• 한국항행학회논문지
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• 제27권6호
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• pp.861-864
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• 2023

Recently, V2X (vehicle-to-everyting) communication has established itself as an essential technology for cooperative autonomous driving. V2X communication currently includes DSRC (dedicated short range communication) communication technology, which is a WLAN (wireless local area network) based communication technology, and C-V2X (cellular-V2X) communication technology, which is a Cellular-based communication technology. Since these two communication methods are not compatible with each other, various studies and experiments are being conducted to select one of the two communication methods. In the case of C-V2X communication, there are LTE-V2X (long term evolutionV2X) communication technology, which is an initial version, and 5G-V2X communication technology, which is a next-generation version. 5G-V2X communication technology has been completed only until standardization, so LTE-V2X communication technology is mainly used. In this paper, we introduce trends related to various issues in V2X communication, including communication method decisions.

• 한국식품영양학회지
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• 제11권3호
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• pp.329-333
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• 1998

본 연구는 4~1$0^{\circ}C$ 냉장조건에서 0.5% 초산(AA), 0.5% 유산 (LA) 및 0.5% 구연산(CA) 침지법으로 5분 동안 처리한 신선한 광어의 미생물학적 저장 안정성에 미치는 영향을 조사하였다. 0.5% 초산 처리구는 4$^{\circ}C$, 12일 저장 동안 그람음성세균(GNC)이 증식을 완전히 억제하는데 효과적이었다. 0.5%의 유산 및 구연산 처리구는 각각 4$^{\circ}C$, 저장 9일부터 그람음성세균(GNC)의 급속한 증식을 보였다. 1$0^{\circ}C$에서 6일 저장 동안 0.5% 초산 처리구는 그람음성균의 증식억제에 효과적이었으며, 유산 및 구연상 처리구는 저장 3일 이후 효과가 없었다. 0.5%(v/v) 초산 처리구는 4$^{\circ}C$에서 저장 6일 동안 그리고 1$0^{\circ}C$에서 저장 3일 동안 호기성 부패 세균(APC)의 증식을 완전히 억제하였다. 0.5%(v/v) 초산 처리구는 4$^{\circ}C$에서 저장 12일 동안, 그리고 1$0^{\circ}C$에서 저장 6일 동안 미생물학적 저장 안정성을 유지하였다. 본 연구의 결과 4~1$0^{\circ}C$에서 광어포의 저장 도안 호기성 육부패의 주요 세균인 그람음성세균(GNC) 억제력이 초산 처리구의 광어포는 4$^{\circ}C$에서 12일 동안 미생물학적 저장 안정성을 유지하였다.

• 센서학회지
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• 제9권3호
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• pp.196-202
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• 2000

본 논문에서는 3축의 가속도를 검출하기 위한 새로운 방식인 브리지조합 검출원리를 제안하고, SOI 구조의 웨이퍼를 이용하여 $200^{\circ}C$ 이상 고온에서 동작이 가능한 압저항형 실리콘 가속도센서를 제작하였다. 제작된 센서의 감도는 x 및 y축이 8mV/V G, z 축이 40mV/V G 이였다. 그리고 출력전압의 비선형성은 1.6%FS, 타축감도는 약 4.6% 이하였다. 이것은 외부 연산회로를 이용하여 3축의 가속도성분을 검출하는 방법에 비해 검출방식은 간단하면서도, 특성은 거의 동일하였다. 또한 SOI 구조를 이용하여 고온에서도 안정한 동작을 하였다. 제작된 가속도센서의 오프셋전압 온도계수와 감도 온도계수는 $27^{\circ}C$에서 각각 $1033ppm^{\circ}C^{-1}$와 $1145ppm^{\circ}C^{-1}$이였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제24권1호
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• pp.284-292
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• 2020

