진원 금-은 광상은 경상북도 울진군 북면 사계리에 위치한다. 광상일대의 주변지질은 주로 선캠브리아기의 홍제사화 강암이 넓게 분포되며 이 홍제사화강암은 반상변정조직에 중립질이며 주로 석영, 장석류 및 운모류로 구성된다. 이 광상은 홍제사화강암내에 발달된 NE방향의 단열을 따라 충진한 4개조의 평행한 열수성 맥상 석영맥들로 구성된다. 이들 석영맥의 품위는 3.0~21.4 g/t (평균 6.4 g/t) Au, 5.0~252.0 g/t (평균 117.9 g/t) Ag이며 맥폭은 0.2~0.6 m (평균 0.3 m)로 팽축이 심한 편이고 연장성은 약 200 m 정도이다. 석영맥은 주로 괴상, network, 정동, breccia, crustiform, comb 및 zonal 조직 등이 관찰된다. 모암변질작용은 규화작용, 견운모화작용, 황철석화작용 및 점토화작용 등이 관찰된다. 산출광물은 석영, 견운모, 유비철석, 석석, 황철석, 섬아연석, 황동석, 방연석, 에렉트럼, 함은사면동석, 칸필다이트(canfieldite), 휘은석, Ag-Sb-S계 광물, Mn-Fe-O계 광물, Pb-O계 광물 및 Pb-P-Cl-O계 광물(chloro-pyromorphite) 등이다. 이들 광물들의 화학조성을 살펴보면, 견운모는 0.32~0.71 Fe/Fe+Mg, 유비철석는 27.91~30.33 atomic % As, 섬아연석는 9.77~16.76 mole % FeS, 에렉트럼은 29.42~37.41 atomic % Ag 및 함은사면동석은 32.17~36.53 wt.% Ag 값을 갖는다. 이 광상의 산출광물과 화학조성을 토대로, 진원 금-은 광상은 열수용액에 의한 모암과의 반응에 의한 약산성상태에서 열수용액의 온도, 산소분압($fO_2$) 및 유황분압($fS_2$)의 변화에 의해 광물들이 침전한 것으로 사료된다.
무주분지에 발달하는 승륭 아연광상 주변 지질은 선캠브리아기의 우백질 화강편마암, 백악기 쇄설암, 화산쇄설암과 관입암체로 구성되며, 광상은 편마암내 편리를 따라 협재하는 석회암을 교대한 열수교대광상으로 스카른화작용을 미약하게 받았다. 광화작용은 석류석, 휘석과 같은 스카른 광물이 형성되는 초기와 자철석, 섬아연석, 황동석, 자류철석, Pb-Ag-Bi-S계 등의 금속 광물이 정출되는 중기, 그리고 녹니석과 백철석 등의 변질 광물 및 저온 광물이 형성되는 후기로 구분된다. 섬아연석의 경우 염주(bead chains)와 분말(dusting)조직 등의 황동석 병변조직이 특징적으로 나타나며, Pb-Ag-Bi-S계 광물로는 헤이로브스카이트-에스키모아이트 고용체, 릴리아나이트-구스터바이트 고용체, 그리고 비킨자이트 등이 산출된다. 황화광물의 ${\delta}^{34}S$ 값은 황철석 3.4~4.1‰, 섬아연석 3.3~4.3‰, 황동석 4.0~4.3‰, 그리고 방연석 2.8‰로서 비교적 좁은 범위를 나타내며 광상을 형성시킨 황이 마그마에서 유래되었음을 시사한다. 또한 동위원소 지질온도계를 적용한 생성온도는 $346{\sim}431^{\circ}C$로서 비교적 고온에서 광화작용이 진행된 것으로 보인다. 섬아연석의 FeS 함량은 6.58~20.16 mole%(평균 16.58 mole%)로 비교적 높은 편이며, 국내 주요 스카른 연-아연 광상들과 유사하게 Mn이 Cd에 비해 부화되어 나타난다. 반면, 주변 설천광화대 금-은 광상은 Cd가 부화되어 천열수 금-은 광상과 유사한 특징을 나타내는데 이는 관계화성암을 중심으로 고온에서 승륭광상의 자철석, 섬아연석이 정출되고 이후 온도가 감소하고 광화유체의 조성이 변하면서 주변 지역의 금-은 광화작용이 진행된 것으로 여겨진다.
