• Journal of Pharmaceutical Investigation
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• 제38권3호
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• pp.191-197
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• 2008

The purpose of the present study was to examine the pharmacokinetics and lymphatic delivery of the oligopeptide, a model peptide of X antigen epitope peptides, after the intramuscular administration of the peptide-bearing liposomes in rats. $^{14}C$-labelled peptide was used as a tracer to analyze the peptide levels in plasma, bile, urine, tissue homogenates, and lymph nodes (superior cervical nodes, brachial nodes and superior mesenteric nodes). Model peptide rapidly disappeared from the plasma by 30 min (${\alpha}$ phase) after i.v. administration, which was followed by the late disappearance. The apparent plasma half-lives ($t_{1/2({\alpha}),app}$) of the peptide at the ${\alpha}$ phase when administered at a dose of 0.2-1.0 mg/kg were about 5 min. The maximum plasma concentration ($C_{max}$) was $1.52\;{\mu}g/mL$, after the i.m. administration of the peptide at a dose of 1.0 mg/kg. The bioavailability, which was calculated from the time zero to last quantitative time, of the i.m. administered peptide was over 60%. Of the various tissues tested, the peptide was mainly distributed in the kidney after the i.m. administration. The peptide levels in the kidney 3 hr after the i.m. administration were higher than those of maximum plasma concentration ($C_{max}$). The cumulative amounts of the peptide found in the urine 72 hr after the administration of 1.0 mg/kg were 2-folder higher than those in the bile, suggesting that the peptide is mostly excreted in the urine. Moreover, the concentrations of the peptide in the lymph nodes were as high as that of the plasma and the tissues. In conclusion, the peptide concentration in the lymph nodes was maintained by 24 hr after the i.m. administration of the peptide-bearing liposomes.

• Current Research on Agriculture and Life Sciences
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• 제13권
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• pp.31-44
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• 1995

난대림과 온대남부림의 경계를 구분할 수 있는 식생단위를 찾아내기 위하여 난대림과 온대남부림의 경계지역에 속한다고 추정되는 금정산(북위 $35^{\circ}$03' ~$35^{\circ}$17', 동경 $129^{\circ}$01'~$129^{\circ}$05')의 현존삼림식생을 중심으로 ZM 방식으로 식생분류를 하였고, 아울러 군락의 안정성을 구명하였던 바 다음과 같이 요약할 수 있었다. 1. 금정산 일대의 상림식생은 10개군락, 9개군, 2개소군으로 분류되었다. I. 개서어나무군락(群落) (Carpinus tschonoskii community) I-A. 노각나무군(群) (Stewartia koreana group) I-B. 쥐똥나무군(群) (Ligstrum obtusifolium group) I-C. 초피나무군(群) (Carex humilis group) II. 굴참나무군락(群落) (Quercus variabilis community) III. 졸참나무군락(群落) (Quercus serrata community) III-A. 거북꼬리군(群) (Boehmeria tricuspis group) III-B. 전형군(典型群)(Typical group) IV. 등나무군락(群落) (Wisteria floribunda community) V. 신갈나무군락(群落) (Quercus mongolica community) V-A. 조릿대群(Sasa borealis group) V-B. 그늘사초군(群) (Carex lanceolata group) V-B-1. 족도리소군(小群) (Asarum sieboldii subgroup) V-B-2. 해변싸리소군(小群) (Lespedeza ${\times}$ maritima subgroup) VI. 소나무군락(群落) (Pinus densiflora community) VI-A. 사스레피나무군(群) (Eurya japonica group) VI-B. 전형군 (Typical group) VII. 떡갈나무군락(群落) (Quercus dentata communty) VIII. 소사나무군락(群落) (Carpinus coreana community) IX. 해송군락(群落) (Pinus thunbergii communily) X. 상수리나무군락(群落) (Quercus acutissima community) 2. 16개 식생단위중 소나무군락의 사스레피나무군 (Eurya japonica group)이 난대림과 온대남부림을 경계하는 지표식생군인 것으로 사료되었다. 3. 노각나무군은 치묘와 치수가 나타나지 않는 점으로 미루어 상충임관아래에서는 천연갱신이 어려운 종으로 사료되었다. 4. 분류된 식생단위와 해발과의 관계에서 개서어나무군락 굴참나무군락 졸참나무군락 등나무군락 소나무군락의 사스레피나무군 해송군락은 주로 해발 500m이하에서, 신갈나무군락 소나무군락의 전형군 떡갈나무군락 소사나무군락 상수리나무군락은 주로 해발 500m 이상에 분포하고 있었다. 5. 식생단위와 지형과의 관계에서는 개서어나무군락 굴참나무군락 졸참나무군락 등나무군락 소나무군락의 사스레피나무군은 사면중부이하에서, 신갈나무군락 소나무군락의 전형군 떡갈나무군락 소사나무군락 해송군락, 상수리나무군락은 사면중부이상에 분포하고 있었다.

