• 제목/요약/키워드: BCB

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실리콘 RF MEMS SPDT 스위치를 이용한 패키지 형태의 편파 스위칭 안테나 (Package-type polarization switching antenna using silicon RF MEMS SPDT switches)

  • 현익재;정진우;임성준;김종만;백창욱
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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    • pp.1511_1512
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    • 2009
  • This paper presents a polarization switching antenna integrated with silicon RF MEMS SPDT switches in the form of a package. A low-loss quartz substrate made of SoQ (silicon-on-quartz) bonding is used as a dielectric material of the patch antenna, as well as a packaging lid substrate of RF MEMS switches. The packaging/antenna substrate is bonded with the bottom substrate including feeding lines and RF MEMS switches by BCB adhesive bonding, and RF energy is transmitted from signal lines to antenna by slot coupling. Through this approach, fabrication complexity and degradation of RF performances of the antenna due to the parasitic effects, which are all caused from the packaging methods, can be reduced. This structure is expected to be used as a platform for reconfigurable antennas with RF MEMS tunable components. A linear polarization switching antenna operating at 19 GHz is manufactured based on the proposed method, and the fabrication process is carefully described. The s-parameters of the fabricated antenna at each state are measured to evaluate the antenna performance.

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고밀도 나노선을 이용한 태양전지 구현 및 특성 분석

  • 김명상;황정우;지택수;신재철
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.323-323
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    • 2014
  • 기존의 태양전지 기술은 기술 장벽이 매우 낮고 대량 생산을 통한 단가 절감하는 구조를 가지고 있어 대규모 자본을 가진 후발 기업에게 잠식되기 쉽다. 그러나, III-V족 화합물 반도체를 이용한 집광형 고효율 태양전지는 기술 장벽이 매우 높은 기술 집약 산업이므로 독자적인 기술을 확보하게 되면 독점적인 시장을 확보 할 수 있어 미래 고부가 가치 산업으로 적합하다. 특히 III-V족 화합물 반도체 태양전지는 III족 원소(In, Ga, Al)와 V족 원소(As, P)의 조합으로 0.3 eV~2.5 eV까지 밴드갭을 가지는 다양한 박막 제조가 가능하여 다양한 흡수 대역을 가지는 태양전지 제조가 가능하기 때문에 다중 접합 태양전지 제작이 가능하다. 또한 III-V 화합물 반도체는 고온 특성이 우수하여 온도 안정성 및 신뢰성이 우수하고, 또한 집광 시 효율이 상승하는 특성이 있어 고배율 집광형 태양광 발전 시스템에 가장 적합하다. Si 태양전지의 경우 100배 이하의 집광에서 사용하나, III-V 화합물 반도체 태양전지의 경우 500~1000배 정도의 고집광이 가능하다. 이러한 특성으로 III-V 화합물 반도체 태양전지 모듈 가격을 낮출 수 있고, 따라서 Si 태양전지 시스템과 비교하여 발전 단가 면에서 경쟁력을 확보할 수 있다. III-V 화합물 반도체는 다양한 밴드갭 에너지를 가지는 박막 제조가 용이하고, 직접천이(direct bandgap) 구조를 가지고 있어 실리콘에 비해 광 흡수율이 높다. 또한 터널정션(tunnel junction)을 이용하면 광학적 손실과 전기적 소실을 최소화 하면서 다양한 밴드갭을 가지는 태양전지를 직렬 연결이 가능하여 한 번의 박막 증착 공정으로 넓은 흡수대역을 가지며 효율이 높은 다중접합 태양전지 제작이 가능하다. 이에 걸맞게 본연구에서는 화학기상증착장치(MOCVD)를 이용하여 InAsP 나노선을 코어 쉘 구조로 성장하여 태양전지를 제작하였다. P-type Dopant로는 Disilane (Si2H6)을 전구체로 사용하였다. 또한 Benzocyclobutene (BCB) 폴리머를 이용하여 Dielectric을 형성하였고 Sputtering 방법으로 증착한 ZnO을 투명 전극으로 사용하여 나노선 끝부분과 실리콘 기판에 메탈 전극을 형성하였다. 이를 통해 제작한 태양전지는 솔라시뮬레이터로 측정했을때 최고 7%에 달하는 변환효율을 나타내었다.