Since lead (Pb)-free solders for electronics have higher melting points than that of eutectic Sn-Pb solder, they need higher soldering temperatures. In order to decrease the soldering temperature we tried to coat Sn-Bi layer on $Sn-3.5\%Ag$ solder by electroplating, which applies the mechanism of transient liquid phase bonding to soldering. During heating Bi will diffuse into the $Sn-3.5\%Ag$ solder and this results in decreasing soldering temperature. As bonding samples, the 1608 capacitor electroplated with Sn, and PCB, its surface was finished with electroless-plated Ni/Au, were selected. The $Sn-95.7\%Bi$ coated Sn-3.5Ag was supplied as a solder between the capacitor and PCB land. The samples were reflowed at $220^{\circ}C$, which was lower than that of normal reflow temperature, $240\~250^{\circ}C$, for the Pb-free. As experimental result, the joint of $Sn-95.7\%Bi$ coated Sn-3.5Ag showed high shear strength. In the as-reflowed state, the shear strength of the coated solder showed 58.8N, whereas those of commercial ones were 37.2N (Sn-37Pb), 31.4N (Sn-3Ag-0.5Cu), and 40.2N (Sn-8Zn-3Bi). After thermal shock of 1000 cycles between $-40^{\circ}C$ and $+125^{\circ}C$, shear strength of the coated solder showed 56.8N, whereas the previous commercial solders were in the range of 32.3N and 45.1N. As the microstructures, in the solder $Ag_3Sn$ intermetallic compound (IMC), and along the bonded interface $Ni_3Sn_4$ IMC were observed.
Kim, Tae-Woo;Joo, Jin-Ho;Nah, Wan-Soo;Yoo, Jai-Moo;Ko, Jae-Woong;Kim, Hai-Doo;Chung, Hyung-Sik;Lee, Sang-Hyun
Progress in Superconductivity
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제1권1호
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pp.61-67
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1999
We evaluated the effect of alloying element additions to Ag sheath on mechanical, electrical and thermal properties of Bi-2223. Additions of Au, Pd and Mg to Ag sheath increased hardness and strength, while reduced elongation and electrical and thermal conductivity. In addition, microstructural investigation showed that the grain size of Ag significantly decreased with increasing content of alloying elements. The improvements in strength and hardness are believed to be due to the presence of alloying elements that lead to strengthen materials by combined effects of solid-solution, dispersion hardening and grain size hardening. Thermal conductivity of Ag and Ag alloys was evaluated in the temperature range from 77 K to 300 K, and com-pared to calculated value obtained by Wiedermann-Franz law. It was observed that the thermal conductivity decreased with increasing the content of alloying elements. Specifically, the thermal conductivity of $Ag_{0.92}Pd_{0.06}Mg_{0.02}$ alloy was measured to be $48.2W/(m{\cdot}K)$ at 77 K, which is about 6 times lower than that of $Ag(302.6W/(m{\cdot}K))$.
Temporal and spatial distribution patterns of the magmatic rocks and associated ore deposits in the Mesozoic magmatic - metallogenic belt along the Yangtz River, Anhui Province are used to determine and discuss the crust - mantle interaction processes. The magmatic rocks are Cu - Au mineralized high - K calc - alkalic intermediate ¬acidic (CAK) and Fe - Cu mineralized high - Na alkalic - calc intermediate - basic intrusive rocks (FCN) in the central part of the belt and grade to Cu - Mo - Pb - Zn - Ag mineralized calc - alkalic granitoids (CMG) and A - type granites (AG) in the southern and northern parts of the belt. Samples from the CAK and CMG yield Rb - Sr isochron ages of 137 - 140Ma with $(^{87}Sr/^{86}Sr)_{o}$ = 0.7060 - 0.7101, while those from the FCN and AG yield the ages of 120 - 129Ma with $(^{87}Sr/^{86}Sr)_{o}$ = 0.7047 - 0.7077. The Sr isotope ratios, CriTh ratios 0.4 - 3.1), Eu/Eu* ratios < 0.79 - 1.05) and initial epsilon (Nd) values (-16.6 - -6.3) for the CAK and CMG are consistent with magma derivation from old metamorphic basement rocks rich in metallogenic elements through a two - stage process of mantle - derived magma underplating caused by primary lithosphere extension and subsequent partial melting. On the basis of Sr isotope data, CriTh ratios (3.4 - 13.8), Eu/Eu* ratios (0.86 - 1.13) and initial epsilon (Nd) values (-7.7 - +1.4), the FCN and AG are considered to be formed through syntexis with material input from the mantle that resulted from further lithosphere extension followed by mantle - derived magma underplating on a large scale.