• 생명과학회지
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• 제23권12호
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• pp.1436-1444
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• 2013

항산화 활성과 피로회복 기능성이 강화된 흑마늘 함유 음료를 개발하기 위하여 5% 흑마늘 추출물과 1%의 생약재 5종 혼합추출물(상황버섯, 황금, 단삼, 뽕잎, 작약)을 70:30(v/v)의 비로 혼합한 흑마늘 복합물(BHF)을 제조하였다. 흑마늘 복합물은 성인의 1일 섭취량을 고려하여 1일 100 ml 섭취 시(BHF1)와 300 ml 섭취 시(BHF2)를 기준으로 실험쥐의 식이에 5주간 혼합 급이하면서 간헐적 강제운동에 따른 체내 지질 성분 및 항산화 효소 활성을 분석하였다. 흑마늘 복합물의 총 페놀화합물 함량은 BHF2가 BHF1에 비해 유의적으로 높았으며, 항산화 활성은 총 페놀 함량에 의존적이었다. 혈중 총 단백질 함량은 운동대조군과 흑마늘 복합물 급이군 간에 유의차가 없었으나, 알부민 함량은 Ex-BHF2군이 유의적으로 높았다. AST 및 ALT 활성은 흑마늘 복합물 급이군이 운동대조군에 비해 유의적으로 감소되었다. 혈청 중성지방, 총 콜레스테롤, LDL-콜레스테롤 및 HTR 수준은 Ex-BHF2군에서 운동대조군에 비해 유의적으로 감소되었다. 간 조직의 총 지질 함량은 흑마늘 복합물 급이군과 운동 대조군간에 유의차가 없었다. 반면에 중성지방과 총 콜레스테롤 함량은 Ex-BHF2군이 타 실험군에 비해 유의적으로 낮았다. 흑마늘 복합물 급이에 따른 간 조직에서 catalase 활성은 Ex-BHF2군만 유의적으로 증가하였으나, SOD와 GSH-px 활성은 흑마늘 복합물의 농도가 많아짐에 따라 유의적으로 증가되었다. 간헐적인 강제운동을 한 흰쥐에서 흑마늘과 생약재 복합물의 급이는 체내 중성지방과 콜레스테롤 함량을 낮추고, 항산화 효소 활성을 증가시킴으로써 산화적 스트레스에 대한 생체 보호가 가능할 것으로 판단된다.

• 한국토양비료학회지
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• 제22권4호
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• pp.257-264
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• 1989

