• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 1999년도 High Temperature Superconductivity Vol.IX
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• pp.256-259
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• 1999

새로운 구리산화물 (Pb$_{0.5}$V$_{0.5}$)Sr$_2$(Ca$_{1-x}$Pr$_x$)Cu$_2$O$_z$를 상압의 산소 분위기 열처리를 통해 합성하였다. X선 회절실험결과 x=0.5 이상일 때 Pb-1212의 단일상이 형성됨을 확인했으며, 비저항 측정결과 x=0.5 인 시편에서 T$_c$(zero)=29 K T$_c$(onset)=40 K 가 관측되었다. x=0.6 이상일 때는 초전도 특성이 관측되지 않았으며 이는 Pr의 도핑량 x 가증가할수록 a 축이 증가하고 c 축이 감소 하는 것과 밀접히 연관되는 것으로 논의되었다.

• 한국초전도저온공학회:학술대회논문집
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• 한국초전도저온공학회 2002년도 학술대회 논문집
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• pp.123-126
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• 2002

Samples of Nb/Al-Al$O_{x}$/Nb tunnel junction with the size of 50$\mu$m $\times$ 50$\mu$m were fabricated by employing self-aligning and reactive ion etching technique. In the samples with high-quality, $V_{m}$ value (the product of the critical current and subgap resistance measured at 2 mV) was 34 mV at the critical current density $J_{c}$ = 500 A/$cm^{2}$ and $V_{g}$ value (the gap voltage) was 2.8 mV. In the higher $J_{c}$, voltage fluctuation in the current rising at the gap voltage was observed. The $V_{m}$ and $J_{c}$ value were 8 mV and 900 A/$cm^{2}$, respectively.

• 한국재료학회지
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• 제5권7호
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• pp.850-857
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• 1995

반응성 전자빔 증착 방법으로 여러 산소압력 하에서 VO$_x$ 및 V$_{1-x}$ Sn$_{x}$O$_2$박막을 유리 위에 코팅하였다. Thermochromism과 천이온도는 spectrophotometer를 이용하여 여러 온도에서 파장에 따른 광투과율을 측정하여 조사하였다. 화학양론비를 RBS로 조사한 결과 산소 압력이 5$\times$$10^{-5}$ Torr 일때 가장 뚜렷한 thermochromic 효과를 나타내는 완전에 가까운 화학양론비를 갖는 VO$_2$박막을 제작할 수 있었다. 그리고 박막의 결정화를 위하여 rapid thermal annealing (RTA) 방법을 적웅한 결과 공기중에서 40$0^{\circ}C$~45$0^{\circ}C$에서 20~30초간의 어닐링 하였을 때가 두께 100~300nm의 박막을 결정화시키는데 최적조건으로 발견되었다. 또한, Sn을 VO$_2$에 1%~6% 첨가한 V$_{1-x}$ Sn$_{x}$O$_2$박막의 써모크로미즘 및 천이온도를 spectrophotometer로 근적외선의 투과율을 측정하여 조사한 결과 뚜렷한 thermochromism은 그대로 유지되었고 V$_{1-x}$ Sn$_{x}$O$_2$, 박막의 천이온도는 VO$_2$박막의 천이온도 보다 높게 나타났다.

• 한국진공학회지
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• 제4권1호
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• pp.109-117
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• 1995

고에너지 이온주입시 격자결함의 생성 및 열처리 거동이 double crystal X-ray와 단면 TEM을 사용하여 연구되었다. 3MeV P+ 이온주입한 실리콘의 DCXRD 분석 결과조사량 증가에 따라 모재 내의 변형량은 증가하였다. HRTEM 분석 결과 고에너지 이온주입시 결함은 표면 부근에 희박하고 Rp 부근에 집중되어 있었다. 또한 이온주입 상태의 결함층은 dark band의 형태로 존재하였으며 열처리시 이차결함은 이곳으로부터 생성됨이 관찰되었다. 3MeV P+,$1X1015extrm{cm}^2$의 조건으로 이온주입된 실리콘 시편의 열처리에 따른 X-ray rocking curve 분석을 통하여 열처리 온도가 $550^{\circ}C$에서 $700^{\circ}C$로 증가함에 따라 모재 내부의 최대 변형량이 7X10-4에서 2.9X10-4으로 감소함이 관찰되었다. 특히 $550^{\circ}C$ 열처리한 시편의 경우 표면으로부터$-1.5mu$m 영역에 작은 변형층이 넓게 잔존하였으며 열처리온도를 $700^{\circ}C$로 증가한 경우 제거되었다. 이온주입시 생성된 일차결함들은 $700^{\circ}C$ 열처리시 $60^{\circ}$ 전위와 <112> 막대 모양 결함, $1000^{\circ}C$ 열처리시 <110>방향의 전위루프로 열처리 조건에 따라 여러 가지 모양의 이차결함으로 변화하였다. 고에너지 이온주입에 의해 발생한 이차결함은 고온에서도 안정하여 고온 열처리에 의한 제거가 용이하지 않았다.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권2호
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• pp.211-220
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• 1998