We give pressure stimulation into organic thin films and then manufacture a device under the accumulation condition that the state surface pressure is 10[mN/m]. In processing of a device manufacture, we can see the process is good from the change of a surface pressure for organic thin films and transfer ratio of area per molecule. The structure of manufactured device is Au/Poly-$\gamma$ Benzyl $_D$-Glutamate/Al; the number of accumulated layers is 1, 3, 5 and 7. Also, we then examined of the MIM device by means of I-V. The I-V characteristic of the device is measured from 0 to +2[V]. We determined electrochemical measurement by using cyclic voltammetry with a three-electrode system. LB film accumulated by monolayer on an ITO. In the cyclicvoltammetry, An Ag/AgCl reference electrode, a platinum wire counter electrode and LB film-coated ITO working electrode measured in $LiBF_4$ solution, stable up to 0.9V vs. Ag/AgCl.
A spectrofluorimetric method has been developed for the determination of free $CN^-$ in real samples with fluorescent safranine-O. When safranine-O interacts electrostatistically with $CN^-$, the fluorescent intensity of safranine-O is decreased. Several experimental conditions such as pH of the sample solution and the amount of safranine-O were optimized. $Ag^+$ interfered higher than any other ions. Interference of $Ag^+$ could be disregarded because $Ag^+$ was scarcely contained or mostly complexed with $CN^-$ in selected real samples. With this proposed method, the linear range of $CN^-$ was from 5.0 to 110 ng/mL and the detection limit of $CN^-$ was 2.9 ng/mL. For validating this technique, real samples (Cu, Ag, Au electroplating wastewater, and untreated wastewater in university and in sewage treatment plant) were used. Recovery yields of 91.5%~106.0% were obtained. Based on experimental results, it is proposed that this technique can be applied to the practical determination of free $CN^-$.
본 논문에서는 미량의 세포를 포함한 용액 내에서 세포의 산소호흡량을 측정하기 위해 FEP(Fluorinated Ethylene Propylene)를 멤브레인으로 사용한 Clark-type 센서를 제안하였다. 제안된 Clark-type 센서는 3-전극 시스템을 구성하는 유리 기판, 산소를 선택적으로 투과 시키는 FEP 멤브레인과 세포를 담을 수 있는 PDMS reservoir로 구성된다. 산소 센서의 3-전극 시스템에서 작업 전극과 상대 전극으로는 Au, 기준 전극으로는 Ag/AgCl을 사용하였다. 기준 전극은 Ag 전극을 0.1M KCl/Tris-HCl 용액에서 chlorination하여 표면에 AgCl이 형성되도록 하였고, OCP(Open Circuit Potential) test를 수행한 결과 2시간 동안 안정적인 OCP 특성을 보여 좋은 내구성을 가짐을 확인하였다. 또한, 산소 유무에 따른 cyclic voltammetry 그래프의 차이를 확인하고, amperometry로 감도 및 반응 시간, 선형성을 측정/분석하였다. 제작된 산소 센서는 40초의 90% 반응 시간과 0.994의 아주 좋은 선형 상관계수를 보여주었다.
