연세대학교 천문대에서 1983~1987 기간에 Be 성 $\gamma$ Cas을 총 31일 밤 광전측광관측을 하여 312개의 UBV관측점을 얻었다. 우리가 얻은 자료 중에서 비교적 관측시간이 길었던 5일분의 자료로, V, B-V, U-B광도 곡선을 만들었고, $\gamma$Case 의 일반적인 측광학적 특성을, V/R번화와 최근 IUE 인공위성관측에서 나타난 high velocity narrow component(hvnc)의 시기와 관련시켜 검토하였다. 또한, $\epsilon$ Per는 $H\beta$선의 모양(line, profile)이 심하게 변하는 이색적인 B형 별인데, 우리는 1984년에 IUE인공위성에서 관측한 이 별의 스펙트럼 image data 6개조를 분석하여 $H\beta$선에서와 같은 흡수선의 모양 변화가 UV영역의 SiIVsk CIV선에서도 일어나고 있는지를 비교검토한 결과, 이 6개 자료에서는 어떤 변화도 발견하지 못했다.
X-선 혹은 감마선 등 종래의 방서선 치료는 양성자 혹은 이온에 의한 치료방법의 등장함에 따라 퇴조할 것으로 보인다. 그 이유는, 양성자 등 전하를 띄는 입자치료기술이 치료 후 후유증이나 암의 재발을 현저히 억제시킬 수 있기 때문이다. 전하를 띄는 입자는 암 조직 전후의 정상 조직에 최소한의 피폭을 주나, X-선이나 감마선과 같은 광자들은 암 조직 전후의 정상세포가 암세포로 변화될 수 있는 정도의 피폭량을 주는 것으로 알려져 있다. 현재 임상 중인 양성자(혹은 극히 일부의 탄소이온 치료기)치료기는 1990년 미국의 로마린다(Loma Linda) 대학에서 최초로 건립된 방식인 사이클로트론 혹은 싱클로트론 가속기와 빔라인 및 겐트리(gantry)로 구성된다. 그 장치의 거대함만큼이나 가격과 유지비 등에서 일반 소형병원에서 운영하기에는 쉽지 않아 보인다. 이에 본고에서는 소형병원에서도 운영할 수 있는 저비용의 레이저 양성자(이온) 가속방식의 등장 배경과 향후 전망을 논하고자 한다.
$Ni_{1+x}/Ti_{x}Fe_{2-2x}O_4$계 시료중 스피넬의 단일상만 존재하는 x값이 0~0.7인 시료에 대한 Mossbauer 스펙트럼을 측정 분석하였다. $0{\leqq}x{\leqq}0.3$인 시료에서는 두 site의 $Fe^{3+}$ 이온에 의한 두 개의 6선 흡수선이 나타났고, $0.4{\leqq}x{\leqq}0.6$인 시료에서는 두개의 6선 흡수선과 2선 흡수선이 공존하였으며, x=0.7인 시료는 2선 흡수선만 나타났다. x값의 증가에 따라 6선 흡수선의 A-site 공명 흡수 면적이 B-site에 비해 상대적으로 커지고, 2선 홀수선의 공명 흡수면적도 6선 흡수선에 비해 커지는 것을 알 수 있었다. Mossbauer parameter중 이성질체 이동치 (I.S.)는 A-site의 경우에는 x값의 증가에 따라 커지는 반면 B-site는 큰 영향을 주지 않았고, 사중극자 분열치 (Q.S.)의 변화는 볼 수 없었으며, 두 Site의 미세자기장 ($H_{hf}$)은 X값의 증가에 따라 모두 감소하였다. 이러한 실험 결과로부터 시료의 금속 양이온 분포식을 구하였고, X값의 증가는 A-Site의 $Fe^{3+}-O^{2-}$ 결합의 공유 결합성을 약화시키는 반면 B-Site의 $Fe^{3+}O^{2-}$ 결합에는 큰 영향을 주지 않으며, 또한 X값의 증가에 따라 $Fe^{3+}\;_A-O^{2-}\;-Fe^{3+}\;_B$ 결합의 수가 감소하여 A-B 초교환 상호 작용이 약화되는 것을 알 수 있었다.
암혹성운 B5 영역의 중심 부분을 분자흡수선 BSCO의 6cm와 방출선인 2mmE 관측하였다. 관측은 독일의 Bonn에 있는 전파망원경과 미국의 Arizona주의 Kit Peak에 있는 전파망원정을 사용하였다. 본 관측 결과에서 얻어진 antenna temperature (Ta)의 분포를 mappin 하였다. 이 두 종류의 판측을 상호 비교한 결과 최대 황도의 위치가 서로일치하지 않음을 확인하였다. 6cm의 관측결과는 star count 방법에 의하여 결정된 extionction map에 나타나는 중심지역과 거의 일치하나, 2mm 관측은 B5 내에 있는 적외선광인 IRS 1의 위치와 일치하였다. 본 연구에서는 다른 분자선 관측 결과와 비교하므로써 H2CO의 관측 결과를 분석하였다.