수평 전기로에서 $AgGaS_2$ 다결정을 합성하여 HWE 방법으로 $AgGaS_2$ 단결정 박막을 성장하였다. $AgGaS_2$ 단결정 박막을 성잘할 때 증발원과 기판의 온도를 각각 $590^{\circ}C$, $440^{\circ}C$로 성장하였을 때 이중결정 X-선 요동곡선(double crystal X-ray diffraction rocking curve, DCRC)의 반폭치(FWHM)값이 124 arcsec로 가장 작아 최적 성장조건이었다. 상온에서 $AgGaS_2$ 단결정 박막의 광흡수 특성으로부터 에너지 띠간격이 2.61cV였다. Band edge에 해당하는 광전도도 peak의 온도 의존성은 Varshni 관계식으로 설명되었으며, Vaeshni 관계식의 상수값은 Eg(0) = 2.7284eV, $\alpha$= 8.695$\times$10-4 eV/K, $\beta$= 332K 로 주어졌다. 광발광 봉우리는 20K에서 414.3nm(2.9926eV)와 414.1nm(2.7249eV)는 free exciton(Ex)의 upper polariton과 lower polariton인 {{{{{E}`_{x} ^{u} }}}}와 {{{{{E}`_{x} ^{L} }}}}, 423.6nm(2.9269eV)는 bound exciton emission에 의한 I로 관측되었다. 또한 455nm(2.7249eV)의 peak는 donor-acceptor pair(DAP)에 기인하는 광발광 봉우리로 관측되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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• pp.110-110
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• 1998

GaN는 직접천이형 에너지 캡을 가지며 In과 화합물을 형성할 경우 1.geV-3.4eV까지 다양한 에너지 캡을 가지므로 청색 발광소자 고출력소자 고온 전자소자둥 웅용성이 많 은 물절로서 각광을 받고 있다. 그러나 G랴‘에 적합한 기판이 없다는 문제점으로 인하여 F FET, LD와 같은 다양한 구조의 웅용에 제 약이 따랐다. 이에 본 연구에서는 RF(radio frequency) Plasma-Assisted MBE( molecular beam e epitaxy )를 이용하여 InxGaj xN/G암J 양자우물 구조를 성장하였다. 이렇게 성장된 I InxGaj xN 박막과 InxGaj xN/GaN 양자우물구조의 특성의 분석은 광학적 특성올 PL( p photoluminescence ) , 결 정 성 의 분석 은 XRD ( x-ray diffraction ), 표면 과 단변 의 계 변 특성은 SEM(scanning electron microscopy)을 이용하여 분석하였다. 저온 PL의 측정결 과 기판온도를 680$^{\circ}$C로 고정한 후 In cell의 온도를 650$^{\circ}$C에서 775$^{\circ}$C까지 증가함에 따라 I InxGaj xN에 관계된 피크위치가 약3이neV정도 red shift 함을 관찰할 수 있었다. 한편 I InxGaj xN/GaN 양자우물구조의 경우 PL피크가 3.2없eV로써 InxGaj- xN의 PL 피크에 비 해 에서 약 25me V 고에너지 이동이 관측되었으며 이것은 우불 내에서 에너지레벨의 c confinement효과에 의해 에너지의 변화에 의한 것엄올 확인하였으며, 양자우물 구조에서 우물의 두께를 줄임에 따라 변화 폭은 1이neV정도 고에너지 이동을 관찰할 수 있었다. X XRD 측정의 결과 In의 mole fraction에 따라 격자상수의 변화를 관찰하였으며, 결정 성의 변화를 피크의 세기로 관찰하였다 .. XRD로 판단한 In의 mole fraction은 0.2임을 알 았다 .. SEM 측정은 표변과 단면의 측정으로서 표연특성과 단면의 특성을 InxGaj xN, I InxGaj xN/GaN 양자우물 구조 모두 알아보았다. 측정 결과 InxGaj-xN의 성 장조건으로 기판온도가 낮아지면서 표면의 거칠기 정도가 증가하였으며,680$^{\circ}$C의 기판온도에서 성장 한 양자우물 구조에 있어서 매끄라운 표면올 얻올 수 있었다.

