• 전자공학회논문지D
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• 제35D권4호
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• pp.84-92
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• 1998

A program was developed to analyze the electrical characteristics and harmonic distrotion in a two-dimensional silicon BJT. The finite difference equations of the small signal and its second and thired harmonics for basic semiconductor equations are formulated treating the nonlinearity and time dependence with Volterra series and Taylor series. The soluations for three sets of simultaneous equations were obtained sequantially by a decoupled iteration method and each set was solved by a modified Stone's algorithm. Distortion magins and ac parameters such as input impedance and current gains are calculated with frequency and load resistance as parameters. The distortion margin vs. load resistancecurves show cancellation minima when the pahse of output voltage shifts. It is shown that the distortionof small signal characteristics can be reduced by reducing the base width, increasing the emitter stripe length and reducing the collector epitaxial layer doping concentration in the silicon BJT structure. The simulation program called TRADAP can be used for the design and optimization of transistors and circuits as well as for the calculation of small signal and distortion solutions.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(5)
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• pp.231-234
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• 2002

In this paper, we propose an efficient bias circuit for hearing aid using discrete BJT. The collector feedback bias circuit, widely used for the hearing aid, has a resister for negative feedback. As the resistor affects AC and DC simultaneously, it is quite difficult to adjust amplifier gain without changing DC bias point. The previous bias circuit also has weak point to be oscillated by the positive feedback of power noise if gain of hearing aid is high. In the proposed circuit, we can reduce the two weak points of the previous circuit by adding a resistor which is ${\beta}$ times larger than collector resistor between base of BJT and power supply.

• 대한전자공학회논문지
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• 제21권1호
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• pp.7-12
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• 1984

본 논문에서는 저잡음 BJT를 만들기 위하여 HCI gettering oxidation 방법을 적용하였다. HCI 양의 변화에 따른 플리키 잡음 spectral intensity의 변화를 측정한 결과 BJT의 플리키 잡음이 표면 상태에 의존하고 있음과 저잡음 BJT를 만들기 위한 oxidation 공정의 gettering 조건은 HCI 양이 2%일 때 최적임을 알 수 있었다. 또 에미터 광산 공정에서 형성된 PSG층의 gettering 효과는 HCI gettering 결과에 비해 미약함도 알게 되었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제27권3호
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• pp.167-171
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• 2014

This paper examines the destruction behavior of NPN BJT (bipolar junction transistor) by repetition pulse. The injected pulse has a rise time of 1 ns and the maximum peak voltage of 2 kV. Pulse was injected into the base of transistor. Transistor was destroyed, current flows even when the base power is turned off. Cause the destruction of the transistor is damaged by heat. Breakdown voltage of the transistor is 975 V at single pulse, and repetition pulse is 525~575 V. Pulse repetition rate increases, the DT (destruction threshold) is reduced. Pulse Repetition rate is high, level of transistor destruction is more serious.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.137-140
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• 2002

The algorithm for calculating the base-collector breakdown voltage of NPN BJT(Bipolar Junction Transistor) for integrated circuits is proposed. The method for calculating the electric field using the solution of Poisson's equation is presented and the method for calculating the breakdown voltage using the integration of ionization coefficients is presented. The base-collector breakdown voltage of NPN BJT using 20V process obtained from the proposed method shows an averaged relative error of 8.0% compared with the measured data.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.141-144
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• 2002

The method of the analysis of the base Gummel number of the PNP BJT(Bipolar Junction Transistor) for integrated circuits based upon the semiconductor physics is proposed and the method of calculating the doping profile of the base region using process conditions is presented. The transistor saturation current obtained from the proposed method of PNP BJT using 20V and 30V process shows an averaged relative error of 6.7% compared with the measured data.

