• 한국음향학회:학술대회논문집
• /
• 한국음향학회 1999년도 학술발표대회 논문집 제18권 1호
• /
• pp.206-209
• /
• 1999

본 논문은 실제 해양에서 표적의 탐지거리 계산에 필요한 전달손실을 신속, 정확하게 계산하기 위해 가용한 모델을 확보하고, 확보된 모델의 검증을 통해 사용 가능한 범위에 대한 지침을 마련하고자 한다. 연구를 위해 확보된 모델은 포물선 방정식 모델의 RAM, 정상모드 모델의 KrakenC, 고속음장 모델의 OASES이다. 각 모델을 같은 환경에서 주파수를 변화시켜 가며 비교하였고 완전해를 제공하는 OASES를 기준으로 결과를 비교해 본 결과 KrakenC의 경우, 저주파에서 전달손실은 거의 일치하거나 2-3dB 정도의 차이를 보였고, ram의 경우는 KrakenC에 비하여 일치하는 정도가 훨씬 낮았다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제4권3호
• /
• pp.222-227
• /
• 2004

The sub-bitline (SBL) sensing voltage of a cell and total cell array can be measured by the method of SBL voltage evaluation method. The MOSAID tester can collect all SBL signals. The hierarchical bitline of unit cell array block is composed of the cell array of 2k rows and 128 columns, which is divided into 32 cell array sections. The unit cell array section is composed of the cell array of 64 rows and 128 columns. The average sensing voltage with 2Pr value of $5{\mu}C/cm^2$ and SBL capacitance of 40fF is about 700mV at 3.0V operation voltage. That is high compensation method for capacitor size degradation effect. Thus allowed minimum 2Pr value for high density Ferroelectric RAM (FeRAM) can move down to about less than $5{\mu}C/cm^2$.

• Nuclear Engineering and Technology
• /
• 제34권5호
• /
• pp.468-481
• /
• 2002

There are 4 CANDU6 type reactors operating at Wolsong site. For fuelling operation of certain fuel channels (with flow less than 21.5 kg/s) a FARE flow Assist Ram Extension) device is used. During the refuelling operation, two remote controlled F/Ms (Fuelling Machines) are attached to a designated fuel channel and carry out refuelling job. The upstream F/M inserts new fuel bundles into the fuel channel while the downstream F/M discharges spent fuel bundles. In order to assist fuelling operation of channels that has lower coolant How rate, the FARE device is used instead of F/M C-ram to push the fuel bundle string. The FARE device is essentially a How restricting element that produces enough drag force to push the fuel bundle string toward downstream F/M. Channels that require the use of FARE device for refuelling are located along the outside perimeter of reactor. This paper presents the FARE device design feature, steady state hydraulic and operational characteristics and behavior of the device when coupled with fuel bundle string during fuelling operation. The study showed that the steady state performance of FARE device meets the design objective that was confirmed by downstream F/M C-ram force to be positive.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
• /
• 제55권3호
• /
• pp.111-115
• /
• 2006

We investigated accelerated soft error rate(ASER) in 8M static random access memory(SRAM) cells. The effects on ASER by well structure, operational voltage, and cell transistor threshold voltage are examined. The ASER decreased exponentially with respect to operational voltage. The chips with buried nwell1 layer showed lower ASER than those either with normal well structure or with buried nwell1 + buried pwell structure. The ASER decreased as the ion implantation energy onto buried nwell1 changed from 1.5 MeV to 1.0 MeV. The lower viscosity of the capping layer also revealed lower ASER value. The decrease in the threshold voltage of driver or load transistor in SRAM cells caused the increase in the transistor on-current, resulting in lower ASER value. We confirmed that in order to obtain low ASER SRAM cells, it is necessary to also the buried nwell1 structure scheme and to fabricate the cell transistors with low threshold voltage and high on-current.

• Asian Pacific Journal of Cancer Prevention
• /
• 제15권22호
• /
• pp.9973-9978
• /
• 2014

Background: Hypoxia inducible factor-1 alpha (HIF-$1{\alpha}$) is the key regulator of cellular responses to hypoxia and plays a central role in tumour growth. Presence of Single nucleotide polymorphisms (SNPs) in the critical regulatory domains of HIF-$1{\alpha}$ may result in the overexpression of the protein and subsequent changes in the expression of the downstream target genes. The aim of study was to investigate the association of three SNPs (g.C111A, g.C1772T and g.G1790A) of HIF-$1{\alpha}$ with the risk of breast cancer in North Indian sporadic breast cancer patients. Materials and Methods: A total of 400 subjects, including 200 healthy controls and 200 patients with breast cancer were recruited in this study. Genotypes were determined using polymerase chain reaction - restriction fragment length polymorphism (PCR-RFLP) method. Results: The CC and CA genotype frequency of HIF-$1{\alpha}$ g.C111A polymorphism was 100 vs 99% and 0 vs 1% in breast cancer patients and healthy controls respectively. The frequencies of CC, CT and TT genotype of g.C1772T polymorphism were 76 vs 74.5%, 19 vs 21% and 5 vs 4.5% in breast cancer patients and control individuals respectively. There was no significant difference in genotype and allele frequencies of HIF-$1{\alpha}$ g.C1772T polymorphism between cases and control individuals (p>0.05). For g.G1790A genotypes, all patients and controls had only GG genotype. Conclusions: The three HIF-$1{\alpha}$ polymorphisms (g.C111A, g.C1772T and g.G1790A) are not associated with breast cancer risk in North-West Indian patients.

