• 제목/요약/키워드: Buffer(Memory)

검색결과 369건 처리시간 0.026초

리눅스 넷필터 기반의 인터넷 웜 탐지에서 버퍼를 이용하지 않는 빠른 스트링 매칭 방법 (A Fast String Matching Scheme without using Buffer for Linux Netfilter based Internet Worm Detection)

  • 곽후근;정규식
    • 정보처리학회논문지C
    • /
    • 제13C권7호
    • /
    • pp.821-830
    • /
    • 2006
  • 전 세계적으로 큰 피해를 주는 웜을 탐지하고 필터링 하는 것은 인터넷 보안에서 큰 이슈중의 하나이다. 웜을 탐지하는 하나의 방법으로서 리눅스 넷필터 커널 모듈이 사용된다. 웜을 탐지하는 기본 동작으로서 스트링 매칭은 네트웍 상으로 들어오는 패킷을 미리 정의된 웜 시그니쳐(Signature, 패턴)와 비교하는 것이다. 웜은 하나의 패킷 혹은 2개(혹은 그 이상의) 연속된 패킷에 나타난다. 이때, 웜의 일부분은 첫 번째 패킷에 있고 나머지 부분은 연속된 패킷 안에 있다. 웜 패턴의 최대 길이가 1024 바이트를 넘지 않는다고 가정하면, 2048 바이트의 길이를 가지는 2개의 연속된 패킷에 대해서 스트링 매칭을 수행해야만 한다. 이렇게 하기 위해, 리눅스 넷필터는 버퍼에 이전 패킷을 저장하고 버퍼링된 패킷과 현재의 패킷을 조합한 2048 바이트 크기의 스트링에 대해 매칭을 수행한다. 웜 탐지 시스템에서 다루어야 하는 동시 연결 개수의 수가 늘어날수록 버퍼(메모리)의 총 크기가 증가하고 스트링 매칭 속도가 감소하게 된다. 이에 본 논문에서는 메모리 버퍼 크기를 줄이고 스트링 매칭의 속도를 증가시키는 버퍼를 이용하지 않는 스트링 매칭 방식을 제안한다. 제안된 방식은 이전 패킷과 시그니쳐(Signature)의 부분 매칭 결과만을 저장하고 이전 패킷을 버퍼링하지 않는다. 부분 매칭 정보는 연속된 패킷에서 웜을 탐지하는데 사용된다. 제안된 방식은 리눅스 넷필터 모듈을 수정하여 구현하였고, 기존 리눅스 넷필터 모듈과 비교하였다. 실험 결과는 기존 방식에 비해 25%의 적은 메모리 사용량 및 54%의 속도 향상을 가짐을 확인하였다.

준 공유 출력 버퍼형 스위치 구조 (Quasi-Shared Output Buffered Switch)

  • 남승엽;성단근;안윤영
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
    • /
    • 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(1)
    • /
    • pp.283-286
    • /
    • 2000
  • One major drawback of conventional output buffered switches is that the speed of writing cells into output buffer should be N times faster than input link speed. This paper proposes a new output buffer switch that divides one output buffer into several buffers and virtually shares the divided buffers by using a distributor. The proposed switch makes it possible to reduce the memory speed. The proposed switch is evaluated in terms of the average cell latency compared with the input buffered switches which use the arbitration alogorithms, i.e., iSLIP or wrapped wave front arbiter(WWFA).

  • PDF

고해상도 영상의 효과적인 처리를 위한 블록 버퍼 기반의 저 복잡도 무손실 프레임 메모리 압축 방법 (Lossless Frame Memory Compression with Low Complexity based on Block-Buffer Structure for Efficient High Resolution Video Processing)

