• 제목/요약/키워드: BiM

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EXI 기반의 효율적인 TV-Anytime 메타데이터 전송 기법 (An Efficient TV-Anytime Metadata Delivery Method Based on EXI)

  • 장범석;오봉진;백의현;하영국
    • 한국정보처리학회:학술대회논문집
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    • 한국정보처리학회 2010년도 추계학술발표대회
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    • pp.637-639
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    • 2010
  • 최근 IPTV 시스템에서 다양한 서비스 제공을 위해 IPTV 컨텐츠 메타데이터의 효과적인 전송과 처리에 관심이 모아지고 있다. 이를 위해 TV-Anytime forum 에서는 대용량 IPTV 메타데이터의 전송을 위해 필수적인 바이너리 인코딩 기법으로서 MPEG-7 에 포함된 인코딩 방식인 BiM 을 권장하고 있다. 이에 본 논문에서는 상용 기술로서 사용시 로열티가 부과되는 BiM 을 대신하여 XML 문서의 인코딩을 위한 W3C 의 개방형 표준인 EXI 를 기반으로 TV-Anytime 메타데이터 전송 시스템을 설계하고 BiM 기반의 시스템과 성능을 비교하였다.

SnBi 저온솔더의 플립칩 본딩을 이용한 스마트 의류용 칩 접속공정 (Chip Interconnection Process for Smart Fabrics Using Flip-chip Bonding of SnBi Solder)

  • 최정열;박동현;오태성
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제19권3호
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    • pp.71-76
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    • 2012
  • SnBi 저온솔더의 플립칩 공정을 이용한 스마트 의류용 칩 접속공정에 대해 연구하였다. 캐리어 필름에 형성한 Cu 리드프레임을 $130^{\circ}C$에서 직물에 열압착 시킴으로써 Cu 리드프레임이 전사된 직물 기판을 형성하였다. 칩 시편에 SnBi 페이스트를 도포하여 솔더범프를 형성한 후 직물 기판의 Cu 리드프레임에 배열하고 $180^{\circ}C$에서 60초 동안 유지시켜 플립칩 본딩하였다. SnBi 저온솔더를 사용하여 형성된 스마트 의류용 플립칩 접속부의 평균 접속저항은 $9m{\Omega}$이었다.

Dithiocarbamate 금속착물의 용매추출 및 분석적 응용(제 1 보). 해수중 흔적량 비스무트, 카드뮴, 인듐의 용매추출 및 정량 (Studies on Solvent Extraction and Analytical Applications of Metal-Dithiocarbamate Complexes(Ⅰ). Extraction and Determination of Trace Bismuth, Cadmium and Indium in Sea Water)

  • 전문교;최종문;최희선;김영상
    • 대한화학회지
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    • 제40권7호
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    • pp.492-500
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    • 1996
  • Ammonium pyrrolidine dithiocarbamate(APDC)를 착화제로 사용하여 해수중 흔적량 비스무트, 카드뮴, 인듐을 동시에 용매추출하여 정량하는 방법을 연구하였다. 최적조건을 찾기위하여, 시료용액의 pH, 착화제의 양, 흔들어주는 시간, 유기용매의 종류 등에 대하여 조사하였고 역추출효율도 검토하였다. 해수시료 200mL를 취하여, pH를 4.0으로 조정하고 1% APDC 5.0mL를 첨가하고, MIBK 10.0mL로 35분 동안 흔들어 추출한다. 그리고 0.05M 수산화나트륨용액 10mL로 유기층의 HPDC를 세척한다. 유기층을 150.mu.g/mL Pd(II)를 포함하는 4M 질산으로 5분동안 흔들어 분석원소를 역추출한다. 팔라윰이 포함된 4M질산은 역추출효율을 증가시키고 흡광도 측정에서 매트릭스를 개선하여 감도를 증가시켰다. 바탕 흡광도에 대한 표준편차의 3배에 해당하는 농도로서의 검출한계는 Bi(III) :0.038, Cd(II) : 0.0057, In(III) : 0.023 ng/mL이었다. 동해 시료2 가지를 취하여 본방법으로 정량한 결과 Bi(III), In(III)은 검출한계 이하였고, Cd(II)는 0.018과 0.016 ng/mL이었다. 해수시료에 일정량 원소를 가해서 구한 회수율은 모두 90% 이상으로 아칼리금속 매트릭스에서 흔적량 원소의 동시분석에 이 방법이 응용될수 있음을 알 수 있었다.

