• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권11호
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• pp.954-958
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• 2000

The characterization of zinc diffusion processes applied for high-speed avalanche photodiodes has been examined. The different diffusion process conditions for InP test structures were explored. The zinc diffusion profiles, such as the diffusion depth and the zinc dopant concentration, were examined using secondary ion mass spectrometry with varying the process variables and material parameters. It is observed that the diffusion profiles are severly impacted on the process parameters, such as the amount of Zn$_3$P$_2$ source and the diffusion time, as well as material parameters, such as doping concentration of diffusion layer. These results can be utilized for the high-speed avalanche photodiode fabrication.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.731-734
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• 2000

The characterization of Zinc diffusion processes applied fur high-speed avalanche photodiodes has been examined. The different diffusion process conditions for InP test structures were explored. The Zinc diffusion profiles, such as the diffusion depth and the Zinc dopant concentration, were examined using secondary ion mass spectrometry with varying the process variables and material parameters. It is observed that the diffusion profiles are severely impacted on the process parameters, such as the amount of Zn$_3$P$_2$source and the diffusion time, as well as material parameters, such as doping concentration of diffusion layer. These results can be utilized for the high-speed avalanche photodiode fabrication.

• ETRI Journal
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• 제43권5호
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• pp.916-922
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• 2021

We calculated the correlation between the doping concentration of the charge layer and the multiplication layer for separate absorption, grading, charge, and multiplication InGaAs/InAlAs avalanche photodiodes (APDs). For this purpose, a predictable program was developed according to the concentration and thickness of the charge layer and the multiplication layer. We also optimized the design, fabrication, and characteristics of an APD for 20 Gbps application. The punch-through voltage and breakdown voltage of the fabricated device were 10 V and 33 V, respectively, and it was confirmed that these almost matched the designed values. The 3-dB bandwidth of the APD was 10.4 GHz, and the bit rate was approximately 20.8 Gbps.

• 한국정보보호학회:학술대회논문집
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• 한국정보보호학회 1997년도 종합학술발표회논문집
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• pp.196-202
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• 1997

[6]에서 Zhang과 Zheng은 부울함수의 암호학적인 전역상관계수의 특성을 계산하기 위해서 GAC(Global Avalanche Characteristic)이라는 새로운 개념을 제시하였다. 그들은 GAC의 값들에 대한 측적을 위해서 2개의 단위를 제시했고 2개의 단위의 상한과 하한에 대해서 계산했다. 그러나 그들은 균등함수의 GAC의 하한은 향후의 연구과제로 남겨놓았다. 본 논문에서는 균등함수의 GAC의 하한에 대해서 계산했고, 연접의 방법에 의한 좋은 GAC 의 특성을 가지는 함수의 생성방법을 제시하였다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2004년도 제15회 정기총회 및 동계학술발표회
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• pp.288-289
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• 2004

The performance of the InGaAs/InP avalanche photodidodes operated in Geiger-mode was investigated for 1550nm wavelengths at room temperature. We find the optimal operating points where the high quantum detection efficiency and low dark current are achieved. For the optical pulse detection, the gated-mode is used to reduce the dark current.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2001년도 제12회 정기총회 및 01년도 동계학술발표회
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• pp.160-161
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• 2001

APD(avalanche photo diode)는 수광된 빛에 의해 생성된 캐리어를 강한 역바이어스 전압(40 ～ 400V)으로 가속시켜 avalanche 증배를 일으켜 큰 current를 얻을 수 있도록 제작된 소자이다. APD는 P-N 포토 다이오드에 비하여 수십～수백배의 높은 반응도(responsivity)를 얻을 수 있으며 응답 시간이 매우 짧다는 장점이 있는 반면 불규칙한 전류에 의해 만들어지는 내부 잡음 레벨이 높으며 온도에 민감하다는 단점을 갖고 있다. (중략)