• 대한수학회보
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• 제50권3호
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• pp.839-865
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• 2013

We deal with the existence of positive radial solutions concentrating on spheres for the following class of elliptic system $$\large(S) \hfill{400} \{\array{-{\varepsilon}^2{\Delta}u+V_1(x)u=K(x)Q_u(u,v)\;in\;\mathbb{R}^N,\\-{\varepsilon}^2{\Delta}v+V_2(x)v=K(x)Q_v(u,v)\;in\;\mathbb{R}^N,\\u,v{\in}W^{1,2}(\mathbb{R}^N),\;u,v&gt;0\;in\;\mathbb{R}^N,}$$ where ${\varepsilon}$ is a small positive parameter; $V_1$, $V_2{\in}C^0(\mathbb{R}^N,[0,{\infty}))$ and $K{\in}C^0(\mathbb{R}^N,[0,{\infty}))$ are radially symmetric potentials; Q is a $(p+1)$-homogeneous function and p is subcritical, that is, 1 < $p$ < $2^*-1$, where $2^*=2N/(N-2)$ is the critical Sobolev exponent for $N{\geq}3$.

• 한국재료학회지
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• 제11권6호
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• pp.472-476
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• 2001

광학 및 주사전자현미경을 사용하여 X%C-5%Cr-5%V-5%Mo-5%W-5%Co 조성을 가진 다합금계백주철에서 정출되는 탄화물의 종류 및 형태를 3차원적으로 관찰하였는 바 MC, M$_2$C 및 M$_{7}$C$_{3}$의 3종류의 탄화물이 정출되었다. MC탄화물은 꽃잎, 구상 그리고 산호초형태의 3종류, M$_2$C탄화물은 층상 및 판상의 2종류, M$_{7}$C$_{3}$7탄화물은 고크롬백주철에서 관찰되는 막대형태의 한 종류만 관찰되었다. 첨가한 합금원소중 Co는 기지조직에만 고용되었기 때문에 탄화물의 현상에는 영향을 미치지 않았다.않았다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권5호
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• pp.611-618
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• 1995

The (Sr$_{1-x}$ .Ca$_{x}$)TiO$_{3}$+0.6[mol%]Nb$_{2}$O$_{5}$ (0.05.leq.x.leq.0.2) ceramics were fabricated to form semiconducting ceramics by sintering at about 1350[.deg. C] in a reducing atmosphere(N$_{2}$ gas). Metal oxides, CuO, was painted on the both surface of the specimens to diffuse to the grain boundary. They were annealed at 1100 [.deg. C] for 2 hours. The 2nd phase formed by thermal diffusing from the surface lead to a very high apparent dielectric constant. According to increase of the frequency as a functional of temperature, all specimens used in this study showed the dielectric relaxation, and the relaxation frequency was above 106 [Hz], it move to low frequency with increasing resistivity of grain. The specimens showed three kinds of conduction mechanisms in the temperature range 25-125 [.deg. C] as the current increased: the region I below 200 [V/cm] shows the ohmic conduction. The region rt between 200 [V/cm] and 2000 [V/cm] can be explained by the Poole-Frenkel emission theory, and the region III above 2000 [V/cm] is dominated by the tunneling effect.fect.

• 호남수학학술지
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• 제35권2호
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• pp.179-200
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• 2013

Let $C[0,t]$ denote the function space of all real-valued continuous paths on $[0,t]$. Define $X_n:C[0,t]{\rightarrow}\mathbb{R}^{n+1}$ by $Xn(x)=(x(t_0),x(t_1),{\cdots},x(t_n))$, where $0=t_0$ < $t_1$ < ${\cdots}$ < $t_n$ < $t$ is a partition of $[0,t]$. In the present paper, using a simple formula for the conditional expectation given the conditioning function $X_n$, we evaluate the $L_p(1{\leq}p{\leq}{\infty})$-analytic conditional Fourier-Feynman transform and the conditional convolution product of the cylinder functions which have the form $$f((v_1,x),{\cdots},(v_r,x))\;for\;x{\in}C[0,t]$$, where {$v_1,{\cdots},v_r$} is an orthonormal subset of $L_2[0,t]$ and $f{\in}L_p(\mathbb{R}^r)$. We then investigate several relationships between the conditional Fourier-Feynman transform and the conditional convolution product of the cylinder functions.