본(本) 연구는 구획경계선(區劃境界線)이 토괴(土壞)의 화학성(化學性)의 공간변이(空間變異)에 미치는 영향을 알기 위하여 10년전 구획정리로 논을 회전환(回轉換)한 맥류연구소 시험원지(試驗園地)중 화동(華東) 미사질 식양토(Fine clayey, mixed, mesic family of Aquic Hapludalfs)를 공시토양으로 하여 필지경계선(筆地境界線)을 횡단(橫斷)하여 토양화학성건(土壤化學性健)을 조사하고 각 측정자료를 고전통계적방법(古典統計的方法)과 지질통계적(地質統計的) 방법(方法)으로 각 측정치의 변이성과 공간변이성(空間變異性)을 해석하였다. 토양화학성은 $10m{\times}10m$ 등거리 정방형 gird의 225개 교차지점에서 토심 0-10cm, 25-35cm 및 50-60cm으로부터 토양시료를 채위하여 분석조사하였다. 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 토양(土壤)의 화학성(化學性)의 변이계수(變異係數)는 5.4%에서 72.7%의 범위이었다. 변이계수(變異係數)의 크기로 보아 pH는 C.V가 10% 이하인 저변이군(低變異群)에 속하였으나 기타 화학성(化學性)은 C.V.가 10-100%인 중변이군(中變異群)으로 분류(分類)되었다. 2. 측정된 평균치(平均値)로부터 신뢰수준(信賴水準) 5%의 유의수준에서 허용오차(許容誤差) 10% 이내의 정확성(正確性)을 나타낼 수 있는 시료수는 화학성중 pH는 2개로서 가장 적었으나 CEC는 10개, 치환성 Ca는 15개 전질진함량(全窒秦含量)은 32개, 치환성 Mg, K 및 Na는 각각 39, 40, 61개였으며 유가물함량은 82개로서 중간정도의 범위를 보였고 유효소산(有效燒酸)은 212개로 가장 많은 시료수가 요구되었다. 3. 도수분포곡선(度數分布曲線)과 fractile diagram의 분석결과(分析結果) 유효련산함량(有效憐酸含量)은 대수변환시(對數變換時) 정규분포성(定規分布性)으로 기타, 다른 화학성(化學性)은 정규분포성(定規分布性)으로 분류하는 것이 좋을 것으로 생각 되었다. 도수 분포곡선상에서 평균치(平均値), 중앙치(中央値) 및 최빈치(最頻値)가 차이를 나타내고 Fractile diagram상의 직선회귀식(直線回歸式)에서 실측치보다 대수변환치에서 적중률이 더 높은 화학성은 각 특성의 산술평균치가 오차를 유발할 가능성이 높았다. 4. 계렬상관(系列相關) 분석(分析)에 의하면 토양의 화학성위(化學性位)은 측정지점문(測定地點問)에 모두 유의성 있는 종응성(從膺性)이 인정되었다. 자기상관(自己相關) 분석(分析) 결과(結果) 화학성위(化學性位)은 모두 정상성(定常性)을 나타내 20-50m의 영향단(影響團)을 보여 동서방향(東西方向)보다 남북방향(南北方向)에서 비슷한 특성(特性)을 나타내는 거리 즉 영향권(影響圈)이 큰 것으로 나타나 필지(筆地)의 구획크기가 관련성성(關聯性性)이 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.155.2-155.2
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• 2013

Strain-relaxed SiGe layer on Si substrate has numerous potential applications for electronic and opto- electronic devices. SiGe layer must have a high degree of strain relaxation and a low dislocation density. Conventionally, strain-relaxed SiGe on Si has been manufactured using compositionally graded buffers, in which very thick SiGe buffers of several micrometers are grown on a Si substrate with Ge composition increasing from the Si substrate to the surface. In this study, a new plasma process, i.e., the combination of PIII&D and HiPIMS, was adopted to implant Ge ions into Si wafer for direct formation of SiGe layer on Si substrate. Due to the high peak power density applied the Ge sputtering target during HiPIMS operation, a large fraction of sputtered Ge atoms is ionized. If the negative high voltage pulse applied to the sample stage in PIII&D system is synchronized with the pulsed Ge plasma, the ion implantation of Ge ions can be successfully accomplished. The PIII&D system for Ge ion implantation on Si (100) substrate was equipped with 3'-magnetron sputtering guns with Ge and Si target, which were operated with a HiPIMS pulsed-DC power supply. The sample stage with Si substrate was pulse-biased using a separate hard-tube pulser. During the implantation operation, HiPIMS pulse and substrate's negative bias pulse were synchronized at the same frequency of 50 Hz. The pulse voltage applied to the Ge sputtering target was -1200 V and the pulse width was 80 usec. While operating the Ge sputtering gun in HiPIMS mode, a pulse bias of -50 kV was applied to the Si substrate. The pulse width was 50 usec with a 30 usec delay time with respect to the HiPIMS pulse. Ge ion implantation process was performed for 30 min. to achieve approximately 20 % of Ge concentration in Si substrate. Right after Ge ion implantation, ~50 nm thick Si capping layer was deposited to prevent oxidation during subsequent RTA process at $1000^{\circ}C$ in N2 environment. The Ge-implanted Si samples were analyzed using Auger electron spectroscopy, High-resolution X-ray diffractometer, Raman spectroscopy, and Transmission electron microscopy to investigate the depth distribution, the degree of strain relaxation, and the crystalline structure, respectively. The analysis results showed that a strain-relaxed SiGe layer of ~100 nm thickness could be effectively formed on Si substrate by direct Ge ion implantation using the newly-developed PIII&D process for non-gaseous elements.

