• 제목/요약/키워드: C V A

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사단급 L-V-C연동훈련체계 구축을 위한 LVC통합아키텍쳐기술 설계 및 구현 (The Design and implementation of LVC Integrated Architecture Technology building division-level L-V-C Interoperability Training System)

  • 원경찬;구자환;이호준;김용필
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제22권5호
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    • pp.334-342
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    • 2021
  • 현재 국내에서는 L(실기동)-V(시뮬레이터)-C(워게임모델) 체계 간 연동 없이 독립된 환경에서 훈련을 수행하고 있다. L 체계는 훈련장 민원과 도로 제한 등으로 대부대 훈련이 제한되고, V 체계는 전술훈련과 연계한 훈련이 미흡하며, C 체계는 전투마찰 요소가 부족하여 실전성이 부족하다. 상하 제대 간 동시성 및 통합성 훈련 효과를 달성하기 위해 현재 운용 중인 L, V, C 체계를 상호 연동하여 제대별 통합연습훈련을 보장하기 위한 체계 구축이 필요하다. 현재 한미연합연습 간 C-C 체계 간 연동을 통해 모의지원을 하고 있지만, 실질적인 L, V, C 연동을 통한 훈련체계 개발은 연구단계에서 이루어지고 있는 실정이다. 육군을 중심으로 L, V, C 체계 연동 구축을 위해 많은 노력을 하였으나, 연동체계의 핵심인 LVC통합아키텍쳐 기술은 아직 확보하지 못한 상태이다. 따라서 본 논문에서는 L-V-C연동훈련체계를 구축할 수 있는 핵심기술인 LVC통합아키텍쳐 기술을 설계하고 구현하여 미래 훈련체계의 새로운 방안을 제시하고자 한다. 결론적으로 LVC통합아키텍쳐 기술의 확보를 통해 향후 사단급 L-V-C 연동훈련체계 구축이 가능할 것으로 판단된다.

Tabu Search를 이용한 지름이 2인 그래프에 대한 L(2,1)-coloring 문제 해결 (Using Tabu Search for L(2,1)-coloring Problem of Graphs with Diameter 2)

  • 김소정;김찬수;한근희
    • 디지털융복합연구
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    • 제20권2호
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    • pp.345-351
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    • 2022
  • 단순 무방향 그래프 G 의 L(2,1)-coloring은 d(u,v)가 두 정점 사이의 거리일 때 두 가지 조건 (1) d(x,y) = 1 라면 |f(x)-f(y)|≥ 2, (2) d(x,y) = 2 라면 |f(x)-f(y)|≥ 1 을 만족하는 함수 f : V → [0,1,…,k]를 정의하는 것이다. 임의의 L(2,1)-coloring c 에 대하여 G 의 c-span 은 λ(c)=max{|c(u)-c(v)|| u,v∈V} 이며, L(2,1)-coloring number 인 λ(G)는 모든 가능한 c 에 대하여 λ(G) = min{λ(c)} 로 정의된다. 본 논문에서는 Harary의 정리에 기반하여 지름이 2인 그래프에 대하여 여그래프에 해밀턴 경로의 존재여부를 Tabu Search를 사용해 판단하고 이를 통해 λ(G)가 n(=|V|)과 같음을 분석한다.

누에고치층의 형광색에 따른 Sericin의 용해성 (Dissolution Behaviors of Sericin in Cocoon Shell on the Fluorescence Colors)

