• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.344-345
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• 2012

The Gate-Induced-Drain-Leakage (GIDL) current with channel doping and width dependence are characterized. The GIDL currents are found to increase in MOSFETs with higher channel doping levels and the observed GIDL current is generated by the band-to-band-tunneling (BTBT) of electron through the reverse-biased channel-to-drain p-n junction. A BTBT model is used to fit the measured GIDL currents under different channel-doping levels. Good agreement is obtained between the modeled results and experimental data. The increase of the GIDL current at narrower widths in mainly caused by the stronger gate field at the edge of the shallow trench isolation (STI). As channel width decreases, a larger portion of the GIDL current is generated at the channel-isolation edge. Therefore, the stronger gate field at the channel-isolation edge causes the total unit-width GIDL current to increases for narrow-width devices.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권1호
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• pp.26-32
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• 1997

The gate induced drain leakage(GIDL) current under the stress of worse case in -MOSFET's with ultrathin gate oxides has been measured and characterized. The GIDL current was shown that P-MOSFET's of the thicker gate oxide is smaller than that of the thinner gate oxide. It was the results that the this cur-rent is decreased with the increamental stress time at the same devices.It is analyzed that the formation components of GIDL current are both energy band to band tunneling at high gate-drain voltage and energy band to defect tunneling at low drain-gate voltage. The degradations of GIDL current was analyzed the mechanism of major role in the hot carriers trapping in gate oxide by on-state stress.

• 한국지반공학회:학술대회논문집
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• 한국지반공학회 2000년도 토목섬유 특별세미나
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• pp.9-16
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• 2000

Applicability of the cross shaped drain in a soft clay ground is examined using the laboratory discharge capacity test, column consolidation test and 3-D numerical flow analysis. The equivalent diameter of the tested drains is back-calculated from the laboratory experiment and compared with those calculated from the formula suggested in the literature. The effective range of the cross shaped drain about the discharge capacity and coefficient of permeability is analyzed. The results of numerical analysis show that the cross shaped drain which has a cross-sectional area twice of the band shaped drain can reduce the consolidation time by 30% from that for the band shaped drain in a soft clay ground that K is over 1${\times}$10$\^$-7/cm/sec

• 한국지반공학회논문집
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• 제16권1호
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• pp.43-50
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• 2000

본 논문은 실내시험과 수치모델을 이용하여 십자형 배수재의 압밀촉진효과와 등가직경을 검토하고 판형배수재와 비교하였다. 배수재의 등가직경은 실내시험으로부터 역계산하여 문헌에 의해 제시된 공식으로부터 산정된 결과와 비교하였고, 압밀효과는 3차원 흐름해석프로그램인 MODFLOW를 사용하였다. 해석모델의 신뢰성은 현장의 침하-시간 계측자료를 이용하여 검토하였다. 실내시험결과 산정된 판형 배수재의 등가직경은 Rixner의 제안식에 유사한 경향을 보였고, 십자형 배수재의 등가직경은 $d_w\;=\; \\tarc{3}{4}.(b+t)$로 산정되었다. 실제현장을 모델링한 수치해석결과 십자형 배수재는 압밀시간이 9-10% 감소하였고, 현장자료를 이용한 수치 흐름모델로부터 산정한 등가직경은 실내시험보다 3.5배 작은 것으로 나타났다.

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권12호
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• pp.77-87
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• 1993

PMOSFETs were studied on the effect of Hot-Carrier induced drain leakage current (Gate-Induced-Drain-Leakage). The result turned out that change in Vgl(drain voltage where 1pA/$\mu$m of drain leadage current flows) was largest in the Channel-Hot-Hole(CHH) injection condition and next was in dynamic stress and was smallest in electron trapping (Igmax) condition under various stress conditions. It was analyzed that if electron trapping occurrs in the overlap region of gate and drain(G/D), it reduces GIDL current due to increment of flat-band voltage(Vfb) and if CHH is injected, interface states(Nit) were generated and it increases GIDL current due to band-to-defect-tunneling(BTDT). Especially, under dynamic stress it was confirmed that increase in GIDL current will be high when electron injection was small and CHH injection was large. Therefore as applying to real circuit, low drain voltage GIDL(BTDT) was enhaced as large as CHH Region under various operating voltage, and it will affect the reliablity of the circuit.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권6호
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• pp.390-397
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• 2001