본 논문에서는 실리콘 기판상의 전송선로 특성을 개선하기 위하여 표면 마이크로머시닝 기술과 새로운 산화법(H₂O/O₂ 분위기에서 500℃, 1시간 열산화와 1050℃, 2 분간 RTO(Rapid Thermal Oxidation) 공정)을 이용하여 10 ㎛ 두께의 다공질 실리콘 산화막(oxidized porous silicon:OPS) air-bridge 기판 위에 공면 전송선로(Coplanar Waveguide:CPW)를 제작하였다. 간격이 40 ㎛ 신호선이 20 ㎛ 전송선 길이가 2.2 mm인 CPW air-bridge 전송선의 삽입손실은 4 GH에서 -0.28 dB이며, 반사손실은 -22.3 유를 나타내었다. OPS air-bridge 위에 형성된 CPW의 손실이 OPS층 위에 형성된 CPW의 삽입손실보다 약 1 dB 정도 적은 것을 보여주었으며, 반사손실은 35 GHz 범위에서 약 -20 dB를 넘지 않고 있다. 이와 같은 결과로부터 두꺼운 다공질 실리콘 멤브레인 및 air-bridge 구조는 고 저항 실리콘 집적회로 공정에서 고성능, 저가의 마이크로파 및 밀리미터파 회로 응용에 충분히 활용 될 수 있으리라 기대된다.
본 연구에서는 3차원 회전체 구조물을 제조하기 위해 회전노광장치를 설계하여 제작하고 마이크로렌즈 제작용 X-선 마스크와 PMMA 기판을 정밀하게 회전시켜 노광함으로써 3차원의 마이크로렌즈를 제작하였다. 제작된 마이크로렌즈의 크기는 직경이 $50{\sim}700{\mu}m$이었고, 또한 이러한 방법으로 원통형 렌즈, 계란형 렌즈 등을 제작함으로써 X-선 사진식각공정으로 정밀도가 높은 다양한 3차원의 회전체 구조물을 제조하는 방법을 제시하였다.
비유전율 ${\epsilon}_{r}$=36인 유전체를 이용한 무선 LAN용 개구 결합 마이크로스트립 원통형 유전체 공진 안테나(DRA)를 설계하고 제작하였다. 우선 급전 소자는 마이크로스트립 전송선로 이론을 이용하여 급전 선로 길이, 선로 폭, 슬롯 길이, 슬롯 폿과 스터브 길이을 계산하였다. 방사 소자는 원통형 유전체 cavity 이론을 이용하여 설계하였다. 제작된 원통형 DRA의 공진주파수는 2.449 GHz이고 VSWR, 반사 손실과 대역폭은 각각 1.009, -47dB 와 70MHz이다. 방사 패턴의 전후방비는 13dB이고 E면과 H 면의 3dB 빔폭은 각각 1$10^{\circ}$과 90$^{\circ}$이다.
수정의 영형광 glow curve 상,"before glow"의 생성원인중의 하나가 밀폐된 제한 공간내의 산란 감마선의 기여임을 확인하기 위하여 산란선대 일차선의 기여비(S/P)를 측정하였다. 이 S/P와 "before glow"의 유효높이 ($h_{b}$)와의 상관 관계를 고찰하였는바 상관계수+0.9라는 비교적 밀접한 일차 관계가 있음을 알았으며 이는 에너지가 감소된 산란 선에 의하여 여기되었던 전자가 본래 일차선으로 여기되었던 전자보다 얕은 trap에 걸려 있었음을 입증하는 것으로 보인다. 한편 $h_{b}$와 glow curve의 전면적 (At)의 비 및 "before glow"의 유효면적(Ab)과 At 와의 비가 S/P와 어떤 관계에 있는가도 조사하였는데 이들의 관계는 단순하지 않으며 다만 S/P 값이 0.035 보다 큰 영역에서는 간단한 대수함수로 표현되었다. 끝으로 자연수정을 TLD로 사용할 경우 그 재사용을 위한 선량한계를 살펴본 결과 그것은 $10^{5}$ R 정도임을 알아내었다.
전력선 통신은 새로운 통신전용 선로나 별도의 추가 시설 없이, 기존의 전력 공급용 전력선로를 통신선로로 병용할 수 있다는 장점을 갖고 있다. 하지만 이러한 전력선 통신은 다양한 부하의 운전과 빈번한 부하의 기동 정지로 인하여 잡음이 발생하며 이에 본 연구에서는 전력선 채널의 협대역 잡음에 대처하는 변조방식을 제시함과 동시에 최근 들어 고용량 데이터 전송이 빈번한 홈 네트워크분야에 응용될 수 있는 고속 전력선 통신 기법을 제안하고자 한다. 본 논문에서 제안한 전력선 통신의 변조기법은 현재 무선 LAN에서 보편화된 변조방식으로 적용되고 있는 IEEE 802.11b의 CCK(Complementary Code Keying) 변조 방식이다. 채널 모델링은 댁내 전력선망을 기준으로 $10kHz{\sim}30MHz$ 대역에서의 전력선로 및 가정용 부하 특성에 기초한 모델링을 하였고 전력 계통 과도해석 소프트웨어인 PSCAD로 채널 모델을 구성하여 홈네트워크 환경에서의 전력선 통신의 신호 특성을 분석하였다.
본 논문에서는 Ka 대역에서 동작하는 송수신기에 쉽게 집적화 할 수 있는 프로브 구조를 이용한 도파관-마이크로스트립 트랜지션을 설계 및 제작하였다. 도파관-마이크로스트립 트랜지션은 프로브, 인덕턴스 선로, ${\lambda}/4$ 임피던스 변환기, 그리고 $50{\Omega}$ 마이크로스트립 선로로 구성되어있으며, 각 구성 요소들의 특성 임피던스 및 길이를 시뮬레이션을 통해 최적화하였다. 제작된 트랜지션의 측정결과, $30{\sim}40GHz$ 대역 내에서 평균 1.3 dB의 삽입손실 특성, 14 dB이하의 입출력 반사 손실특성을 나타내었다. 마이크로스트립 선로 및 입출력 도파관의 손실을 고려하여 하나의 변환 구조 당 삽입 손실은 $0.5{\sim}0.6dB$ 정도이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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