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Magnetoresistance of Bi Nanowires Grown by On-Film Formation of Nanowires for In-situ Self-assembled Interconnection

  • Ham, Jin-Hee;Kang, Joo-Hoon;Noh, Jin-Seo;Lee, Woo-Young
    • 한국자기학회:학술대회 개요집
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    • 한국자기학회 2010년도 임시총회 및 하계학술연구발표회
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    • pp.79-79
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    • 2010
  • Semimetallic bismuth (Bi) has been extensively investigated over the last decade since it exhibits very intriguing transport properties due to their highly anisotropic Fermi surface, low carrier concentration, long carrier mean free path l, and small effective carrier mass $m^*$. In particular, the great interest in Bi nanowires lies in the development of nanowire fabrication methods and the opportunity for exploring novel low-dimensional phenomena as well as practical application such as thermoelectricity[1]. In this work, we introduce a self-assembled interconnection of nanostructures produced by an on-film formation of nanowires (OFF-ON) method in order to form a highly ohmic Bi nanobridge. A Bi thin film was first deposited on a thermally oxidized Si (100) substrate at a rate of $40\;{\AA}/s$ by radio frequency (RF) sputtering at 300 K. The sputter system was kept in an ultra high vacuum (UHV) of $10^{-6}$ Torr before deposition, and sputtering was performed under an Ar gas pressure of 2m Torr for 180s. For the lateral growth of Bi nanowires, we sputtered a thin Cr (or $SiO_2$) layer on top of the Bi film. The Bi thin films were subsequently put into a custom-made vacuum furnace for thermal annealing to grow Bi nanowires by the OFF-ON method. After thermal annealing, the Bi nanowires cannot be pushed out from the topside of the Bi films due to the Cr (or $SiO_2$) layer. Instead, Bi nanowires grow laterally as a mean s of releasing the compressive stress. We fabricated a self-assembled Bi nanobridge (d=192 nm) device in-situ using OFF-ON through annealing at $250^{\circ}C$ for 10hours. From I-V measurements taken on the Bi nanobridge device, contacts to the nanobridge were found highly ohmic. The quality of the Bi nanobridge was also proved by the high MR of 123% obtained from transverse MR measurements. These results manifest the possibility of self-assembled nanowire interconnection between various nanostructures for a variety of applications and provide a simple device fabrication method to investigate transport properties on nanowires without complex patterning and etching processes.

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Bi의 선택적 흡착으로 유도된 Si(5 5 12) 표면의 재구조변화 (Reconstruction Change of Si(5 5 12) Induced by Selective Bi Adsorption)

  • 조상희;서재명
    • 한국진공학회지
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    • 제15권2호
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    • pp.152-161
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    • 2006
  • 일차원의 대칭성을 갖는 형판 위에서 Bi원자가 자발적으로 형성하는 나노 구조체의 원자 구조를 이해하기 위하여, 재구조 된 Si(5 5 12)을 Bi의 탈착 온도에 가까운 온도로 가열한 채 Bi를 흡착시키고 주사 터널링 현미경으로 그 원자 구조를 각 흡착 단계별로 규명하였다. 제일 먼저 Bi는 이 기판에 존재하는 여러 종류의 $[\bar{1}\;1\;0]$에 평행한 row들 중에서 기판과 결합력이 가장 약한 dimer row와 adatom row 만을 선택적으로 Bi-dimer row와 Bi-adatom row로 각각 치환한다. 이 과정에서 치환된 Bi는 Si과의 크기 차이로 인해 인접한 (337) subsection에 tensile stress를 인가하게 되고, 그 결과 (337) subsection 내의 tetramer row는 갈라져 dimer row와 adatom row로 변형되고, 이들 역시 Bi-dimer row와 Bi-adatom row로 각각 치환된다. 다음으로 이들 치환된 Bi-dimer row와 Bi-adatom row 위에 각각 Bi-dimer가 흡착하면 서로 마주보며 안정된 Bi-dimer pair를 이루며, 이 pair 역시 row를 이루고 둘째 층을 형성한다. 마지막으로 셋째 층의 Bi는 둘째 층의 마주보는 Bi-dimer pair 위에 흡착한 한 개의 Bi-dime이며 더 이상의 Bi는 쌓이지 않는다. 이와 같이 자발적으로 조립되는 Bi-dimer row의 형성 원인을 종합하면, 재구조 된 Si(5 5 12) 위에서 Bi의 선택적 반응, Bi와 Si의 크기 차이로 인한 표면 stress의 유발, Bi 원자 간의 안정된 결합형태 등을 들 수 있다.

Bi-2223 고온초전도 선의 상용화 공정 연구 (Study on commercialization process of Bi-B223 HTS tape)

  • 하동우;김상철;오상수;하홍수;이동훈;양주생;황선역
    • 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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    • 제6권1호
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    • pp.1-5
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    • 2004
  • Long length of Bi-2223/Ag superconducting wives were fabricated by stacking and drawing process with advanced heat-treatment schedules. Intermediate annealing was carried out to increase the homogeneity and uniformity of the superconducting filaments embedded in the silver matrix. Phase modification from tetragonal to orthorhombic Bi-2212 by pre heat treatment(PHT) was executed to improve the texture and phase transformation of Bi-2223. Drawing stress was measured to predict the sausaging and stress limit. Rolling Parameters such as thickness. width and winding tension were investigated to roll the tape with uniformity. 1 km length of Bi-2223/Ag superconducting wires were fabricated without any breakage. Critical current (Je) of 270 m length of superconducting tapes was measured over than $70 A/cm^2$ continuously after final sintering.