• 한국전자파학회논문지
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• 제14권6호
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• pp.575-583
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• 2003

본 논문에서는 개방 단락 반사형 IQ 벡터 모듈레이터를 설계 제작하였다. 개방 단락 반사형은 구조의 특수성으로 인해 외부 회로의 첨가 없이 IQ 벡터 모듈레이터를 구현할 수 있다는 장점이 있다. 일반적으로 개방 및 단락의 반사구조로써 MESFET을 사용하여 구현되지만 이는 IQ 신호에 의해서 음 전압이 발생되어야 MESFET 를 동작시킬 수 있고, 이 때문에 IQ 신호에 대한 TTL 적용이 되어 동작케하기 위해서는 설계가 복잡해진다 반면 BJT특성의 구조적 변형으로 전자 이동도 특성이 향상된 HBT등의 소자가 등장하고 있고 높은 주파수에서도 문제없이 동작이 가능하도록 되었다. 이에 BJT 구조의 개방 단락 반사형 IQ 벡터 모듈레이터를 제안하고 제작하였으며, BJT 특성으로 인해 TTL 호환이 쉽다는 장점을 얻었다. 또한 AGC 기능을 갖도록 하기 위해 이득제어가 될 때 위상의 변화 없이 구현되도록 독립적으로 동작하는 가변 감쇠기를 적용하였다. 제작 결과 4사분면의 전체적으로 $\pm$ 1$^{\circ}$의 위상차와 $\pm$ 0.6 dB의 진폭 차를 가지고 동작하며, 20 dB 가변범위 전체적으로는 위상에 영향을 주지 않으며 이득을 가변시킬 수 있는 설계의 결과를 이루었다. 또한 온도 변화량에 대해서도 $\pm$ 6$^{\circ}$의 위상변화량과 $\pm$ 0.5 dB의 진폭 변화량만을 갖는 결과를 얻음으로써 온도 변화에 대한 특성도 만족함을 확인하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권5호
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• pp.15-21
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• 2004

본 논문에서는 저전력 스위치에 사용되는 소자의 포화전압 특성을 개선하기 위해 새로운 구조의 BJT를 제안하고 있다 기존에 사용되던 finger transistor(FT)의 경우 포화전압이 높아 저전력 소자의 특성을 만족하지 않아 multi base island transistor(MBIT)로 구조를 변경함으로써 저전류 영역에서의 포화전압은 충분히 낮아 저전력용 소자의 특성을 만족하지만, 이 역시 고전류 영역에서는 여전히 포화전압이 높아져 저전력용 소자의 특성을 만족하지 못하는 문제가 발생한다. 이에 본 논문에서는 folded back electrode를 이용한 새로운 구조의 BJT(FBET)를 제안하여 그 특성을 조사하였다. 새로운 구조의 트랜지스터를 적용함으로써 MBIT 구조에 비해 에미터 면적은 35 % 증가하고 접촉창의 면적이 92 % 증가하여, 저 전류 영역에서의 포화 전압은 30 % 감소하였고 고 전류 영역에서의 포화 전압은 에미터 면적 증가와 에미터 접촉 창 면적 증가에 의해 각각 30 %와 7 %씩 감소하여 전체적으로는 37 %가 감소하는 특성을 나타내었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제25권4호
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• pp.735-740
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• 2021

본 논문에서는 기존의 LTDDSCR의 구조를 개선하여 기생 NPN BJT의 낮은 전류이득으로 높은 홀딩전압을 갖는 새로운 ESD 보호 소자를 제안한다. 제안된 보호 소자는 Synopsys사의 TCAD simulation을 이용하여 HBM simulation으로 전기적 특성을 분석하였고 current flow와 impact ionization 및 recombination Simulation으로 추가된 BJT가 동작하는 것을 확인하였다. 또한, 설계변수 D1, D2로 홀딩전압 특성을 최적화하였다. Simulation 수행결과, 새로운 ESD 보호 소자는 기존의 LTDDSCR과 비교하여 높은 홀딩전압을 갖는 것이 검증되었고 대칭적인 양방향 특성을 갖는 것이 확인되었다. 따라서 제안된 ESD 보호 소자는 IC에 적용될시 높은 면적 효율성을 가지며 IC의 신뢰성을 향상시킬 것으로 기대된다.

• 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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• 제3권2호
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• pp.69-74
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• 1989

전력 전자 분야에서 대용량 트렌지스터의 채용은 여러 장점에도 불구하고 무시되어 왔다. 트랜지스터 제작 기술의 어려움으로 여러 개의 트랜지스터를 직, 병렬로 연결하는 방법에 대하여 기술하고 트랜지스터의 직렬 연결시의 문제점을 설명하여 그 해결책을 제시한다.