  • 손승종;남중희
    • 한국잠사곤충학회지
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    • 제30권1호
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    • pp.33-39
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    • 1988
  • 본 시험은 자외선에 의해 구분된 황형광색견(Y.F.C)와 자형광색견(V.F.C)의 견층 sericin이 열수에 대한 성질과 견층 sericin 수용액의 물리적 성질 차이를 조사하고 제사성적에 미치는 영향을 검토한 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 용해온도에 따른 sericin의 용해성은 낮은 온도에서보다 높은 온도에서 Y.F.C와 V.F.C간의 차가 켰다. 2. 용해시간에 따른 sericin의 용해성은 Y.F.C 및 V.F.C 모두 비슷한 경향을 나타냈으나 Y.F.C가 V.F.C. 보다 용해성이 좋았다. 3. 초기 sericin 용해성을 도시하면 용해도가 다른 4개 부분으로 구분할 수 있었고 Y.F.C 및 V.F.C 모두 같은 형태였으나 각 용해속도에 있어서는 차이가 있었다. 4. Sericin 수용액의 표면장력 측정결과 처리후 방치 시간에 따른 변화 속도는 45분 이내에서 V.F.C가 빠르기 때문에 sericin의 용해성을 저하시킬 것으로 사료된다. 5. Sericin 입자의 비용적에 있어서 Y.F.C가 V.F.C 보다 크기 때문에 Y.F.C의 용해성이 좋은 것으로 추정된다. 6. 제사가공 중 견층 sericin 용해량은 Y.F.C가 V.F.C 보다 초기용해속도가 빠르기 때문에 전공정 sericin 유실량이 많았고 이 때문에 실켜기 공정에서 고치실의 풀림새를 향상시킨 것으로 사료된다.

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2024A1/$SiC_p$복합재료의 기계적특성에 미치는 SiC클러스터의 영향 (Effects of SiC Cluster on Mechanical Properties of the 2024A1/$SiC_p$ Composites)

  • 김홍물;천병선
    • 한국분말재료학회지
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    • 제8권2호
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    • pp.124-130
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    • 2001
  • A centrifugally atomized 2024A1/SiC/sub p/ composites were extruded to study effect of clusters on mechanical properties, and a model was proposed that the strength of MMCs would be estimated from the load transfer model approach that taken into consideration of the clusters. This model has been successfully utilized to predict the strength and fracture toughness of MMCs. The experimental and calculated results show coincidence and that the fracture toughness decreases with increasing the volume fraction of particles. On the basis of experimental observations, we suggest that the strength and fracture toughness of particle reinforced MMCs may be calculated from; σ/sub y/=σ/sub m/V/sub m/+σ/sub r/(V/sub r/-V/sub c)-σ/sub r/V/sub c/, K/sub IQ/=σ/sub Y/((3πt)((r/sub r//V/sub r/)(r/sub c//V/sub c/))/sup 1/2/)/sup 1/2/, respectively.

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공기절연 전력설비를 위한 교류전로파괴전압-온도특성에 관한 연구 (A Study on the A.C.Breakdown Voltage-Temperature Characteristics for Air Insulated Power Installation)

  • 김상구;송현직;김영훈;이광식;이동인
    • 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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    • 제9권1호
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    • pp.47-53
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    • 1995
  • 본 연구는 공기절연 전력설비를 위한 교류전로파괴전압($\textrm{V}_{Brms}$)-온도 (T)특성을 연구할 목적으로 교류 고전압 인가시 온도변화(30[$^{\circ}C$]-[$180^{\circ}C$])에 따른 유동공기의 전로파괴특성을 기체방전이론과 유체역학 이론을 적용하여 연구하였다. 그리고 본 실험에서의 전극계는 내부직경이 5[cm]인 직원통간에 침대침전극을 배치하였다. 본 연구에서 얻은 중요한 결론은 다음과 같다. $\textrm{V}_{Brms}$)은 유속(U)이 증가함에 따라 상승하였다. $\textrm{V}_{Brms}$는 高溫에서 포화하였다. 高溫(T : [$180^{\circ}C$])에서는 低溫(T : 30[$^{\circ}C$])보다 $\textrm{V}_{Brms}$가 4.7[kV]가 낮게 나타났다. $\textrm{V}_{Brms}$$\textrm{V}_{Brms}=A\times{Log[Re]}+B}$의 식으로 나타낼 수 있었다. 여기서 A, B는 상수이다.