• Radiation Oncology Journal
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• 제14권2호
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• pp.95-103
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• 1996

목적 : 구인두암으로 방사선치료를 받은 환자들을 대상으로 후향적 분석을 시행하여 생존율, 치료 실패 양상 및 생존율에 미치는 요인 등을 알아보고자 하였다. 방법 : 1985년 3월부터 1993년 6월까지 경북대학교병원 치료방사선과에서 구인두암으로 방사선치료를 시행한 53예의 환자를 대상으로 후향적 분석을 시행하였다. 환자의 연령은 31세에서 73세로 중간값은 54세였으며 남자 47예 여자 6예였다. 조직학적으로 편평세포암종이 42예, 미분화암종 이 10예, 선양 낭성암종이 1예였다. 병기별 분포는 I기 2예, II기 12예, III기 12예, IV기 27예이었다. T1 7예, T2 28예, t3 10예, T4 7예, T병기가 불명확한 경우가 1예이었고, N0 17예, Nl 13예, N2 21예, N3 2예였다. 원발병소는 편도 36예, 설기저부 12예, 그리고 연구개 5예였다. 방사선 단독치료가 25예, 유도화학요법 및 방사선치료 병용요법이 28예였다. 유도화학요법은 CF (cisplatln, 5-fluorouracil) 또는 CVB (cisplatin, vincristine, bleomycin) 약제로 1-3회 시행하였다 방사선치료는 6MV X선 및 8-10MeV 전자선을 이용하였고 방사선 치료선량은 일일 180-200 cGy씩 총 4500-7740 cGy로 중간값은 7100 cGy였다. 환자의 추적기간은 4개월에서 99개월로 중간추적기간이 21개월이었다. 결과 : 방사선치료 후 37예 ($69.8\%$)에서 완전관해를 보였고 16예 ($30.2\%$) 에서 부분관해를 보였다. 전체 환자에서 2년생존율은 $47\%$, 3년생존율은 $42\%$였고 중앙생존기간은 23개월이었다. 치료에 대한 반응 (p=0.004) 및 전체병기가 (p=0.02) 통계적으로 의미있게 생존율에 영향을 미치는 것으로 나타났다. 2년 무병생존율은 $45.5\%$였고 T 병기 (p=0.03), N 병기 (p=0.04) 및 전체병기가 (p=0.04) 의미있게 무병생존을에 영향을 미치는 것으로 나타났다. 환자의 나이, 성별, 조직학적 소견, 원발병소, 방사선량 및 화학요법과의 병합치료는 무병생존율에 영향을 주지 않았다. 방사선치료 후 완전관해를 보인 36예 중 추적조사가 가능했던 32예에서의 치료 실패양상은 국소재발이 8예, 원격전이가 4예로 주된 치료 실패 원인은 국소재발이었다. 결론 : 본 연구에서는 N 병기, 7 병기 및 전체병기가 무병 생존율에 영향을 미치는 인자로 나타났으며, 국소재발이 주된 실패 요인이 되고 있어 국소완치를 위한 노력이 절실히 요구된다. 현재까지 구인두암의 치료는 방사선 단독치료가 가장 효과적인 치료방법으로 여겨지며 화학요법은 좀더 많은 비교 대조군 연구를 통해서만 역할을 평가할 수 있을 것으로 사료된다.

• 한국의학물리학회지:의학물리
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• 제17권2호
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• pp.89-95
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• 2006