SiC 기반 소자는 silicon 소자 대비 1200V 이상의 고전압 환경에서 우수하게 동작하며 특히 매우 높은 온도에서 안정적인 특성을 보여준다. 따라서 최근 1700V급 UMOSFET이 전기 자동차, 항공기 등의 전력시스템의 사용을 목표로 활발하게 연구개발 되고 있다. 본 논문에서는 최근 연구되고 있는 세 종류의 1700급 UMOSFET-Conventional UMOSFET (C-UMOSFET), Source Trench UMOSFET (ST-UMOSFET), Local Floating Superjunction UMOSFET (LFS-UMOSFET)-에 대해 온도 변화(300K-600K)에 따른 전력소자에서 중요한 변수 (breakdown voltage(BV), on-resistance(R_on), threshold voltage(v_th), transconductance(g_m))의 신뢰성 특성을 비교 분석하였다. 세 소자 모두 온도 증가에 따른 BV 증가, R_on 증가, v_th 감소, g_m 감소를 확인하였다. 그러나 세 소자의 구조 차이에 따라 BV, R_on v_th, g_m 변화에 차이가 있어 그 정도 및 원인에 대해 비교 분석하였다. 모든 결과는 sentaurus TCAD을 통해 simulation 되었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제29권3호
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• pp.147-151
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• 2016

Graphene has a monolayer crystal structure formed with C-atoms and has been used as a base layer of HETs (hot electron transistors). Graphene HETs have exhibited the operation at THz frequencies and higher current on/off ratio than that of Graphene FETs. In this article, we report on the preliminary results of current characteristics from the HETs which are fabricated utilizing highly doped Si collector, graphene base, and 5 nm thin $Al_2O_3$ tunnel layers between the base and Ti emitter. We have observed E-B forward currents are inherited to tunneling through $Al_2O_3$ layers, but have not noticed the Schottky barrier blocking effect on B-C forward current at the base/collector interface. At the common-emitter configuration, under a constant $V_{BE}$ between 0~1.2V, $I_C$ has increased linearly with $V_{CE}$ for $V_{CE}$ < $V_{BE}$ indicating the saturation region. As the $V_{CE}$ increases further, a plateau of $I_C$ vs. $V_{CE}$ has appeared slightly at $V_{CE}{\simeq}V_{BE}$, denoting forward-active region. With further increase of $V_{CE}$, $I_C$ has kept increasing probably due to tunneling through thin Schottky barrier between B/C. Thus the current on/off ration has exhibited to be 50. To improve hot electron effects, we propose the usage of low doped Si substrate, insertion of barrier layer between B/C, or substrates with low electron affinity.

• 한국결정성장학회지
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• 제13권6호
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• pp.272-278
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• 2003

초음파 분무에 의한 유기금속 화학증착법 (MOCVD)법으로 $Bi_4Ti_3O_{12}$(BIT)와 Bi와 Ti 대신에 La과 V을 동시에 치환시킨 ($Bi_{3.75}La_{0.75})(Ti_{2.97}V_{0.03})O_{12}$ (BLTV)박막을 ITO/glass 기판 위에 증착하였다. 산소 분위기에서 30분 동안 증착한 후, RTA 방식의 직접삽입법으로 열처리를 하였다. 박막은 페로브스카이트상 생성 온도, 미세구조, 전기적 성질에 관해서 조사하였다. XRD(X-Ray diffraction) 측정결과 BLTV 박막의 페로브스카이트상 생성 온도는 약 $600^{\circ}C$로써 BIT의 $650^{\circ}C$보다 더 낮았다. BLTV 박막의 누설전류는 인가전압 1 V에서 $1.52\times10^{-19}$ A/cm^2$로 측정되었다 또한, $650^{\circ}C$에서 증착했을 경우 잔류 분극값이 $5.6\mu$C/$cm^2$, 항전계값 96.5 kV/cm으로 명확한 강유전성을 보이고 있다.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권2호
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• pp.52-59
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• 1998