• 전자통신동향분석
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• 제8권1호
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• pp.92-110
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• 1993

광통신의 전송용량을 증가시키는 방법의 한가지로 전송속도의 증대에 관한 연구개발이 국내외에서 진행되어 왔다. 전송속도가 증가하여 Gb/s 급 이상이 되면 수신단 전치증폭기의 잡음이 급격히 증가하게 되어 수신감도가 떨어지게 되는데 이는 곧 중계기의 간격 감소로 인한 경제성의 저하를 의미한다. 이러한 수신단의 수신감도 저하를 극복하는 방법의 하나로 내부 이득을 갖는 APD(Avalanche Photodiode)를 수광소자로 사용하고자 하는 연구가 진행되어 왔다. 본 고에서는 InGaAs를 흡수층으로 하는 광통신용 APD의 구조, 동작특성 및 최근 연구동향을 소개하고자 한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.232.2-232.2
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• 2013

본 연구에서는 asymmetric과 symmetric MOSFET 소자의 drain breakdown 및 snapback 특성을 분석하였다. 실험에서는 두 MOSFET 소자의 동작 영역에서 게이트와 드레인에 각각 전압을 인가하였다. 드레인 전류-전압 곡선으로 부터 drain breakdown 전압과 snapback 전압을 추출하였다. 결과 avalanche breakdown 발생 전의 드레인 전류는 asymmetric 구조의 경우 더 작은 값을 보였으며 이는 asymmetric 구조에서의 drain field 가 더 낮기 때문이다. 따라서 impact ionization은 asymmetric 구조에서 덜 발생하며, snapback 전압은 avalanche breakdown voltage가 작은 asymmetric 구조에서 크게 나타났다.

• 한국진공학회지
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• 제16권6호
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• pp.414-423
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• 2007

FED(Field Emission Display)는 특히 소형, 고품질 평면화면분야에서 종래의 기술들과 뚜렷이 구별되는 이점을 가지고 있다. FED를 실리콘 웨이퍼에 System-on-Chip(SoC)화하는 가능성을 검토하기 위해, 우리는 p-n 접합을 평면 디스플레이의 전자선원(electron beam source)으로 사용할 수 있는지를 실험하였다. Cantilever(외팔보)형 게이트로부터의 전계로 반전층을 형성하여 p-n 접합을 형성하는 새로운 구조를 제조하였다. 약 1 ${\mu}m$ 정도의 높이에 있는 cantilever형 게이트에 220V이상의 전압을 가했을 때 반전층(inversion layer)이 형성되었고, 애벌런치 항복이성공적으로 이루어졌다. 극히 얕은 p-n 접합에서 애벌런치 항복 시 관측되는 전자방출 효과와 그 특성이 비교되었고 실험결과와 향후 연구방향이 논의 되었다.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제9권8호
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• pp.91-98
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• 2009

본 논문은 암호화된 영상 데이터가 유비쿼터스 환경 하에서 무선 간섭에 의한 랜덤 오류를 가질 때 복호화 과정의 오류 산사태에 대한 해결책을 제시하였다. 영상 획득 장치는 영상 압축과 암호화 기능을 가지고서 데이터 트래픽 양을 줄이고 개인 정보를 보호하도록 구성한다. 블록 암호 알고리즘은 암호문의 단일 비트 오류가 여러 개의 픽셀 결함을 유발하는 산사태 효과를 겪을 수 있다. 새로운 고장 극복 방식은 오류의 산사태 효과를 다루는데 3 차원 데이터 셔플을 활용하여 에러 비트를 여러 프레임으로 분산시켜서 고립된 영상 결함으로 나타나도록 한다. 인접 화소 값에 대한 평균화 또는 다수결 회로는 에러정정을 위한 데이터 증가 없이 두드러져 보이는 화소 결함을 극복하도록 한다. 이 방식은 기존 Hamming code 방식보다 33% 적은 데이터 트래픽 부하를 가진다.