본 연구의 목적은 다양한 전압 값과 전류 값에 따른 CT 투과 스캔 동안의 방사선 선량을 측정하고, 우리 기관에서 사용하는 임상 전신 PET/CT 환자 영상 획득 방식 중 감쇠 보정을 위해 사용하는 $^{137}Cs$ 투과 스캔과 환자의 진단용 고화질 CT 투과 스캔에 대한 방사선 선량을 평가하는 것이다. 방사선 선량 측정을 위해 Philips GEMINI 16 슬라이스 PET/CT시스템을 이용하였다. 다양한 튜브 전압 값과 시간에 따른 전류 값에 대해 표준 CTDI 머리 팬텀과 몸 팬텀을 이용하여 선량을 측정하였다. 이때 100 mm의 유효 길이를 가지는 펜슬 이온 전리함과 전기계를 선량 측정에 이용하였다. 측정은 공기 중, 팬텀의 중심, 그리고 팬텀의 가장 자리에서 각각 이루어졌다. 평균 흡수선량인 가중 CTDI ($CTDI_w=1/3CTDI_{100,c}+2/3CTDI_{100,p}$) 값을 계산하고 이를 이용하여 등가 선량을 계산하였다. 본 연구자가 속한 기관에서의 전신 임상 PET/CT 영상 획득 방식을 이용한 투과 스캔에서의 방사선 선량 측정을 위해 Alderson 팬텀과 TLD를 이용하여 $^{137}Cs$ 투과 스캔과 고화질 CT투과 스캔을 각각 수행하여 각 인체 기관별 선량을 측정하였다. 측정에 사용한 TLD는 10 MeV X-선을 이용하여 교정한 후 ${\pm}5%$ 이내의 정확도를 가지는 것만 측정에 사용하였다. 장기 또는 조직은 ICRP 60을 참고로 선택하였다. 표준 CTDI 머리 팬텀과 몸 팬텀을 이용한 CT 투과 스캔에 대한 선량 측정 결과, 선량 값이 튜브 전압과 전류에 의존하는 것을 확인할 수 있었다. $^{137}Cs$ 투과 스캔과 고화질 CT 투과 스캔에 대한 유효 선량 측정 결과는 0.14 mSv와 29.49 mSv였다. PET/CT 시스템에서 표준 CTDI 팬텀과 이온 전리함, 그리고 Alderson 인체 팬텀과 TLD를 이용하여 투과 스캔에 대한 방사선 선량을 평가할 수 있었다. PET/CT 영상 획득 시, 우리가 원하는 영상의 화질을 유지하면서 환자에 대한 피폭을 최소화하기 위한 영상 획득 방식의 최적화가 추가적으로 이루어져야 할 것으로 생각한다.

• 한국광물학회지
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• 제31권2호
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• pp.113-121
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• 2018

전라남도 화순군에 위치한 백아산 아천동굴은 전남지역에서 발견된 유일한 석회동굴이다. 이 연구에서는 백아산 아천동굴 내부에서 채취한 동굴생성물(동굴산호, 붕암)과 주변 점토 퇴적물의 광물학적 특성을 확인하고, 생성물 내에 존재하는 호기성 미생물을 농화배양하여 탄산염광물을 형성하는 생광물화작용에 대해 알아보고자 하였다. 연구를 위한 시료는 동굴 내 세 지점에서 점토, 동굴산호, 붕암을 채취하였다. XRD 분석결과, 동굴산호와 붕암은 주로 탄산염광물인 Mg가 풍부한 방해석(Mg-rich calcite)으로 이루어져 있었고, 점토는 석영, 백운모, 질석으로 구성되어 있었다. 탄산염광물 형성 미생물의 농화배양을 위하여 각각 소량의 동굴생성물을 D-1 배지에 넣고 상온의 호기 조건에서 미생물을 배양하였다. 그리고 미생물들의 탄산염광물 형성능을 확인하고자 요소가 포함된 D-1 배지에 칼슘이온(Ca-acetate, Ca-lactate)을 주입한 후 각 시료로부터 농화배양된 미생물 배양액을 1% (v/v)씩 주입하였다. 그 결과 모든 조건에서 흰색의 침전물이 형성되었으며, XRD 분석결과 침전물이 방해석과 바테라이트(vaterite)로 구성된 것을 확인하였다. SEM-EDS 분석 결과 Ca, C, O를 주성분으로 하는 능면체, 구형, 주상형의 탄산칼슘이 관찰되었다. 따라서 백아산 아천동굴 내 영구암대에 분포하는 임의의 동굴생성물로부터 확인된 미생물들은 동굴생성물 형성에 관여하고 탄소와 칼슘의 지화학적 순환에 기여했을 것으로 추정된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.134-135
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• 2011