GIDL(Gate-Induced Drain-Leakage)을 줄일 수 있는 새로운 구조의 ESD(Elevated Source Drain) MOSFET을 제안하고 분석하였다. 제안된 구조는 SDE(Source Drain Extension) 영역이 들려진 형태를 갖고 있어서 SDE 임플란트시 매우 낮은 에너지 이온주입으로 인한 저활성화(low-activation) 효과를 방지 할 수 있다. 제안된 구조는 건식 식각 및 LAT(Large-Angle-Tilted) 이온주입 방법을 사용하여 소오스/드레인 구조를 결정한다. 기존의 LDD MOSFET과의 비교 시뮬레이션 결과, 제안된 ESD MOSFET은 전류 구동능력은 가장 크면서 GIDL 및 DIBL(Drain Induced Barrier Lowering) 값은 효과적으로 감소시킬 수 있음을 확인하였다. GIDL 전류가 감소되는 원인으로는 최대 전계의 위치가 드레인 쪽으로 이동함에 따라 최대 밴드간 터널링이 일어나는 곳에서의 최대 전계값이 감소되기 때문이다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.59-64
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• 2016

본 논문에서는 10W급 GaN MMIC를 이용하여 Ku-band SSPA 모듈을 설계 및 제작하였다. 설계 및 제작한 SSPA 모듈의 분배/합성을 위해 Rogers(RO4003C)기판을 이용하여 Branch-line 구조를 이용하였다. SSPA 모듈 버짓상 Divider/Combiner는 삽입손실이 최대 -0.7dB 이하로 설계 및 제작하였다. 또한 GaN MMIC 구조 특성상 Gate Bias-Drain Bias로 인가되어야 하기 때문에 Gate-Drain 순차회로를 적용한 Bias 회로를 구현하였으며, RF Power Detect, Temperature Detect, HPA On/Off 기능등을 구현하였다. 설계 제작된 Ku-band SSPA는 최대 출력 15.6W, Gain 45.7dB, 효율 19.0%로 만족하는 측정 결과를 얻었다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제44권3호
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• pp.1-6
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• 2007

와이브로 및 무선랜 이중 대역 이중 모우드 송신기에서 전력부가효율을 증가시킬 수 있는 바이어스 스위칭 기술을 제시한다. 서로 다른 주파수 대역과 출력을 갖는 송신기에서 높은 효율을 얻을 수 있는 기법으로 바이어스 스위칭을 제안하고 드레인과 게이트 바이어스의 변화에 따른 영향을 각각 시뮬레이션 하였다. 바이어스 스위칭을 적용하지 않은 경우의 전력부가효율에 비해 시뮬레이션 된 최적의 고정 게이트 바이어스를 공급하고 드레인 바이어스 스위칭을 한 경우 매우 개선된 전력 효율 특성을 얻을 수 있었다 이러한 드레인 및 게이트 바이어스 스위칭 기술은 다양한 기능을 필요로 하는 다중 모우드 통신 시스템에 유용할 것이다.

• 한국지반공학회:학술대회논문집
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• 한국지반공학회 1999년도 연약지반처리위원회 학술세미나
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• pp.62-70
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• 1999

Artesian pressure exists in Yangsan site, the maximum value of which has been measured as high as 5 t/m$^2$. This paper deals with the prediction of consolidation settlement for the site with artesian pressure. The consolidation settlement at the site has been accelerated using vertical band drains. Since the artesian pressure gives lower effective stress than a static condition, its effect should be considered in the settlement prediction. This case study shows that the prediction of settlement and pore pressure dissipation agrees well with the measurements, when considering the artesian effect.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2016년도 춘계학술대회
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• pp.160-162
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• 2016

A compact model of tunnel field effect transistor (TFET) has been developed. The model includes a surface potentia calculation module and a band-to-band-tunneling current module. Model comparison with TCAD shows that the mode calculates TFET surface potential and drain current accurately.