{\circ}C$. The results of sensory evaluation showed that optimum ripening time of chamnamul kimchi was 1~3 days at 2$0^{\circ}C$ and more than 20 days at 4$^{\circ}C$.>.
Examined in this paper, is the effect of B$_{4}$C addition on the frictional characteristics of Cu-Sn based sintered friction materials. For the specimens 1wt%, 2wt% and 4wt% of B$_{4}$C were added into the reference material. A pin-on-disk type friction tester was used to,measure the friction torque with respect to the surface temperature and sliding distance. Wear mechanism of each specimen is analyzed in the view point of the oxide film formation. The specimen containing 4wt% of B$_{4}$C showed stable friction and low wear since the oxide film was sustained up to higher surface temperature ranges.
Seo, Dong-In;Lim, Jai-Yun;Kim, Young-Chang;Min, Kyung-Hee;Kim, Chi-Kyung
Journal of Microbiology
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v.35
no.3
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pp.188-192
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1997
The strain of S-47 degrading 4-chlorobenzoic acid (4CBA) was isolated from Ulsan chemical industrial complex by enrichment cultivation with 1 mM 4CBA. The strain was Gram-negative rod and grew optimally at 30.deg.C and pH 7 under aerobic condition, so that the organism was identified as a species of Pseudomonas. Pseudomonas sp. S-47 degraded 4-chlorobenzoic acid to produce a yellow-colored meta-cleavage product, which was confirmed to be 5-chloro-2-hydroxymuconic semialdehyde (5C-2HMS) by UV-visible spectrophotometry. 5C-3HMS was proved trometry. This means that Pseudomonas sp. S-47 degraded 4CBA via 4-chlorocatechol to 5C-2HMS by meta-cleavage reaction and then to 5C-2HMA by 5C-2HMS dehydrogenase.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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