양자점은 전자와 양공을 3차원으로 속박 시키므로 기존의 bulk나 양자우물보다 양자점을 이용한 레이저 다이오드의 경우 낮은 문턱 전류, 높은 미분이득 및 온도 안전성의 장점이 있을 거라 기대되고 있다. 그러나, 양자점은 낮은 areal coverage 때문에 높은 속박효율을 얻지 못하고 있다. 이러한 양자점의 문제점을 해결하기 위해 양자점을 양자우물 안에 성장시켜 운반자들의 포획을 향상시키는 방법들이 연구되고 있다. 양자우물 안에 양자점을 넣으면 양자우물이 운반자들의 포획을 증가 시키고, 열적 방출도 억제하여 온도 안정성이 향상 되는 것으로 알려져 있다. 광통신 대역의 1.3 ${\mu}m$ 경우, GaAs계를 이용하여 InAs 양자점을 strained InGaAs 박막을 우물층으로 한 dot-in-a-well 구조의 연구는 몇몇 보고된 바 있다. 그러나 InP계를 사용하는 1.55 ${\mu}m$ 대역에서 dot-in-a-well구조의 연구는 아직 미미하다. 본 연구에서는 유기 금속 화학 증착법(metal organic chemical vapor deposition)을 이용하여 InP 기판 위에 InAs 양자점을 자발성장법으로 성장하였으며 dot-in-a-well 구조에서 우물층으로 1.35 ${\mu}m$ 파장의 $In_{0.69}Ga_{0.31}As_{0.67}P_{0.33}$ (1.35Q)를, 장벽층으로는 1.1 ${\mu}m$ 파장의 $In_{0.85}Ga_{0.15}As_{0.32}P_{0.68}$(1.1Q)를 사용하였다. 양자우물층과 장벽층은 모두 InP 기판과 격자가 일치하는 조건으로 성장하였다. III족 원료로는 trimethylindium (TMI)와 trimethylgalium (TMGa)을 사용하였으며 V족 원료 가스로는 $PH_3$ 100%, $AsH_3$ 100%를, carrier gas로는 $H_2$를 사용하였다. InP buffer층의 성장 온도는 640$^{\circ}C$이며 양자점 성장 온도는 520$^{\circ}C$이다. 양자점 형성은 원자력간 현미경(Atomic force microscopy)를 이용하여 확인하였으며, 박막의 결정성은 쌍결정 회절분석(Double crystal x-ray deffractometry)를 이용하여 확인하였다. 확인된 성장 조건을 이용하여 양자점 시료를 성장하였으며 광여기분광법(Photoluminescence)을 이용하여 광특성을 분석하였다. Fig. 1은 dot in a barrier 와 dot-in-a-well 시료의 성장구조이다. Fig. 1(a)는 일반적인 dot-in-a-barrier 구조로 InP buffer층을 성장하고 1.1Q를 100 nm 성장한 후 양자점을 성장하였다. 그 후 1.1Q 100 nm와 InP 100 nm로 capping하였다. Fig. 1(b)는 dot-in-a-well 구조로 InP buffer층을 성장하고 1.1Q를 100 nm 성장 후 1.35Q 우물층을 4 nm 성장하였다. 그 위에 InAs 양자점을 성장하였다. 그 후에 1.35Q 우물층을 4 nm 성장하고 1.1Q 100 nm와 InP 100 nm로 capping하였다. Fig. 2는 dot-in-a-barrier 시료와 dot-in-a-well 시료의 상온 PL data이다. Dot-in-a-barrier 시료의 PL 파장은 1544 nm이며 반치폭은 79.70 meV이다. Dot-in-a-well 시료의 파장은 1546 nm이며 반치폭은 70.80 meV이다. 두 시료의 PL 파장 변화는 없으며, 반치폭은 dot-in-a-well 시료가 8.9 meV 감소하였다. Dot-in-a-well 시료의 PL peak 강도는 57% 증가하였으며 적분강도(integration intensity)는 45%가 증가하였다. PL 데이터에서 높은 에너지의 반치폭 변화는 없으며 낮은 에너지의 반치폭은 8 meV 감소하였다. 적분강도 증가에서 dot-in-a-well 구조가 dot-in-a-barrier 구조보다 전자-양공의 재결합이 증가한다는 것을 알 수 있으며, 반치폭 변화로부터 특히 높은 에너지를 갖는 작은 양자점에서의 재결합이 증가 된 것을 알 수 있다. 이는 양자우물이 장벽보다 전자-양공의 구속력을 증가시키기 때문에 양자점에 전자와 양공의 공급을 증가시키기 때문이다. 따라서 낮은 에너지를 가지는 양자점을 모두 채우고 높은 에너지를 가지는 양자점까지 채우게 되므로, 높은 에너지를 가지는 양자점에서의 전자-양공 재결합이 증가되었기 때문이다. 뿐만 아니라 파장 변화 없이 PL peak 강도와 적분강도가 증가하고 낮은 에너지 쪽의 반치폭이 감소한 것으로부터 에너지가 낮은 양자점보다는 에너지가 높은 양자점에서의 전자-양공 재결합율이 급증하였음을 알 수 있다. 우리는 이와 같은 연구에서 InP계를 이용해 1.55 ${\mu}m$에서도 dot in a well구조를 성장 하여 더 좋은 특성을 낼 수 있으며 앞으로 많은 연구가 필요할 것이라 생각한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.183-183
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• 2009