Abstract We give pressure stimulation into organic thin films and then manufacture a device under the accumulation condition that the state surface pressure is 10[mN/m]. In processing of a device manufacture, we can see the process is good from the change of a surface pressure for organic thin films and transfer ratio of area per molecule. The structure of manufactured device is Au/Poly-${\gamma}$ Benzyl $_D$-Glutamate/Al; the number of accumulated layers is 1, 3, 5 and 7. Also, we then examined of the MIM device by means of I-V. The I-V characteristic of the device is measured from 0 to +2[V]. We determined electrochemical measurement by using cyclic voltammetry with a three-electrode system. LB film accumulated by monolayer on an ITO. In the cyclicvoltammetry, An Ag/AgCl reference electrode, a platinum wire counter electrode and LB film-coated ITO working electrode measured in $LiBF_4$ solution, stable up to 0.9V vs. Ag/AgCl.
의료분야의 진단 방사선 장비는 초기의 필름방식 및 카세트에서 진보되어 현재는 디지털방식의 DR (Digital Radiography)이 널리 사용되며 이에 관한 연구개발이 활발히 진행 되고 있다. DR은 일반적으로 직접방식과 간접방식으로 나눌 수 있다. 직접방식의 원리는 X선을 흡수하면 전기적 신호를 발생 시키는 광도전체(Photoconductor)를 사용하여 광도전체 양단 전극에 전압을 인가하여 전기장을 유도한 가운데, X선을 조사하면 광도전체 내부에서 전자-전공쌍(Electron-hole pair)이 생성된다. 이것은 양단에 유도된 전기장의 영향으로 전자는 +극으로, 전공은 -극으로 이동하여 아래에 위치한 하부기판을 통하여 이미지로 변조된다. 간접방식은 X선을 흡수하면 가시광선으로 전환하는 형광체(Scintillator)를 사용하여 조사된 X선을 형광체에서 가시광선으로 전환하고, 이를 Photodiode와 같은 광변환소자로 전기적 신호로 변환하여 방사선을 검출하는 방식을 말한다. 본 연구에서는 직접방식에서 이용되는 광도전체 중 흡수효율이 높고 Mobility가 뛰어난 CdTe를 선정하여 PVD (Physical vapor deposition)방식으로 300 m의 두께를 목표로 하여 증착을 진행하였다. Chamber의 진공도가 $2.5{\times}10^{-2}$ Torr로 도달 시점부터, Substrate와 Boat에 열을 가하였다. Substrate온도는 $350^{\circ}C$, Boat온도는 $300^{\circ}C$도로 설정하여 11시간 동안 진행하였다. Substrate온도는 $303^{\circ}C$, Boat온도는 $297^{\circ}C$도부터 증착이 시작되어 선형적인 증가세 추이를 나타내어 Substrate 및 Boat온도가 설정 값에 도달 하였을 때, $25{\sim}34.4{\AA}/s$ 증착율을 나타내었다. 하부전극의 물질에 따른 CdTe증착 효율성 평가를 진행한 후, 그에 따른 전기적 특성을 알아보았다. 하부전극의 물질로는 ITO (Indium Tin Oxide), Parylene이 코팅 된 ITO, Au, Ag를 사용하였다. 하부전극의 물질 상단에 Thermal Evaporation System을 사용하여 CdTe를 증착한 후, Cdte 상단에 Au를 증착 시켜 민감도(Sensitivity)와 암전류(Dark current)를 측정하였다. 증착 결과 ITO와 Ag상단에 증착시킨 CdTe박막은 박리가 되었고, Au와 Parylene이 코팅 된 ITO에는 CdTe박막이 안정적이게 형성이 되었다. 이 두 샘플에 대하여 동일한 조건으로 민감도와 암전류를 측정 시, Parylene이 코팅된 ITO를 하부전극으로 사용한 CdTe박막은 0.1021 pA/$cm^2$의 암전류와 1.027 pC/$cm^2$의 민감도를 나타낸 반면, Au를 하부전극으로 사용한 CdTe박막은 0.0381 pA/$cm^2$의 암전류와 1.214 pC/$cm^2$의 민감도를 나타내어 Parylene이 코팅된 ITO보다 우수한 전기적 특성을 나타내었다. 따라서 Au는 CdTe박막 증착 시, 하부전극 기판으로서 뛰어난 특성을 나타내는 것을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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