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고강도 인바계 합금의 열팽창 및 인장 특성에 미치는 바나듐과 탄소 원소 첨가 영향 (Effects of V and C additions on the Thermal Expansion and Tensile Properties of a High Strength Invar Base Alloy)

  • 윤애천;윤신천;하태권;송진화;이기안
    • 소성∙가공
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    • 제24권1호
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    • pp.44-51
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    • 2015
  • The current study seeks to examine the effects of V and C additions on the mechanical and low thermal expansion properties of a high strength invar base alloy. The base alloy (Fe-36%Ni-0.9%Co-2.75%Mo-0.7Cr-0.23Mn-0.17Si-0.3%C, wt.%) contains $Mo_2C$ carbides, which form as the main precipitate. In contrast, alloys with additions of 0.4%V+0.3%C (alloy A) or 0.4%V+0.45%C (alloy B) contain $Mo_2C$+[V, Mo]C carbides. The average thermal expansion coefficients of these high strength invar based alloys were measured in the range of $5.16{\sim}5.43{\mu}m/m{\cdot}^{\circ}C$ for temperatures of $15{\sim}230^{\circ}C$. Moreover, alloy B showed lower thermal expansion coefficient than the other alloys in this temperature range. For the mechanical properties, the [V, Mo]C improved hardness and strengths(Y.S. and T.S.) of the high strength invar base alloy. T.S.(tensile strength) and Y.S.(yield strength) of hot forged alloy B specimen were measured at 844.6MPa and 518.0MPa, respectively. The tensile fractography of alloy B exhibited a ductile transgranular fracture mode and voids were initiated between the [V, Mo]C particles and the matrix. Superior properties of high strength and low thermal expansion coefficient can be obtained by [V, Mo]C precipitation in alloy B with the addition of 0.4%V and 0.45%C.

고온, 고전압 Ni/4H-SiC 및 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드의 제작 및 전기적 특성 연구 (Fabrications and Characterization of High Temperature, High Voltage Ni/6H-SiC and Ni/4H-SiC Schottky Barrier Diodes)

  • 이호승;이상욱;신동혁;박현창;정웅
    • 전자공학회논문지D
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    • 제35D권11호
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    • pp.70-77
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    • 1998
  • 본 논문에서는 nickel/silicon carbide(Ni/SiC) 접합에 의한 Schottky 다이오드를 제작하고, 그 전기적 특성을 조사하였다. Ni/4H-SiC의 경우, 산화막 모서리 단락을 하였을 때 상온에서 973V의 역방향 항복전압이 측정되었으며 이는 모서리 단락되지 않은 Schottky 다이오드의 역방향 항복전압 430V에 비해 매우 높았다. Ni/6H-SiC Schottky 다이오드의 경우, 산화막으로 모서리 단락시켰을 때와 시키지 않았을 때의 역방향 항복전압은 각각, 920V와 160V 였다. 고온에서의 소자 특성도 매우 좋아서 Ni/4H-SiC Schottky 다이오드와 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드 모두 300℃까지 전류 특성의 변화가 거의 없었으며 550℃에서도 양호한 정류 특성을 보였다. 상온에서의 Schottky barrier height와 이상인자(ideality factor) 및 specific on-resistance는 Ni/4H-SiC의 경우는 1.55eV, 1.3, 3.6×10/sup -2/Ω·㎠이었으며 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드의 경우에 1.24eV, 1.2, 2.6×10/sup -2Ω·㎠/로 나타났다. 실험 결과 Ni/4H-SiC 및 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드 모두 고온, 고전압 소자로서 우수한 특성을 나타냄이 입증되었다.

