The cause of flow mark defect is known as non-uniform temperature of mold surface when the flow front meets the cold cavity. The exact definition and classification of Flow mark is not clear because the mechanism of flow mark is not figured out till now. Any injection molding analysis software can not predict the flow mark phenomena. To solve weldline and flow mark defects, the gate thickness is reduced to increase the melt front velocity and the melt front velocity of the flow mark area is increased from 82.3mm/s to 104.7mm/s. In addition, the bulk temperature of the flow mark area is increased from $178.3^{\circ}C$to $215.2^{\circ}C$ by adding a cold slug well. The flow mark phenomena can be greatly reduced by increasing the flow front velocity and elevating the bulk temperature.
ZnO thin films were deposited on Al and Pt electrodes by an RF reactive sputtering system for the fabrication of FBAR (film bulk acoustic wave resonator), and the effect of thermal treatment temperature on their c-axis preferred orientation was investigated. SEM experiments show that columnar structure of ZnO thin films were grown with c-axis normal to electrode material, and XRD experiments show that both ZnO films were grown with (002) plane preferred orientation, but larger diffraction peak was observed with Pt electrode. The peak intensity increased with higher thermal treatment temperature, but c-axis preferred orientation was diminished. The surface roughness of Al thin film was higher than that of Pt, and these affect the surface roughness of ZnO film deposited on the electrode. Though the preferred orientation with respect to Pt(111) plane was improved with higher thermal treatment temperature, this could not improve the c-axis orientation of ZnO film.
The films were deposited at evaporator system and were annealed at heat treatment. The films had a dense microstructure with fine grains. The electrical properties of the films were dramatically controlled with annealing. Samples Preparation were analyzed in term of positive temperature coefficient of Resistivity Samples were made in the substrate tempera-true of $400^{\circ}C$ deposition time of 10 hours, and forward power of 210watt. R-T(resistivity-temperature) Characteristics of the samples were investigated as a function of the substrate type and the ambient temperature. The resistivity of the thin film specimens was compared with that of the bulk type specimens. By using RF/DC magnetron sputtering system, we obtained lower resistivity in the thermistor with thin $BaTiO_3$ film than that in the bulk type thermistor.
Journal of information and communication convergence engineering
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제2권3호
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pp.149-152
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2004
In this paper, we present the film bulk acoustic resonator (FBAR) devices fabricated by considering the effects of annealing temperature on zinc oxide (ZnO) film growth characteristics. In order to determine the annealing temperature and annealing time at which the ZnO film can have good material properties, the several resonators containing ZnO layers were fabricated and annealed at various temperatures from $27^{\circ}C\;to\;300^{\circ}C$ in Ar gas ambient. The effects of the annealing temperature and annealing time on the ZnO film properties were comprehensively studied in order to further improve the resonance characteristics of FBAR resonators.
In this study, the magnetocaloric effect and transition temperature of bulk metallic glass, an amorphous material, were predicted through machine learning based on the composition features. From the Python module 'Matminer', 174 compositional features were obtained, and prediction performance was compared while reducing the composition features to prevent overfitting. After optimization using RandomForest, an ensemble model, changes in prediction performance were analyzed according to the number of compositional features. The R2 score was used as a performance metric in the regression prediction, and the best prediction performance was found using only 90 features predicting transition temperature, and 20 features predicting magnetocaloric effects. The most important feature when predicting magnetocaloric effects was the 'Fe' compositional ratio. The feature importance method provided by 'scikit-learn' was applied to sort compositional features. The feature importance method was found to be appropriate by comparing the prediction performance of the Fe-contained dataset with the full dataset.
In this work, the effects of hydrogen reduction on the microstructure and thermoelectric properties of $(GeTe)_{0.85}(AgSbTe_2)_{0.15}$ (TAGS-85) were studied by a combination of gas atomization and spark plasma sintering. The crystal structure and microstructure of TAGS-85 were characterized by X-ray diffraction(XRD) and scanning electron microscopy (SEM). The oxygen content of both powders and bulk samples were found to decrease with increasing reduction temperature. The grain size gradually increased with increasing reduction temperature due to adhesion of fine grains in a temperature range of 350 to $450^{\circ}C$. The electrical resistivity was found to increase with reduction temperature due to a decrease in carrier concentration. The Seebeck coefficient decreased with increasing reduction temperature and was in good agreement with the carrier concentration and carrier mobility. The maximum power factor, $3.3{\times}10^{-3}W/mK^2$, was measured for the non-reduction bulk TAGS-85 at $450^{\circ}C$.