  • 김종호
    • 한국산학기술학회논문지
    • /
    • 제17권11호
    • /
    • pp.20-25
    • /
    • 2016
  • 본 논문에서는 고해상도 영상의 효과적인 처리를 위한 블록 버퍼 기반의 저 복잡도 무손실 프레임 메모리 (frame memory) 압축 방법을 제안한다. 제안하는 압축 방법은 공간적 상관도를 제거하기 위하여 블록단위 MHT (modified Hadamard transform)를 사용하고, 엔트로피 부호화를 위하여 AGR (adaptive Golomb-Rice) 부호화 기법을 적용하여 저 복잡도 무손실 압축 및 효과적인 하드웨어 구현을 달성한다. MHT는 가산기와 1비트 오른쪽 시프트(1-bit right shift) 연산만으로 구성되어 있고, AGR은 별도의 메모리 공간 및 메모리 접근 동작(memory access operation)을 포함하지 않아 저 복잡도 구현이 용이하다. 기존의 저 복잡도 무손실 압축 방법과 비교하여 제안한 알고리즘은 압축률 측면에서 우수한 성능을 나타내고, 기존 코덱(codec)의 구조를 크게 수정하지 않으면서 화질의 열화없이 하드웨어 장치에 적용될 수 있음을 다양한 영상에 대한 실험 및 복잡도 분석을 통해 보인다. 또한 제안한 방법은 메모리 접근 동작을 필요로 하지 않아 하드웨어 구현을 위한 비용을 최소화 할 수 있어, Fill HD급 이상의 고해상도 영상을 효과적으로 처리하는데 유용하다.

$ZrO_2$$CeO_2$ 절연체를 이용한 BLT/절연체/Si 구조의 특성 (Characterization of BLT/insulator/Si structure using $ZrO_2$ and $CeO_2$ insulator)

  • 이정미;김경태;김창일
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체 세라믹
    • /
    • pp.186-189
    • /
    • 2003
  • The MFIS capacitors were fabricated using a metalorganic decomposition method. Thin layers of $ZrO_2$ and $CeO_2$ were deposited as a buffer layer on Si substrate and BLT thin films were used as a ferroelectric layer. The electrical and structural properties of the MFIS structure were investigated. X -ray diffraction was used to determine the phase of the BLT thin films and the quality of the $ZrO_2$ and $CeO_2$ layer. AES show no interdiffusion and the formation of amorphous $SiO_2$ layer is suppressed by using the $ZrO_2$ and $CeO_2$ film as buffer layer between the BLT film and Si substrate. The width of the memory window in the C-V curves for the $BLT/ZrO_2/Si$ and $BLT/CeO_2/Si$ structure is 2.94 V and 1.3V, respectively. The experimental results show that the BLT-based MFIS structure is suitable for non-volatile memory FETs with large memory window.

  • PDF

효율적 플래시 메모리 관리를 위한 워크로드 기반의 적응적 로그 블록 할당 기법 (Workload-Driven Adaptive Log Block Allocation for Efficient Flash Memory Management)

  • 구덕회;신동군
    • 한국정보과학회논문지:시스템및이론
    • /
    • 제37권2호
    • /
    • pp.90-102
    • /
    • 2010
  • 플래시 메모리는 저전력, 비휘발성, 충격 내구성의 특성 때문에 임베디드 시스템에서 가장 중요한 저장 장치로 사용되고 있다. 하지만, 플래시 메모리는 덮어쓰기가 안 되는 제약 때문에 FTL이라고 하는 주소 변환을 위한 소프트웨어를 사용하며, 효율적인 주소변환을 위해서 로그 버퍼 기반의 FTL이 많이 사용되고 있다. 로그 버퍼 기반 FTL의 설계시에 중요한 사항으로서 데이터 블록과 로그 블록의 연관구조를 결정하는 문제가 있다. 기존의 기법들은 설계시에 결정된 정적인 구조를 사용하지만, 본 논문에서 는 어플리케이션의 시간적 공간적 워크로드의 변화를 고려한 적응적 로그 블록 연관 구조를 제안한다. 제안하는 FTL은 실행시간에 어플리케이션의 워크로드의 변화에 최적화된 로그 블록 연관 구조를 사용함으로써 정적으로 최적의 연관 구조를 선택하는 기존의 기법 대비 5~16%의 성능 향상을 가져왔다.

WWCLOCK: 플래시 메모리의 비대칭적 입출력 비용을 고려한 페이지 교체 알고리즘 (WWCLOCK: Page Replacement Algorithm Considering Asymmetric I/O Cost of Flash Memory)