부분용융법을 이용한 Bi-2212 초전도 후막 제작 (Fabrication of Bi-2212 Superconducting thick Films by MPMG process)

  • 강형곤;임성훈;임성우;한병성
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.77-79
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    • 1999
  • Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O(Bi-2212) thick films were fabricated on Y211 substrate by screen printing method. The aim of the study was to fabricate superconducting thick films on Y211 substrate by MPMG process. For this study, patterned samples by screen printing method were heated with MPMG process. The thickness of Bi2212 on substrate was about 20 ${\mu}{\textrm}{m}$ and these samples showed many Bi- 2212 phases.

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Chevron형 bi-stable MEMS 구동기의 모델링 및 실험적 응답특성 분석 (Modeling and Experimental Response Characterization of the Chevron-type Bi-stable Micromachined Actuator)

  • 황일한;심유석;이종현
    • 한국정밀공학회지
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    • 제21권2호
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    • pp.203-209
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    • 2004
  • Compliant bi-stable mechanism allows two stable states within its operation range staying at one of the local minimum states of the potential energy. Energy storage characteristics of the bi-stable mechanism offer two distinct and repeatable stable states, which require no power input to maintain it at each stable state. This paper suggests an equivalent model of the chevron-type bi-stable microactuator using the equivalent spring stiffness in the rectilinear and the rotational directions. From this model the range of spring stiffness where the bi-stable mechanism can be operated is analyzed and compared with the results of the FEA (Finite Element Analysis) using ANSYS for the buckling analysis, both of which show a good agreement. Based on the analysis, a newly designed chevron-type bi-stable MEMS actuator using hinges is suggested for the latch-up operation. It is found that the experimental response characteristics of around 36V for the bi-stable actuation for the 60$mu extrm{m}$ stroke correspond very well to the results of the equivalent model analysis after the change in cross-sectional area by the fabrication process is taken into account. Together with the resonance frequency experiment where 1760Hz is measured, it is shown that the chevron-type bi-stable MEMS actuator using hinges is applicable to the optical switch as an actuator.

Sn-Ag-X계 무연솔더 접합부의 미세조직 및 전단강도에 관한 연구 (A Study on the Characteristics of Sn-Ag-X Solder Joint)

  • 김문일;문준권;정재필
    • Journal of Welding and Joining
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    • 제20권2호
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    • pp.77-81
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    • 2002
  • Many kinds of Pb-free solder have been investigated because of the environmental concerns. Sn-Ag-Cu system is well blown as most competitive Pb-free solder. However, since Sn-Ag-Cu system has relatively high melting point compared to Sn-Pb eutectic, it may a limitation, the some application. In this study, Bi and In contained solder of $Sn_3Ag_8Bi_5In$ which has relatively lower melting point, $188~204^{\circ}C$, was investigated. $Sn_3Ag_8Bi_5In$ solder ball of $500\mu\textrm{m}$ diameter was set on the Ni/Cu/Cr-UBM and reflow soldered in the range of $220~240^{\circ}C$ for 5~15s. The maximum shear strength of the solder ball was around 170mN by reflowing at $240^{\circ}C$ for 10s. Intermetallic compound formed on the UBM of Si-wafer was analysed by SEM(scanning electron microscope) and XRD(X-ray diffractometer).

In, Bi를 함유한 Sn-Ag계 무연솔더의 솔더링성 연구 (A Study on the Solderability of In and Bi Contained Sn-Ag Alloy)

  • 김문일;문준권;정재필
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제8권3호
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    • pp.43-47
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    • 2001
  • Sn-3Ag-8Bi-5In 솔더는 중온계 무연솔더의 하나로서 개발되었다. In함유 솔더는 고가이지만, 솔더의 융점은 Sn-Ag-Cu 합금계보다 낮다. 본 연구에서 사용된 Sn-3Ag-8Bi-5In 솔더의 용융범위는 188~$204^{\circ}C$ 사이이다. 본 연구에서는 Sn-3Ag-8Bi-5In 솔더의 무연솔더로서의 적용가능성을 조사하기 위하여 솔더의 젖음특성을 평가하였다. Sn-3Ag-8Bi-5In 솔더의 젖음성을 기존 솔더 및 다른 무연솔더와 비교하기 위하여 Sn-37Pb, Sn-3.5Ag 공정솔더의 젖음특성도 조사하였다. 실험결과 영점시간과 젖음시간은 Sn-3Ag-8Bi-5In솔더의 경우 $240^{\circ}C$에서 각각 1.1, 2.2 초로서 Sn-37Pb 및 Sn-3.5Ag 무연솔더에 비하여 비슷하거나 다소 우수하였다. 또한, Sn-3Ag-8Bi-5In의 평형젖음력은 $240^{\circ}C$에서 5.8 mN으로 Sn-37Pb 솔더보다 낮고 Sn-3.5Ag 솔더보다 높았다.

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