OLED소자의 양극재료로써 현재는 산화인듐주석(ITO : indium tin oxide) 박막이 널리 이용되고 있다. 그러나 낮은 전기 비저항과 높은 투과도를 갖는 ITO 박막을 얻기 위해서는 $300^{\circ}C$ 이상의 고온에서 성막되어야 하며, 원료 물질인 인듐의 수급량 부족으로 인한 문제점과 독성, 저온증착의 어려움, 스퍼터링 시 음이온 충격에 의한 막 손상으로 저항의 증가의 문제점이 있고, 또한 유기발광소자의 투명전극으로 쓰일 경우에 유기물과의 계면 부적합성, 액정디스플레이의 투명전극으로 사용될 경우에 $400^{\circ}C$정도의 놓은 온도와 수소 플라즈마 분위기에서 장시간 노출 시 열화로 인한 광학적 특성변화가 문제가 된다. 이러한 문제점을 지닌 ITO 박막을 대체할 수 있는 물질로 산화 인듐아연(lZO) 박막이 많은 각광을 받고 있다. IZO(Indium Zinc Oxide) 박막은 저온 ($100^{\circ}C$ 이상)에서 증착이 가능하고 추가적인 열처리 없이도 가시광 영역에서 90% 이상의 광 투과도와 ${\sim}10^{-4}{\Omega}cm$ 이하의 낳은 전기 비저항을 갖는 것으로 알려져 있다. 이러한 IZO박막은 성막 후 고온의 열처리 과정이 필요 없기 때문에 폴리카보네이트와 같은 유기물 기판을 사용하여 제작 가능한 유연한 평판형 표시 소자의 제작에도 적용될 수 있다. IZO(Indium Zinc Oxide) 박막은 상온 공정에서도 우수한 전기적, 광학적, 표면 특성을 나타낼 뿐만 아니라 양극재료로써 높은 일함수를 가지고 있어 고효율의 유기 발광 소자를 구현하는데 유리한 재료라 판단된다. 본 연구에서는 TCO 박막의 면 저항과 표면 거칠기가 OLED 소자의 성능에 미치는 영향을 조사하였다. R.F Magnetron Sputtering을 이용하여 투명 전도막을 성막 형성 하였으며, 기판온도와 증착과정에서 주입되는 산소, 수소의 유랑 변화가 박막의 구조적, 전기적 특성에 어떠한 영향 미치는 것인가를 자세히 규명하였다 ITO 와 IZO박막은 챔버 내 다양한 가스 분위기(Ar, $Ar+O_2$ and $Ar+H_2$) 에서 R.F Magnetron Sputtering 방법으로 증착했다. TCO박막의 구조적인 이해를 돕기 위해서 X-ray diffraction 과 FESEM으로 분석했다. 광학적 투과도와 박막의 두께는 Ultraviolet Spectrophotometer(Varian, cary-500)와 Surface profile mersurement system으로 각각 측정하였다. 면저항, charge carrier농도, 그리고 TCO박막의 이동성과 길은 전기적특성은 Four-point probe와 Hall Effect Measurement(HMS-3000)로 각각 측정한다. TCO 박막의 표면 거칠기에 따른 OLED소자의 성능분석 측면에서는 TCO 박막의 표면 거칠기 조절을 위해 photo lithography 공정을 사용하여 TCO 박막을 에칭 하였다. 미세사이즈 패턴 마스크가 사용되고 에칭의 깊이는 에칭시간에 따라 조절한다. TCO박막의 표면 형태는 FESEM과 AFM으로 관찰하고 그리고 나서 유기메탈과 음극 전극을 연속적으로 TCO 박막위에 증착한다. 투명전극으로 사용되는 IZO기판 상용화를 위해 IZO기판 위에 $\alpha$-NPB, Alq3, LiF, Al순서로 OLED소자를 제작하였다. 전류밀도와 전압 그리고 발광과 OLED소자의 전압과 같은 전기적 특성은 Spectrometer (minolta CS-1000A) 에 의하여 I-V-L분석을 했다.