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자성체 코어 형상에 따른 마이크로 플럭스게이트 센서의 검출 특성 (The Performance of Micro Fluxgate Sensor with Magnetic Core Shape)

  • 조중희;최원열
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제17권5호
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    • pp.508-514
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    • 2004
  • A fluxgate magnetic sensor consists of a solenoid excitation coil, pick-up coil, and magnetic core. We presents the effect of magnetic core shape in a micromachined fluxgate sensor. To observe the performance of fluxgate sensor with magnetic core side width and gap, side width of 125 ${\mu}{\textrm}{m}$, 250 ${\mu}{\textrm}{m}$, and 500 ${\mu}{\textrm}{m}$ were designed in a rectangular-ring shaped core and the gaps of 0 ${\mu}{\textrm}{m}$, 50 ${\mu}{\textrm}{m}$, and 100 ${\mu}{\textrm}{m}$ were also fabricated in a racetrack shaped core. The solenoid coils and magnetic core were separated by benzocyclobutane(BCB) which had high insulation and good planarization characters. Copper coil patterns of 10 ${\mu}{\textrm}{m}$ width and 6${\mu}{\textrm}{m}$ thickness were electroplated on Ti(300 $\AA$) / Cu(1500 $\AA$) seed layers. 3 ${\mu}{\textrm}{m}$ thick N $i_{0.8}$F $e_{0.2.}$(permalloy) film for the magnetic core was also electroplated under 2000 gauss to induce the magnetic anisotropy. The magnetic core had the high DC effective permeability of ∼1,300 and coercive field of ∼0.1 Oe. Because the magnetic cores of 500 ${\mu}{\textrm}{m}$ side width and 0 gap had a low magnetic flux leakage, high sensitivity of ∼350 V/T were measured at excitation condition of 3 $V_{P-P}$ and 2 MHz square wave. The power consumption of ∼14 ㎽ was measured. The fabricated fluxgate sensor had the very small actual size of 3.0${\times}$1.7 $\textrm{mm}^2$. When two fluxgates were perpendicularly aligned in terrestrial field, their two-axis output signals were very useful to commercialize an electronic azimuth compass for the portable navigation system.m.m.m.

급속응고 분말법으로 제조된 Mg97Zn1Y2 합금의 장주기 구조와 적층결함 (Long Period Structures and Stacking Faults in Rapidly Solidified Powder Metallurgy (RS P/M) Mg97Zn1Y2 Alloy)

  • 박은기;김우정;김택수;이갑호
    • 한국재료학회지
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    • 제19권8호
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    • pp.447-451
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    • 2009
  • The long-period stacking order (LPSO) structures and stacking faults (SFs) in rapidly solidified powder metallurgy (RS P/M) $Mg_{97}Zn_1Y_2$ alloy were investigated by high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) observations. The 18R-type LPSO structure with a stacking sequence of ACBCBCBACACACBABAB and a period of 4.86 nm was observed in the as-extruded RS P/M $Mg_{97}Zn_1Y_2$ alloy. After annealing at 773 K for 5 hr, the 18R-type LPSO structure was transformed to the 14H-type LPSO structure with a stacking sequence of ABABABACBCBCBC and a period of 3.64 nm. The 24R-type LPSO structure containing 24 atomic layers of ABABABABCACACACABCBCBCBC with period of 6.18 nm coexists with the 14H-type LPSO structure in the same grains. The LPSO structures contain intrinsic Type II SFs such as BCB/CABA and ABA/CBCB stacking sequences of a closely packed plane.

ESD 보호 소자를 탑재한 Peak Current-mode DC-DC Buck Converter (A Design of Peak Current-mode DC-DC Buck Converter with ESD Protection Devices)

  • 박준수;송보배;유대열;이주영;구용서
    • 전기전자학회논문지
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    • 제17권1호
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    • pp.77-82
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    • 2013
  • 본 논문에서는 인덕터의 흐르는 전류를 감지하여 출력 전압을 일정하게 유지시키는 Peak Current-mode 방식의 DC-DC Buck Converter를 제안하고, 소신호 모델링에 기초하여 Power Stage 설계 방법과 시스템의 안정도를 설계하는 방법을 제안한다. 또한, dc-dc 컨버터의 신뢰성과 성능을 향상시키기 위해 보호회로를 추가하였다. 그리고 정전기 방지를 위하여 ESD 보호회로를 제안하였다. 제안된 보호회로는 게이트-기판 바이어싱 기술을 이용하여 낮은 트리거 전압을 구현하였다. 시뮬레이션 결과는 일반적인 ggNMOS의 트리거 전압(8.2V) 에 비해 고안된 소자의 트리거 전압은 4.1V 으로 더 낮은 트리거 전압 특성을 나타냈다. 본 논문에서 제안하는 회로의 시뮬레이션은 0.35um BCB 공정 파라미터를 이용하였고, Mathworks 사의 Mathlab과 Synopsys 사의 HSPICE 프로그램을 사용하여 검증하였다.