• 대한수학회지
• /
• 제48권2호
• /
• pp.341-365
• /
• 2011

In this paper, we establish general stratawise higher jet evaluation transversality of J-holomorphic curves for a generic choice of almost complex structures J (tame to a given symplectic manifold (M, $\omega$)). Using this transversality result, we prove that there exists a subset $\cal{J}^{ram}_{\omega}\;{\subset}\;\cal{J}_{\omega}$ of second category such that for every $J\;{\in}\;\cal{J}^{ram}_{\omega}$, the dimension of the moduli space of (somewhere injective) J-holomorphic curves with a given ramication prole goes down by 2n or 2(n - 1) depending on whether the ramication degree goes up by one or a new ramication point is created. We also derive that for each $J\;{\in}\;\cal{J}^{ram}_{\omega}$ there are only a finite number of ramication profiles of J-holomorphic curves in a given homology class $\beta\;{\in}\;H_2$(M; $\mathbb{Z}$) and provide an explicit upper bound on the number of ramication proles in terms of $c_1(\beta)$ and the genus g of the domain surface.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보처리학회 2011년도 춘계학술발표대회
• /
• pp.17-20
• /
• 2011

NAND 플래시 메모리 기반의 저장장치의 내부에는 Flash Translation Layer (FTL)이라는 소프트웨어가 사용되고 있다. FTL은 파일 시스템으로부터 요청되는 논리 주소를 플래시 메모리의 물리 주소로 변환하며 이를 위하여 사상 테이블을 사용한다. 일반적으로 사상 테이블의 빠른 접근을 위하여 사상 테이블은 저장장치 내부의 RAM에 유지한다. 최근 저장 공간의 용량이 커지게 되면서 사상 테이블로 인해 요구되는 RAM의 크기도 커지게 되어 사상 테이블을 플래시 메모리에 저장하고 일부만 RAM에 유지하는 캐싱 기법들이 연구되어 왔다. 본 논문에서는 SAT-c 라는 사상 테이블 캐싱 기법을 제안하고 캐시 교체 알고리즘들의 성능을 비교하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제29권7호
• /
• pp.400-403
• /
• 2016

The resistive memory switching characteristics of resistive random access memory (ReRAM) using the amorphous GeSe thin film have been demonstrated at Al/Ti/GeSe/$n^+$ poly Si structure. This ReRAM indicated bipolar resistive memory switching characteristics. The generation and the recombination of chalcogen cations and anions were suitable to explain the bipolar switching operation. Space charge limited current (SCLC) model and Poole-Frenkel emission is applied to explain the formation of conductive filament in the amorphous GeSe thin film. The results showed characteristics of stable switching and excellent reliability. Through the annealing condition of $400^{\circ}C$, the possibility of low temperature process was established. Very low operation current level (set current: ~ ${\mu}A$, reset current: ~ nA) was showed the possibility of low power consumption. Particularly, $n^+$ poly Si based GeSe ReRAM could be applied directly to thin film transistor (TFT).

• 융합신호처리학회논문지
• /
• 제3권2호
• /
• pp.83-88
• /
• 2002

본 논문에서는 온도보상과 POS 접속이 가능한 LPG 충전제어시스템을 구현하였다. 이 시스템은 16-bit 80C196 마이크로프로세서와, RAM, ROM, 비디오 driver, 프로그램주변소자 등으로 구성된다. 가스 유량계로부터의 부호화 유량신호와 장치교정 값, 온도센서로부터의 변환된 전압 값을 근거로 정확한 가스 충전량을 계산하고 솔레노이드 밸브를 on/off 함으로 충전량을 제어한다. 온도보상은 LP 가스 온도의 10-bit 아날로그-디지털변환에 의하여 0.5$^{\circ}C$의 분해능으로 이루어지며 온도보상의 범위는 영하 30도에서 영상 70도까지 가능하다.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제44권12호
• /
• pp.102-107
• /
• 2007

본 논문에서는 메모리 공정이 필요 없고 내장 프로세서를 사용하지 않는 H.264/AVC 엔트로피 복호기를 제안한다. 기존에 발표된 H.264/AVC 엔트로피 복호기의 경우 상당수의 연구가 내부의 ROM 또는 RAM이 필요하기 때문에 일반적인 디지털 로직 공정에서 구현이 어렵다. 또한 상당수의 연구가 비트열 처리를 위하여 내장 프로세서를 사용하기 때문에 면적이 크고 전력소모가 많은 단점을 가지고 있다. 본 논문에서는 내장 프로세서를 사용하지 않는 H.264/AVC Hardwired 엔트로피 복호기를 제안함으로써 데이터 처리 속도를 증가시키고 전력 소모를 줄인다. 또한 CAVLC 복호기에서 복호 시에 이용되는 룩업 테이블 및 저장 공간을 최적화하고 내장 메모리를 사용하지 않는 구조를 제안함으로써, 기존 연구에 비해 하드웨어 크기를 줄이고 ROM 또는 RAM이 지원되지 않는 디지털 로직 제조 공정에서도 쉽게 구현이 가능하다. 설계된 엔트로피 복호기는 H.264/AVC 비디오 복호기의 일부로 내장되어 전체 시스템에서 동작하는 것을 검증하였다. TSMC 90nm 공정으로 합성한 결과 최대동작주파수는 125MHz이며, QCIF, CIF, QVGA 영상을 지원할 뿐만 아니라 nC 레지스터 등 약간의 수정을 통해서 VGA 영상도 지원이 가능하다.