The ZnS:Mn thin film electroluminescent(TFEL) devices fabricated by ALE system were investigated. Yellow-orange light emission was observed when the applied voltage exceeded 134 V and luminance increased sharply as the applied voltage increased. Luminance of 568 Cd/c $m^{2}$ was obtained under 1 KHz sinusoidal voltage wave application at the peak applied voltage of 230 V. The peak wavelength of the emissionwas 577 nm. The C-V, Q-V, $Q_{t}$ - $F_{p}$ , L- $Q_{cond}$, and V- $Q_{pol}$ have been measured under theapplication of the trapezoidal wave with its pulse width varying 0 to 75 .mu.sec. The phoshor and the insulator capacitance of the TFEL device under test were 24.3 nF/c $m^{2}$ and 9 nF/c $m^{2}$, respectively. It was observed that the threshold voltage changed from 137V to 100V as the pulse width varied from 0 to 75 .mu.sec. The L- $Q_{cond}$ characteristics showed that the light emission increased in proportion to the $Q_{cond}$. The luminance increased from 386 Cd/ $m^{2}$ to 607 Cd/ $m^{2}$ when the $Q^{+}$$_{cond}$ increased from 1.3 .mu.C/c $m^{2}$ to 2.3 .mu.C/c $m^{2}$. The V- $Q_{pol}$ characteristics showed that the V was inversely proportional to $Q_{pol}$./. th/ was inversely proportional to $Q_{pol}$./. pol/./.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1991년도 제6회 파동 및 레이저 학술발표회 Prodeedings of 6th Conference on Waves and Lasers
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• pp.18-21
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• 1991

청록색 영역에서 발진하는 XeF(C$\longrightarrow$A)엑사이머 레이저 여기용 2.56MeV 전자빔 가속기를 개발하였다. 대출력 전자빔 가속기는 $\pm$80kV로 충전하는 Marx Generator를 동축구조로 꾸밈으로서 낮은 임퍼던스와 인덕턴스를 유지할 수 있었고, 빠른 전압상승과 유사구형파 출력을 얻을 수 있었다. 본 연구에서는 대출력 전자빔가속기 (2.56 MeV, 2.2KJ)의 파라메터와 동작특성, 전압측정 등을 기술한다.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 1987년도 한국자동제어학술회의논문집; 한국과학기술대학, 충남; 16-17 Oct. 1987
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• pp.218-222
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• 1987

The continuously variable transmission (C.V.T.) has been introduced for many years, however, the application of C.V.T. system has been used rather restrictively because of the problems such as reliability, durability, efficiency and, controllability. In this paper, some of the research trends about the control algorithms and the system design method involving C.V.T. is introduced. An engine is assumed in operation along the ideal operating line and it is also considered to be controlled independently to the C.V.T. system. The control simulation has been carried out to confirm it and also the operation performance of the system is investigated.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제61권3호
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• pp.341-347
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• 2023

PEMFC(Proton Exchange Membrane Fuel Cells)에서 PtCo/C 합금 촉매가 성능이나 내구성에서 우수하여 많이 사용되고 있다. 그러나 높은 전압에서(1.0~1.5 V) 평가되는 촉매 지지체 내구성에 관한 연구는 별로 보고 되지 않았다. 본 연구에서는 PtCo/C 촉매와 Pt/C 촉매에 촉매 지지체 가속 열화 프로토콜을 적용한 후 내구성을 비교하였다. 1.0↔1.5V 전압 변화 사이클 반복 후에 촉매 비활성도(Mass activity)와 전기화학적 활성면적(ECSA), 전기이중층 용량(DLC), Pt 용해와 입자 성장 등을 분석하였다. 전압변화 2,000 사이클 후 PtCo/C 촉매는 Pt/C 촉매에 비해 0.9 V에서 촉매 무게당 전류밀도가 1.5배 이상 감소하였다. 이와 같은 결과는 PtCo/C 촉매의 카본지지체의 열화 속도가 Pt/C 촉매보다 높기 때문이었다. Pt/C 촉매는 PtCo/C 촉매보다 촉매층의 ECSA 감소가 1.5배 이상 높았지만 Pt/C 촉매의 카본 지지체 부식이 작아 I-V 성능 감소가 작았다. PtCo/C 촉매의 고전압 내구성 향상을 위해서는 카본 지지체 내구성 향상이 필수적임을 보였다.