죽력(Bambusae Caulis in Liquamen)이 고지방식이를 급여한 흰쥐의 체내 지질대사에 미치는 영향 (Effect of Bambusae Caulis in Liquamen on Lipid Metabolism in Rats Fed High Fat Diet)

  • 최현숙;하진옥;추명희;나명순;이명렬
    • 한국식품저장유통학회지
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    • 제11권3호
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    • pp.373-382
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    • 2004
  • 재래적인 방법으로 제조된 죽력의 생리활성 효능을 구명하기 위하여 in vitro에서 항산화활성 및 HMG-CoA reductase 저해활성과 in vivo에서 고콜레스테롤혈증 개선효능을 실험하여 다음과 같은 결과를 얻었다 1. In vitro에서, Rancimat로 측정한 항산화활성은 죽력 1.25희석액과 원액은 대조구보다 높았고, HMG-Co A reductase저해활성은 죽력 원액이 57.9$\%$이었고 1.25희석액은 36.0$\%$이 었다. 2. In vivo에서, 6주에서 죽력 투여로 체중증가율은 대조군에 비하여 유의성있게 둔화되었고, 식이효율은 감소되었으나 유의적인 차이는 아니었으며, 간장/체중 비율은 실험군간에 유의성있는 변화를 나타내지 않았다. 죽력 저용량투여군의 총콜레스테롤량은 대조군에 비하여유의적인 감소를 나타내지 않았으나 고용량투여로 대조군보다 약 17$\%$정도 감소되었고, 중성지질량은 죽력 투여로대조군에 비하여 각각 26$\%$, 39$\%$의 유의적인 감소를 나타내었는데, 특히 고용량 투여군은 정상군보다 낮았으며, 인지질량은죽력투여로 대조군에 비하여 증가는 되었으나 유의적인 차이는 아니 었다. LDL-콜레스테를 농도는 고콜레스테롤식이 급여로 정상군보다 약 41$\%$ 정도 증가되었으나 죽력투여로 대조군보다 각각 12$\%$, 20$\%$씩 유의한 감소를 나타내었는데, 특히 고용량 투여군은 정상군의 농도에 근접하였으며, 죽력 투여로 HDL-콜레스테롤농도는 대조군에 비하여 상승되었으나 유의적인 효과는 아니었고, 죽력투여로 저하된 HDL-콜레스테롤/총콜레스테롤비는 대조군보다 약 48$\%$가 높아졌으며 동맥경화지수는 약 26$\%$가 낮아졌으나 유의성있는 변화를 나타내지는않았다. 고콜레스테롤식이 급여로 증가된 유리콜레스테를 농도는 고용량투여로 26$\%$가 감소되어 유의성있는 변화를 나타냈으며, 고콜레스테롤식이 급여로 콜레스테릴 에스테르 농도는정상군에 비하여 약 96$\%$이상의 증가를 나타냈으나 죽력 고용량 투여로 대조군에 비하여 32$\%$정도 감소되었다. 고콜레스테롤식이 급여로 간 중 총콜레스테롤량은 정상군에 비하여 유의하게 증가되었고, 죽력 저용량 투여는 증가된 총 콜레스테롤량을 감소시키지 못했으나 고용량 투여로 대조군보다 유의성있게 저하시켰으며, 중성지방량에는 변화가 없었다. 고콜레스테롤식이 급여로 상승된 ALT활성은 죽력투여로대조군에 비하여 유의하게 저하되었으나 ALT 및 ALP활성은 차이는 보이지 않았다. 이상의 실험결과에서 죽력이 in vitro에서 높은 항산화활성과 HMG-Co A reductase 활성을 유의하게 저해시켰고, in vivo에서 고콜레스테롤식이를 급여한 군보다 총콜레스테롤,LDL-콜레스테를 및 중성지질농도 등은 감소시켰으며, HDL-콜레스테롤, 인지질 농도 등은 증가시킴으로써지방간 및 동맥경화의 예방과 치료에 효과적일 것으로 추정되었다.