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Ti/SiC(4H) 쇼트키 장벽 다이오드의 전기적 특성 (The electrical properties of a Ti/SiC(4H) sehottky diode)

  • 박국상;김정윤;이기암;장성주
    • 한국결정성장학회지
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    • 제7권3호
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    • pp.487-493
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    • 1997
  • SiC(4H) 결정에 Ti을 열증착하여 Ti/SiC(4H) 쇼트키(Schottky) 장벽 다이오드를 만들었다. SiC(4H)의 주개농도(donor concentration)는 전기용량-전압(C-V) 측정으로부터 $2.0{\times}10^{15}{\textrm}{cm}^{-3}$이었으며, 내부전위(built-in potential)는 0.65 V이었다. 전류-전압(I-V) 특성으로 부터 다이오드의 이상계수(ideally factor)는 1.07이었으며, 역방향 항복전장(breakdown field)은 약 $1.7{\times}10^3V/{\textrm}{cm}$이었다. 상온에서 $140^{\circ}C$까지 온도변화에 따라 측정된 포화전류로 부터 구한 전위장벽(potential barrier)은 0.91 V이었는데, 이는 C-V 특성으로 부터 구한 전위장벽과 거의 같았다.

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반투명 전극으로 된 다공질 실리콘 알코올 가스 센서의 C-V 특성 (C-V Characteristics of Porous Silicon Alcohol Sensors with the Semi-transparent Electrode)

  • 김성진;이상훈
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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    • pp.1085-1088
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    • 2003
  • In this work, we fabricated a gas-sensing device based on porous silicon(PS), and its I-V and C-V properties were investigated for sensing alcohol vapor. The structure of the sensor consists of thin Au/Oxidized porous silicon/porous silicon/Silicon/Al, where the silicon substrate is etched anisotropically to be prepared into a membrane shape. As the result, I-V curves showed typical tunneling property, and C-V curves were shaped like those of a MIS (metal-insulator- semiconductor) capacitor, where the capacitance in accumulation was increased with alcohol vapor concentration.

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고속도로 시설물 구간의 교통혼잡도와 사고율의 관계 분석 (신갈-안산 고속도로를 중심으로) (Relationship between V/C and Accident Rate for Freeway Facility Sections (focused on Shingal-Ansan Freeway))

  • 오철;장재남;장명순
    • 대한교통학회지
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    • 제17권2호
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    • pp.21-27
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    • 1999
  • 고속도로 시설물 구간의 교통혼잡도(V/C)와 사고율의 관계를 분석하는 것이 본 연구의 목적이다. 본 연구에서 분석된 사고율과 V/C의 관계는 교통사고의 예측과 예방을 위한 기초 자료로 유용하게 쓰일 수 있을 것으로 판단된다. 본 연구에서는 신갈-안산간 고속도로의 개통시(92년)부터 97년까지의 교통량과 사고 자료를 이용하였으며, 시간당 사고율과 V/C를 계산하여 기본구간, 터널구간, 영업소구간의 V/C와 사고율(AR)을 비교·분석하였다. V/C와 사고율의 관계는 모든 구간에서 "U"형의 곡선 형태를 나타냈다. 분석 결과를 보면 V/C가 낮을 때 사고율이 가장 높았으며 V/C가 증가함에 따라 사고율이 감소하다가 일정수준 이상에서는 다시 사고율이 증가하는 것으로 나타났다. 영업소구간의 사고율이 V/C의 전 범위에 걸쳐 기본구간이나 터널구간보다 높게 나타났다. 터널구간의 경우 기본구간과 비교 시 V/C=0.67을 기준으로 그 이하에서는 기본구간이, 그 이상에서는 터널구간이 기본구간보다 사고율이 높은 것으로 분석되었다. V/C가 0.5∼0.8 구간에서는 기본구간과 터널구간의 사고 율이 큰 차이가 없는 것으로 나타났다. 기본구간 터널구간 영업소구간의 V/C가 각각 0.78, 0.75, 0.57일 때 사고율이 가장 낮은 것으로 나타났다.

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