  • 박준석;이은지;서현민;고건
    • 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
    • /
    • 제15권12호
    • /
    • pp.913-917
    • /
    • 2009
  • 낸드 플래시 메모리는 하드디스크와 달리 읽기 입출력과 쓰기 입출력이 소모하는 시간 및 전력량이 다르며 그 비율은 SLC, MLC, SSD 등 다양한 형태에 따라 상이하다. 특히 최근에는 내장 메모리 장치와 함께 외장 메모리 카드 또는 USB 메모리를 동시에 사용하는 경우도 증가하고 있어서, 버퍼 캐시 교체 알고리즘을 설계하는 데 있어서 페이지의 재참조 확률뿐 만 아니라 접근 장치와 참조 종류에 따른 입출력 비용을 함께 고려해야 한다. 본 논문은 페이지의 참조 빈도(frequency), 최근성(recency) 정보와 함께 인기와 쓰기의 입출력 비용을 직접적으로 고려하는 WWCLOCK (Write-Weighted CLOCK) 알고리즘을 제안한다. WWCLOCK은 입출력 비용이 다른 다양한 2차 저장 장치에 대해 적용 가능하며, CLOCK에 가까운 낮은 시간 및 공간 복잡도를 갖고 있다. 트레이스 기반 시뮬레이션을 통해 제안된 알고리즘이 LRU 알고리즘에 비해 전체 입출력 실행 시간을 평균 36.2% 감소시킴을 보인다.

PbO 완충층을 이용한 Pt/Pb1.1Zr0.53Ti0.47O3/PbO/Si (MFIS)의 미세구조와 전기적 특성 (Microstructure and Electrical Properties of the Pt/Pb1.1Zr0.53Ti0.47O3/PbO/Si (MFIS) Using the PbO Buffer Layer)

  • 박철호;송경환;손영국
    • 한국세라믹학회지
    • /
    • 제42권2호
    • /
    • pp.104-109
    • /
    • 2005
  • PbO 완충층의 역할을 확인하기 위해, r.f. magnetron sputtering법을 이용하여 p-type (100) Si 기판 위에 $Pt/Pb_{1.1}Zr_{0.53}Ti_{0.47}O_{3}$와 PbO target으로 Pt/PZT/PbO/Si의 MFIS 구조를 제조하였다. MFIS 구조에 완충층으로 PbO를 삽입함으로써 PZT 박막의 결정성이 크게 향상되었고, 박막의 공정온도도 상당히 낮출 수 있었다. 그리고 XPS depth profile 분석 결과, PbO 증착시 기판온도가 PbO와 Si의 계면에서 Pb의 확산에 미치는 영향을 확인하였다. PbO 완충층을 삽입한 MFIS는 높은 메모리 윈도우와 낮은 누설전류 밀도를 가지는 추수한 전기적 특성을 나타내었다. 특히, 기판온도 $300^{\circ}C$에서 증착된 PbO를 삽입한 Pt/PZT(200nm, $400^{\circ}C)PbO(80nm)/Si$는 9V의 인가전압에서 2.OV의 가장 높은 메모리 윈도우 값을 나타내었다.

총계적 다중 방식을 이용한 ISDN D채널 다중화에 관한 연구 (A Study on the Multiplexing of ISDN D-channel using Statistical Multiplexer)

  • 구제길;김영철;이호준;조규섭;박병철;김병찬
    • 한국통신학회논문지
    • /
    • 제11권4호
    • /
    • pp.268-279
    • /
    • 1986
  • 最近, 미래의 情報化 社會에서 요구되는 새로운 서어비스 제공을 위한 綜合情報 通信網(integrated services digital network: ISDN)의 重要性이 강조되고 있다. 本 論文에서는 ISDN 加入者 返送裝置를 開發함에 있어, 加入者수용 能力을 제고시키기 위하여 11個의 D채널 多重化 裝置의 基本構造를 提示하였으며 이와함께 data traffic intensity, 信號의 到着 및 길이 分布, buffer overflow probability 등을 硏究하여 效率的으로 데이터를 多重化하기 위한 buffer memory size를 統計的으로 산출하였다.

  • PDF

$N_2$ 플라즈마를 이용한 TFT-FRAM용 $SiN_x$ 버퍼층의 특성 개선 (Improved SiNx buffer layer by Using the $N_2$ Plasma Treatment for TFT-FRAM applications)

  • 임동건;양계준;이준신
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
    • /
    • pp.360-363
    • /
    • 2003
  • In this paper, we investigated SiNx film as a buffer layer of TFT-FRAM. Buffer layers were prepared by two step process of a $N_2$ plasma treatment and subsequent $SiN_x$ deposition. By employing $N_2$ plasma treatment, interface traps such as mobile charges and injected charges were removed, hysteresis of current-voltage curve disappeared. After $N_2$ plasma treatment, a leakage current was decreased about 2 orders. From these results, it is possible to perform the plasma treating process to make a good quality buffer layer of MFIS-FET or capacitor as an application of non-volatile memory.

  • PDF