For the Reactor Coolant System(RCS) flow rate measurement by the secondary calorimetric heat balance method, the coolant temperature of the hot leg is needed. Several Resistance Temperature Detectors(RTD) are installed in the hot leg to measure the temperature, but the average value of RTDs does not correctly represent the energy-averaged(bulk) temperature because of the thermal stratification phenomenon. Therefore some correction is introduced to predict the bulk temperature, but the correction inevitably contains uncertainty because the stratification is not defined well quantitatively yet. Therefore a large uncertainty for the correction has been used for the conservative estimation. But unrealistically large uncertainty causes degradation of the measurement method and yields difficulty to meet the acceptance criterion in start-up flow measurement test. In this paper, an analytical estimation is made on the correction and the related uncertainty using the measured hot leg velocity profile of System 80 reactor flow model test and the measured temperatures of YGN 3&4 and PVNGS 1&2 start-up tests. The results reveal that the magnitude of the correction uncertainty is much smaller than that used in the previous design. Therefore, the confidence on the flow rate measurement method can be improved and the difficulty in start-up flow measurement test can be lessened if the smaller correction uncertainty obtained through this estimation is applied.
In this study, the dielectric ceramics with low loss were investigated for high frequency application. All sample of the $Ba_5M_4O_{15}$ (M=Ta, Nb) ceramics were prepared by the conventional mixed oxide method and sintered at $1325{\sim}1575^{\circ}C$. The bulk density and dielectric constant of the $Ba_5Ta_4O_{15}$ ceramics were increased continuously with increasing of sintering temperature. The quality factor was increased in the sintering temperature of $1375{\sim}1475^{\circ}C$ but decreased at the temperature above 1475$^{\circ}C$. In the case of $Ba_5Nb_4O_{15}$ ceramics, the bulk density, dielectric constant and quality factor were increased with sintering temperature but decreased above temperature of 1400$^{\circ}C$. The dielectric constant, quality factor and temperature coefficient of the resonant frequency (TCRF) of the $Ba_5Ta_4O_{15}$ and $Ba_5Nb_4O_{15}$ ceramics, sintered at 1475$^{\circ}C$ and 1400$^{\circ}C$, were 25.15, 53105 GHz, -3.06 ppm/$^{\circ}C$ and 39.55, 28052 GHz, 5.7 ppm/$^{\circ}C$, respectively.
BMNO dielectric materials with a pyrochlore structure have been chosen and they have quite high dielectric constants about 210 for the bulk material. In the case of thin films, 200-nm-thick BMNO films deposited at room temperature showed a low leakage current density of about $10^{-8}\;A/cm^2$ at 3 V and a dielectric constant of about 45 at 100 kHz. Because high dielectric constant BMNO thin films kept an amorphous phase at a high temperature above $900^{\circ}C$. High dielectric constant BMNO thin films grown at room temperature have many applications for flexible electronic devices. However, because the dielectric constant of the BMNO films deposited at room temperature is still low, percolative BMNO films (i.e., those were grown in a pure argon atmosphere) sandwiched between ultra-thin BMNO films grown in an oxygen and argon mixture have greater dielectric constants than standard BMNO films. However, they still showed a leakage problem at a high voltage application. Accordingly, a new nano-structure that uses BMNO was required to construct the films with a dielectric constant higher than that of its bulk material. The fundamental reason that the BMNO-Bi nano-composite films grown by RF-Sputtering deposition had a dielectric constant higher than that of the bulk material was addressed in the present study. Also we used the graphene as bottom electrode instead of the Cu bottom electrode. At first, we got the high leakage current density value relatively. but through this experiment, we could get improved leakage current density value.
본 연구에서는 플라스틱제와 유리제의 재질에 따른 박막형(coated type)과 벌크형(bulk type) 조광렌즈의 다양한 온도($6^{\circ}C$, $12^{\circ}C$, $28^{\circ}C$)에서 UVA광원에 대한 광변색성 및 color의 전이도를 측정하였다. 박막형 조광렌즈(Tbr, TMs)는 온도에 상관없이 벌크형 렌즈보다 더 높은 포화치(saturated value)를 보였으며, 유리계 조광렌즈의 경우에는 smoke색상의 렌즈가 brwon색상보다 더 빠른 darkening속도를 보였다. 또한 transmittance와 color가 ANSI Z80.3 규정에의 부합 여부에서는 온도에 상관없이 교통 신호등 항목을 pass하였으며, 박막형 조광렌즈를 제외한 플라스틱제 렌즈와 유리제 조광렌즈는 포화치가 cosmetic용으로 구분되었고, 박막형인 Tbr과 TMs는 $6^{\circ}C$와 $12^{\circ}C$의 포화치는 general용이었지만, $28^{\circ}C$에서는 cosmetic용이었다. darkening은 온도가 낮아짐에 따라 효과적이었지만, 반면에 fading은 온도가 높아지면서 효과적이었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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